Госпрограммы и концепции

Обновление основных систем Консультант плюс осуществляется ежедневно.

ПОСТАНОВЛЕНИЕ Правительства РФ от 26.11.2007 N 809
"О ФЕДЕРАЛЬНОЙ ЦЕЛЕВОЙ ПРОГРАММЕ "РАЗВИТИЕ ЭЛЕКТРОННОЙ КОМПОНЕНТНОЙ БАЗЫ И РАДИОЭЛЕКТРОНИКИ" НА 2008 - 2015 ГОДЫ"




ПРАВИТЕЛЬСТВО РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ

ПОСТАНОВЛЕНИЕ
от 26 ноября 2007 г. N 809

О ФЕДЕРАЛЬНОЙ ЦЕЛЕВОЙ ПРОГРАММЕ
"РАЗВИТИЕ ЭЛЕКТРОННОЙ КОМПОНЕНТНОЙ БАЗЫ И РАДИОЭЛЕКТРОНИКИ"
НА 2008 - 2015 ГОДЫ



Правительство Российской Федерации постановляет:
1. Утвердить прилагаемую федеральную целевую программу "Развитие электронной компонентной базы и радиоэлектроники" на 2008 - 2015 годы (далее - Программа).
2. Министерству экономического развития и торговли Российской Федерации и Министерству финансов Российской Федерации при формировании проекта федерального бюджета на соответствующий год включать Программу в перечень федеральных целевых программ, подлежащих финансированию за счет средств федерального бюджета.
3. Завершить в 2007 году реализацию подпрограммы "Развитие электронной компонентной базы" на 2007 - 2011 годы федеральной целевой программы "Национальная технологическая база" на 2007 - 2011 годы, утвержденной Постановлением Правительства Российской Федерации от 29 января 2007 г. N 54.
4. Установить, что мероприятия Программы, реализация которых осуществлялась в рамках подпрограммы, указанной в пункте 3 настоящего Постановления, выполняются в соответствии с заключенными в 2007 году контрактами.
5. Утвердить прилагаемые изменения, которые вносятся в федеральную целевую программу "Национальная технологическая база" на 2007 - 2011 годы, утвержденную Постановлением Правительства Российской Федерации от 29 января 2007 г. N 54 (Собрание законодательства Российской Федерации, 2007, N 7, ст. 883).

Председатель Правительства
Российской Федерации
В.ЗУБКОВ





Утверждена
Постановлением Правительства
Российской Федерации
от 26 ноября 2007 г. N 809

ФЕДЕРАЛЬНАЯ ЦЕЛЕВАЯ ПРОГРАММА
"РАЗВИТИЕ ЭЛЕКТРОННОЙ КОМПОНЕНТНОЙ БАЗЫ И РАДИОЭЛЕКТРОНИКИ"
НА 2008 - 2015 ГОДЫ

ПАСПОРТ
федеральной целевой программы
"Развитие электронной компонентной базы
и радиоэлектроники" на 2008 - 2015 годы

Наименование - федеральная целевая программа
Программы "Развитие электронной компонентной
базы и радиоэлектроники" на 2008 -
2015 годы

Дата принятия решения - распоряжение Правительства Российской
о разработке Программы Федерации от 23 июля 2007 г. N 972-р

Государственный - Министерство промышленности и
заказчик - координатор энергетики Российской Федерации
Программы

Государственные - Федеральное агентство по промышленности,
заказчики Программы Федеральное агентство по атомной
энергии,
Федеральное космическое агентство,
Федеральное агентство по науке и
инновациям,
Федеральное агентство по образованию

Основные разработчики - Министерство промышленности и
Программы энергетики Российской Федерации,
Министерство обороны Российской
Федерации,
Федеральное агентство по
промышленности,
Федеральное агентство по науке и
инновациям,
Федеральное космическое агентство,
Федеральное агентство по атомной
энергии,
Федеральное агентство по образованию

Основная цель - развитие научно-технического и
Программы производственного базиса для
разработки и производства
конкурентоспособной наукоемкой
электронной и радиоэлектронной
продукции для решения приоритетных
задач социально-экономического
развития и обеспечения национальной
безопасности Российской Федерации

Основные задачи - обеспечение радиоэлектронных средств и
Программы систем, в первую очередь средств и
систем, имеющих стратегическое значение
для страны, российской электронной
компонентной базой необходимого
технического уровня;
разработка базовых промышленных
технологий и конструкций
радиоэлектронных компонентов и приборов;
техническое перевооружение организаций
радиоэлектронной отрасли на основе
передовых технологий;
создание научно-технического задела по
перспективным технологиям и конструкциям
электронных компонентов, унифицированных
узлов и блоков радиоэлектронной
аппаратуры для обеспечения российской
продукции и стратегически значимых
систем;
опережающее развитие вертикально
интегрированных систем
автоматизированного проектирования
сложных электронных компонентов,
аппаратуры и систем для достижения
мирового уровня

Важнейшие целевые - целевым индикатором реализации Программы
индикатор и показатели является технический уровень современной
электронной компонентной базы, который
будет оцениваться по освоенному в
производстве технологическому уровню
изделий микроэлектронной техники.
Ожидается, что в 2008 году в
организациях микроэлектроники будет
освоен технологический уровень 0,18
мкм, что обеспечит создание
производственно-технологической базы
для выпуска современной электронной
компонентной базы, соответствующей
потребностям российских производителей
аппаратуры и систем.
В 2011 году планируется достижение
уровня технологии 0,09 мкм с
последующим переходом к 2015 году до
уровня технологии 0,045 мкм, что
существенно сократит отставание
российской электроники и
радиоэлектроники от мировых показателей.
Основным целевым показателем
реализации Программы является увеличение
объема продаж конкурентоспособных
изделий электронной компонентной базы и
радиоэлектронной продукции. Ожидается,
что в 2011 году значение этого
показателя составит около 130 млрд.
рублей, а в 2015 году - 300 млрд.
рублей, темпы роста объемов производства
будут сопоставимы с мировыми
показателями.
Показателем эффективности выполнения
мероприятий Программы также является
количество разработанных базовых
технологий в области электронной
компонентной базы и радиоэлектроники,
обеспечивающих конкурентоспособность
конечной продукции. К 2011 году их
количество будет составлять более 180
технологий, к 2015 году - не менее 270
технологий. В результате реализации
Программы в 64 организациях будут
созданы центры проектирования, в 117
организациях будут осуществлены
реструктуризация и техническое
перевооружение

Срок и этапы - 2008 - 2015 годы:
реализации Программы первый этап - 2008 - 2011 годы;
второй этап - 2012 - 2015 годы

Объемы и источники - всего по Программе в ценах
финансирования соответствующих лет объем финансирования
Программы составит 187000 млн. рублей, в том
числе:
за счет средств федерального бюджета -
110000 млн. рублей, из них на научно-
исследовательские и опытно-
конструкторские работы - 66000 млн.
рублей, на капитальные вложения -
44000 млн. рублей;
за счет средств внебюджетных
источников - 77000 млн. рублей.
Всего по Программе на 2008 год за счет
средств федерального бюджета
предусматривается 5500 млн. рублей, из
них на научно-исследовательские и
опытно-конструкторские работы - 3980
млн. рублей, на капитальные вложения -
1520 млн. рублей

Ожидаемые конечные - увеличение объема продаж российской
результаты реализации электронной продукции, унифицированных
Программы и показатели электронных модулей и радиоэлектронных
социально- изделий на внутреннем и внешнем
экономической рынках;
эффективности значительное сокращение
технологического отставания российской
радиоэлектронной промышленности от
мирового уровня;
обеспечение больших возможностей для
развития всех отраслей промышленности
и осуществление перехода к экономике
"знаний";
создание условий для более эффективной
реализации национальных проектов,
объявленных Президентом Российской
Федерации;
создание рыночно ориентированной
инфраструктуры радиоэлектронной
промышленности с учетом реструктуризации
системы проектирования и производства
радиоэлектронных изделий
(системоориентированные центры
проектирования, дизайн-центры,
"кремниевые фабрики", научно-
технологический центр по
микросистемотехнике, маркетинговые и
торговые центры, дилерские сети и
т.д.);
расширение экспорта
высокотехнологичной продукции
промышленности России;
активизация инновационной деятельности
и ускорение внедрения результатов
научно-технической деятельности в
массовое производство;
обеспечение обновляемости основных
фондов организаций радиоэлектронной
отрасли и стимулирование создания
современного высокотехнологичного
производства;
создание крупных и эффективных
интегрированных структур, способных
конкурировать с лучшими западными
фирмами;
организация производства массовой
интеллектуально насыщенной и
конкурентоспособной высокотехнологичной
радиоэлектронной продукции, реализующей
современные телекоммуникационные
услуги, включая радио и телевидение,
услуги и средства электронных
информационных систем;
повышение качества жизни населения,
отвечающего стандартам высокоразвитых
стран мира по интеллектуализации среды
обитания и возможностям использования
электроники и информационных систем;
увеличение числа рабочих мест в
радиоэлектронной отрасли, снижение
оттока талантливой части научно-
технических кадров, повышение спроса
на квалифицированные научно-
технические кадры, обеспечение
привлечения молодых специалистов и
ученых, а также улучшение возрастной
структуры кадров;
обеспечение налоговых поступлений в
бюджет от исполнителей и пользователей
Программы в размере 198577,2 млн.
рублей, что превысит размер инвестиций
и создаст бюджетный эффект в размере
125045,9 млн. рублей;
обеспечение индекса доходности
(рентабельности) бюджетных ассигнований
2,7 и уровня безубыточности 0,68, что
свидетельствует о высокой
эффективности Программы

I. Характеристика проблемы, на решение которой
направлена Программа

Федеральная целевая программа "Развитие электронной компонентной базы и радиоэлектроники" на 2008 - 2015 годы (далее - Программа) разработана в соответствии с распоряжением Правительства Российской Федерации от 23 июля 2007 г. N 972-р.
Программа разработана с учетом Основ политики Российской Федерации в области развития науки и технологий на период до 2010 года и дальнейшую перспективу.
При разработке учтен принцип преемственности по отношению к подпрограмме "Развитие электронной компонентной базы" на 2007 - 2011 годы федеральной целевой программы "Национальная технологическая база" на 2007 - 2011 годы, мероприятия Программы укрупнены и уточнены, содержат все направления указанной подпрограммы и учитывают интересы всех ее заказчиков.
Основной проблемой, на решение которой направлена Программа, является создание современной научно-производственной инфраструктуры разработки и производства радиоэлектронных средств и стратегически значимых систем с использованием российской электронной компонентной базы нового технического уровня на основе коренной модернизации производственно-технологической базы электронной и радиоэлектронной промышленности и сокращения технологического разрыва с мировым уровнем, повышения технико-экономических показателей и расширения объемов производства массовой электронной и радиоэлектронной продукции, опережающего развития вертикально интегрированных систем автоматизированного проектирования электронной компонентной базы и радиоэлектронной аппаратуры.
Программа учитывает, что проблемы экономического развития Российской Федерации в ближайшее десятилетие будут определяться способностью государственного обеспечения ресурсами для ускоренного роста высокотехнологичного сектора экономики.
Привлечение инвестиций в экономику с их точной адресацией и учетом взаимодействия секторов экономики, связанных с развитием высоких технологий, рассматривается Правительством Российской Федерации в качестве важнейшего фактора создания российской конкурентоспособной технологической базы нового производства, формирующей перспективу общего роста экономики Российской Федерации.
Приоритетами государственной инвестиционной политики в этих условиях являются ускоренное инвестиционное развитие секторов "новой экономики", прежде всего становление инновационных и информационных отраслей, формирование нового технологического уровня промышленности и решение на его базе задач социально-экономического развития государства.
Все это позволяет ставить и решать в среднесрочной перспективе задачу сокращения технологического разрыва между Российской Федерацией и развитыми государствами, а в долгосрочной перспективе - задачу упрочения позиции России как одного из лидеров мирового развития.
Ускорение социально-экономического развития общества, его информационное обеспечение и повышение интеллектуального уровня, дальнейший рост эффективности труда и комфортности быта, экономия природных и энергетических ресурсов, коренное улучшение технико-экономических и экологических показателей практически во всех отраслях промышленности и топливно-энергетического комплекса, модернизация базы научных исследований, медицины, образования, развитие космических исследований и разработка систем телекоммуникаций основаны на широком применении современной аппаратуры и систем радиоэлектроники, информационно-коммуникационных технологий.
Одним из основополагающих факторов расширения производства и использования современной радиоэлектронной аппаратуры и информационно-коммуникационных систем является динамичный научно-технический и производственный процесс развития электронных и радиоэлектронных технологий и организация массового выпуска необходимых электронных и радиоэлектронных компонентов.
В настоящее время доля радиоэлектроники в стоимости бытовых, промышленных и оборонных изделий и систем составляет 50 - 80 процентов. Степень совершенства этих изделий и технико-экономические показатели производства определяются в первую очередь техническим уровнем используемой электронной компонентной базы.
Улучшение технических характеристик и повышение функциональной сложности электронной компонентной базы приводит к значительному улучшению технико-экономических показателей и надежности создаваемой радиоэлектронной аппаратуры, уменьшает число сборочных операций и количество используемых компонентов, уменьшает стоимость продукции.
Мировой рынок микроэлектронной техники (основной составляющей электронной промышленности) в 2006 году достиг объема 260 млрд. долларов США с показателем роста в 10,6 процента в год, что почти в 3 раза превышает мировые показатели прироста валового внутреннего продукта, который составил в 2006 году 37,74 трлн. долларов США. Объем мирового производства радиоэлектронной продукции в 2006 году составил 1,32 трлн. долларов США, а радиоэлектроника по величине добавленной стоимости превосходит автомобильную, авиационную и общемашиностроительную отрасли.
Радиоэлектроника используется ведущими мировыми державами как рычаг удержания мирового технического, финансового, политического и военного господства. Развивающиеся страны рассматривают государственную поддержку электронной и радиоэлектронной промышленности как наиболее эффективный способ подъема экономики и вхождения в мировой рынок.
Мировой опыт также показывает, что совершенствование электронной продукции и наращивание объемов ее производства ведется главным образом на основе комплексных целевых научно-технических программ, инициируемых правительствами развитых и развивающихся стран и финансируемых до 50 процентов из средств государственного бюджета. Ежегодно на программы развития только электроники в мире выделяется более 12 млрд. долларов США, а если учесть, что фирмы расходуют до 10 процентов объемов продаж изделий электроники на научно-исследовательские и опытно-конструкторские работы, эта сумма вырастает до 30 млрд. долларов США.
Объем капитальных вложений в полупроводниковую отрасль (включая научно-исследовательские и опытно-конструкторские работы) в 2006 году в мире превысил 53 млрд. долларов США.
Наряду с прямым финансированием программ правительства заинтересованных в развитии электроники государств оказывают косвенную поддержку новых производств путем предоставления налоговых льгот, льготных кредитов на закупку технологий и специального технологического оборудования, государственных гарантий инвесторам, уменьшения срока амортизации специального технологического оборудования и защиты внутреннего рынка от импорта.
В сложившейся ситуации единственным способом решения проблемы развития электронной компонентной базы и радиоэлектроники в Российской Федерации является программно-целевой метод, обеспечивающий необходимый уровень адресной поддержки развития технологий и новых производств в целях обеспечения повышения конкурентоспособности экономики, инвестиционных программ и проектов в секторах с высокой долей участия государства, прежде всего проектов оборонно-промышленного комплекса.
Таким образом, реализация Программы полностью соответствует приоритетам государственной политики по созданию стратегически важных для страны инфраструктурных объектов, от которых зависит устойчивое функционирование всей экономики страны и ее сфер, способствующих инновационно-технологическому прорыву, решение задач социально-экономической политики государства, развитие и безопасное функционирование технически сложных систем и экологическая безопасность.
Программа разрабатывалась с учетом следующих положений:
развитие технологий в мире является непрерывным, постоянно обновляющимся процессом;
обострение конкурентной борьбы на внешнем, а также на внутреннем рынках в связи с предстоящим присоединением Российской Федерации к Всемирной торговой организации с учетом поставленной руководством страны задачи резкого увеличения темпов роста валового внутреннего продукта требует интенсификации ускорения разработки и передачи в производство передовых технологий мирового уровня и модернизации производств, которые могли бы составить производственно-технологический базис для создания и реализации конкурентоспособной наукоемкой продукции;
развитие электронной компонентной базы и радиоэлектроники позволит решить вопрос создания основы для развития передовых отраслей промышленного производства, обеспечит укрепление экономики, расширит сферы применения средств телекоммуникаций, информатики, улучшит условия труда и быта населения, будет способствовать повышению его образовательного и интеллектуального уровня, уровня медицинского обслуживания и социального обеспечения, улучшит экологию;
электронная компонентная база и новые технологии сборки аппаратуры являются основой для разработки и производства радиоэлектронной аппаратуры, систем связи и телекоммуникаций, систем управления в технике, промышленности, социальной сфере, торговле и на транспорте, связаны с технологиями и материалами двойного назначения, дают возможность применения изделий в экстремальных условиях эксплуатации (космическое пространство, земные недра, мониторинг обстановки вблизи источников излучений ядерных объектов, физические эксперименты, стихийные бедствия) и в специальной технике (системы антитеррора и контроля за перемещением наркотиков, системы экологического мониторинга, системы раннего предупреждения и ликвидации последствий техногенных катастроф);
совершенствование технологий и конструкций обеспечивает не только повышение функциональных и технических характеристик электронной компонентной базы и создаваемой на их основе аппаратуры, но снижает нагрузку в целом на проектирование и выпуск аппаратуры и систем. Это объясняется тем, что этап проектирования систем, выполняющих сложные функции, переносится на этап проектирования специализированных больших интегральных схем, а основной объем сборочных операций при выпуске аппаратуры заменяется на процессы интеграции элементов при изготовлении сложнофункциональной электронной компонентной базы, которая выполняет роль блоков и узлов аппаратуры или полностью реализует функции аппаратуры в составе одной сверхбольшой интегральной схемы "система на кристалле" (однокристальный телевизор, однокристальный телефон). При использовании аппаратуры и систем с высокими техническими показателями достигается значительный эффект в части повышения производительности, точности и надежности выполнения функций, энергосбережения, экономии материалов, улучшения условий труда;
количественно определенный результат будет фиксироваться по каждому инвестиционному проекту в виде достигнутых мощностей производства, показателей технического качества выпускаемой продукции, социально значимых показателей (количество дополнительных рабочих мест, улучшение условий труда, снижение экологической нагрузки), технико-экономических показателей производства (снижение энергопотребления, повышение процента выхода годных изделий), расширения объема экспортных поставок, а также размера поступлений в бюджет в виде налогов;
осуществление мероприятий Программы в два этапа (I этап - 2008 - 2011 годы, II этап - 2012 - 2015 годы) обеспечивает реализацию принципа преемственности в отношении подпрограммы "Развитие электронной компонентной базы" на 2007 - 2011 годы федеральной целевой программы "Национальная технологическая база" на 2007 - 2011 годы, а также дает возможность оптимизации мероприятий II этапа Программы с учетом результатов I этапа, возникающих новых стратегических задач развития, сложившейся конъюнктуры рынка и развития новых мировых технологических направлений;
системное информационно-аналитическое обеспечение формирования годовых планов научно-исследовательских и опытно-конструкторских работ, нацеленных на выполнение мероприятий Программы и определение наиболее перспективных направлений работ с учетом мирового опыта и достигнутых промежуточных результатов;
увязка расходов с возможностями бюджета в течение всего срока реализации Программы путем финансирования Программы по итогам выполнения плана научно-исследовательских и опытно-конструкторских работ за предыдущий год на основе ежегодного открытого конкурса проектов, который позволит оптимизировать состав участников Программы и обеспечить максимально возможное выполнение мероприятий Программы при заданном объеме финансирования;
расходы на осуществление научно-исследовательских и опытно-конструкторских работ должны преобладать над расходами капитального характера, включая приобретение оборудования, в структуре бюджетного финансирования Программы (60 процентов расходов - научно-исследовательские и опытно-конструкторские работы и 40 процентов - капитальные вложения), что позволит достигнуть максимально возможный практический эффект от реализации Программы в целом. Каждый инвестиционный проект Программы сопровождается соответствующим мероприятием (комплекс научно-исследовательских и опытно-конструкторских работ по разработке автоматизированных систем проектирования, базовых технологий и базовых конструкций электронной компонентной базы, радиоэлектронных блоков и узлов, технологических и конструкционных материалов);
невозможность решения проблемы межотраслевого, межведомственного характера другими способами требует принятия решений на уровне Правительства Российской Федерации, что обусловлено в первую очередь государственной важностью этой задачи и ее стратегическим значением для подъема производства промышленного комплекса, а также широким кругом использования электронной компонентной базы и радиоэлектроники для решения задач социально-экономического развития страны;
применение комплексного подхода позволит увязать технологическое и производственное развитие элементного базиса и конечную востребованную внутренним рынком радиоэлектронную продукцию.
Важным обстоятельством является то, что в ближайшие годы в Российской Федерации открываются новые сектора рынка, еще не занятые иностранным производителем.

Обеспечение создания и производства средств
радиочастотной идентификации

Одним из важнейших направлений применения радиочастотной идентификации является электронный паспорт. Работы в этом направлении активно ведутся в настоящее время и в Российской Федерации. Для введения электронного паспорта при населении около 150 млн. человек потребуется такое же количество микросхем. Следует также учесть ежегодное пополнение взрослого населения, необходимость замены паспортов по семейным и другим обстоятельствам, а также плановое обновление паспортов один раз в 5 лет.
Таким образом, перевод паспортно-визовых документов на электронную технологию потребует единовременно около 150 млн. микросхем и затем ежегодно по 50 млн. микросхем. Дополнительное количество микросхем потребуется в связи с переводом на эту же технологию водительских удостоверений, смарт-карт платежных систем и SIM-карт мобильной связи.
Для защиты этого сегмента рынка от экспансии микросхем иностранного производства принципиально важным является решение об обязательном выборе в качестве разработчика и изготовителя микросхем для электронного паспорта российской организации.
С использованием подобных технологий можно выпускать менее сложные микросхемы, например электронные метки для товаров и грузов (по экспертным оценкам, потребность в них в 2007 году может достигнуть 250 - 400 млн. штук). Потребность в микросхемах возникнет и при формировании инфраструктуры пользователей, поскольку радиоэлектронная аппаратура пользователей средств радиочастотной идентификации подвижных объектов транспортных средств, грузов, товаров, контроля доступа, в том числе электронных паспортов, строится с широким использованием унифицированных электронных модулей считывателей обработки сигналов, модулей системы опознавания, вторичных источников электропитания и других видов унифицированных блоков и узлов аппаратуры. По экспертным оценкам, объем данного сегмента рынка составляет 15 - 18 млрд. рублей в год, в том числе объем рынка микроэлектронных изделий - 6 - 7 млрд. рублей в год.

Обеспечение создания и производства средств
координатно-временного обеспечения

В настоящее время основными и наиболее точными средствами навигационного обеспечения различных потребителей являются глобальные навигационные спутниковые системы ГЛОНАСС (Российская Федерация) и GPS (США). В Европе разворачивается навигационная система "Галилео". Принятие решения о снятии ограничений на точность координатного определения расширяет возможности гражданского применения специальной спутниковой системы и, соответственно, увеличивает объем рынка.
По экспертным оценкам, объем российского рынка навигационной аппаратуры составляет около 5 процентов общего мирового рынка, что соответствует около 50 млн. навигационных приборов. Необходимо обеспечить сохранение за российским производителем не менее 50 процентов рынка навигационной аппаратуры. Основным массовым потребителем систем и средств координатно-временного обеспечения является транспорт всех видов (автомобильный, морской и речной, железнодорожный и авиационный). Кроме того, большой интерес для производства средств координатно-временного обеспечения представляют телекоммуникационный рынок (в части систем синхронизации передачи данных), рынок геодезических услуг (учет земли, строительство и пр.), рынок систем энергоучета и учета перемещения продуктов по газо- и нефтепроводам, персональная навигация во всех ее применениях, включая мобильные телефоны.
Несмотря на значительную номенклатуру навигационной аппаратуры пользователей, в ее основе лежит широкое использование унифицированных электронных модулей (приемо-измерительные модули, функциональные узлы, контроллеры, вторичные источники питания). По экспертным оценкам, объем данного сектора рынка составляет 3,5 - 4,5 млрд. рублей в год, а объем рынка изделий микроэлектроники - 1,5 - 2,2 млрд. рублей в год.

Обеспечение создания и производства техники
цифрового телевидения

Правительство Российской Федерации в мае 2004 г. приняло решение о внедрении в стране европейской системы цифрового телевизионного вещания. Это решение открывает большие возможности для широкого использования российского высокотехнологичного оборудования при исключении "захвата" российского рынка телевидения иностранными фирмами, как это произошло при внедрении мобильной радиосвязи.
По экспертным оценкам, объем рынка аппаратуры цифрового телевидения до 2015 года составит около 55 млрд. рублей в год, при этом уже сегодня не менее 60 процентов аппаратуры может выпускаться российскими производителями.
Следует учитывать, что дополнительную потребность создает производство приставок к обычным аналоговым телевизорам для возможности приема ими цифрового телевизионного сигнала. С учетом большого количества аналоговых телевизоров, находящихся в пользовании у населения (не менее 80 млн. аппаратов), данный сегмент рынка представляется весьма существенным. Кроме того, следует учитывать систему платного абонентского телевидения, в которой используются специальные схемы, обеспечивающие возможность платного просмотра. Общий объем рынка унифицированных электронных модулей для систем цифрового телевидения - цифровых приставок и цифровых телевизоров (включая сверхбольшие интегральные схемы канальных демодуляторов и декодеров, тюнеров (селекторов каналов), сверхбольшие интегральные схемы цифровых процессоров обработки сигналов изображения и звука, дисплейных модулей, импульсных источников питания и т.д.) оценивается около 20 млрд. рублей в год, а объем рынка электронной компонентной базы для данного направления составит 6 - 8 млрд. рублей в год.
По мере перевода сетей телевизионного вещания на цифровой формат в Российской Федерации будет разворачиваться массовое производство цифровых телевизоров. Ожидается, что объем российского рынка цифровых телевизоров уже к 2010 году может достичь 7 - 10 млн. штук в год. Согласно прогнозу большая часть этих телевизоров будет изготовлена на основе плоских телевизионных панелей, в первую очередь жидкокристаллических. Поэтому программа производства электронной компонентной базы для приемников цифрового телевидения должна предусматривать создание российских плоских телевизионных дисплеев и элементной базы для них (интегральных схем драйверов, цифровых сверхбольших интегральных схем обработки сигналов и т.д.), тем более что плоские дисплеи являются продукцией двойного назначения, так как широко используются в качестве средств отображения в специальной и военной аппаратуре. Поскольку для строительства современного завода по производству плоских телевизионных дисплеев требуются инвестиции в объеме 1 - 2 млрд. долларов США, для решения этой задачи целесообразно привлечение иностранных партнеров и создание совместных производств. Такая практика широко распространена даже среди ведущих мировых производителей плоских дисплеев, которые образуют стратегические альянсы для объединения своих финансовых и технологических ресурсов.

Обеспечение создания военной и специальной
электронной компонентной базы и радиоэлектроники

Сектор рынка, связанный с созданием военной и специальной электронной компонентной базы и радиоэлектроники, способен обеспечить небольшую, но стабильную загрузку российской радиоэлектронной промышленности. Анализ государственной программы вооружения показывает, что к 2015 году ежегодный объем серийных закупок электронной компонентной базы и радиоэлектроники будет составлять более 30 млрд. рублей в год. Особенностями этого сектора являются:
широкая номенклатура электронной компонентной базы и радиоэлектроники (номенклатура только электронной компонентной базы составляет более 25 тыс. типономиналов);
повышенные требования по эксплуатации (температура, влажность, радиационная стойкость, повышенная надежность, устойчивость к механическим воздействиям и т.д.);
относительно небольшие объемы выпуска заказываемой продукции;
длительный жизненный цикл поставляемых изделий, включая необходимость воспроизводства в течение 10 - 15 лет.

Обеспечение создания оборудования широкополосного
беспроводного доступа

Анализ направлений развития технологии телекоммуникаций показал, что в настоящее время разрабатываются средства создания широкополосных беспроводных сетей связи, обеспечивающих обмен 3 видами информации (голос, передача данных, в том числе по сети Интернет, и телевидение).
Указанная технология особенно актуальна и перспективна для Российской Федерации, большая часть территории которой не оснащена кабельными и проводными линиями связи.
Традиционно продукция российских разработчиков и производителей беспроводного оборудования (радиосвязь, спутниковая и радиорелейная связь) являлась и продолжает оставаться конкурентоспособной на рынках телекоммуникационного оборудования, что позволяет рассчитывать на высокую долю (примерно 50 процентов) российского оборудования в этом секторе рынка. Объем внутреннего рынка аппаратуры беспроводного широкополосного доступа в настоящее время составляет около 50 млн. долларов США при высоких темпах роста (50 - 60 процентов в год, что составит к 2010 году 6 - 8 млрд. рублей в год), причем основную часть этого рынка (до 80 процентов) занимают унифицированные приемо-передающие модули, модули сетей доступа, модули защиты, микроконтроллеры и другая продукция.

Авионика

Для обеспечения в рамках Единой системы организации воздушного движения Российской Федерации поставки бортовых радиоэлектронных систем для строительства воздушных судов и наземных радиоэлектронных систем необходимо осуществить разработку значительного объема новой элементной базы и радиоэлектронного оборудования.
В отношении аэронавигационной системы страны осуществляется единая техническая политика, предусматривающая модернизацию средств и систем организации воздушного движения в интересах обеспечения деятельности всех видов авиации в основном российским оборудованием и обеспечивающая соответствие национальным интересам Российской Федерации, российским и международным стандартам.
С учетом новых принципов функционирования аэронавигационной системы, основанных на интеграции перспективных наземных, бортовых и спутниковых средств и систем аэронавигации, необходимо обеспечить их гармонизированное развитие.
Среднегодовой объем потребления продукции радиоэлектронной промышленности может составить 2 - 3 млрд. рублей в год, при этом объем рынка унифицированных электронных модулей - 1 млрд. рублей в год.
В области создания гражданской авиатехники планируется принципиальное изменение стратегической позиции гражданского сектора авиационной промышленности Российской Федерации на мировом авиарынке, включая рынок России и государств - участников СНГ. Фактическое возвращение отрасли на этот глобальный рынок в качестве мирового центра авиастроения и обеспечение к 2015 году не менее 5 процентов мирового рынка продаж гражданской авиационной техники позволят осуществить годовой объем продаж в 2015 году 65 - 85 магистральных и региональных самолетов российского производства. Рыночные доходы российской авиационной промышленности в 2015 году составят 54 млрд. рублей.
По экспертным оценкам, объем рынка бортовой радиоэлектронной аппаратуры в настоящее время составляет 0,5 - 1 млрд. рублей в год, объем рынка систем и средств для обеспечения авиационной деятельности гражданской авиации - 2,5 - 4 млрд. рублей в год.

Автомобильная электроника

Развитие производства изделий и систем автомобильной электроники, электрооборудования и приборов для автомобилей является решающим фактором повышения конкурентоспособности российских автомобилей.
Электронные и микропроцессорные системы управления агрегатами автомобилей являются одними из основных средств, обеспечивающих выполнение современных международных норм и требований по снижению расхода топлива, повышению безопасности, снижению токсичности отработанных газов, повышению комфорта, обеспечению быстрой и надежной диагностики обнаружения отказов и их устранения, обеспечению информационной поддержки и связи пассажиров и водителя с внешним миром.
Выполнение требований по экологии норм ЕВРО-4, ЕВРО-5, а также других требований к автотранспортным средствам возможно только при внедрении электронных систем управления.
На долю автомобильной электроники и автотранспортного электрооборудования приходится значительная часть общих затрат на производство современного автомобиля (до 20 процентов стоимости легкового автомобиля).
Ожидается, что в 2008 - 2015 годах отечественные автомобили будут оснащаться электронными средствами управления двигателями, системами безопасности, навигации и связи, что приведет к повышению доли электроники в общей стоимости автомобиля до 12 - 18 процентов.
Исходя из прогнозируемых объемов производства отечественной автомобильной техники (легковые, грузовые автомобили и автобусы), а также планируемого оснащения их электрическими и электронными системами к 2015 году предполагается осуществить продажу на рынке легковых автомобилей на сумму 77,4 млрд. рублей, грузовых автомобилей - 23,25 млрд. рублей, автобусов - 37,79 млрд. рублей.

Участие в реализации национальных проектов

Обеспечение создания и производства современного
медицинского оборудования, в том числе мобильного типа

При создании и производстве медицинского оборудования широко применяются электронная компонентная база и унифицированные электронные модули (приборы дистанционной диагностики, микропроцессорного управления, сенсоры и датчики, схемы формирования электрических сигналов, генерации лазерного и сверхвысокочастотного излучения и т.д.). Если не принять меры по развитию производства этого оборудования в Российской Федерации, значительная часть рынка будет отдана иностранным компаниям.
В настоящее время объем рынка медицинской техники в России составляет около 40 млрд. рублей, в том числе около 30 млрд. рублей - импортные изделия, причем значительную долю из них составляют изделия с применением современной микроэлектроники (более 42 процентов).
Средняя стоимость изделий медицинской радиоэлектроники мобильного типа с учетом покупательной способности населения страны не должна превышать 1,5 - 2 тыс. рублей, общий объем рынка оборудования этого типа прогнозируется на уровне 5 млн. единиц в год, а доля электронной компонентной базы в стоимости такого оборудования составит не менее 80 процентов. Таким образом, общий объем рынка электронной компонентной базы для медицинского оборудования мобильного типа может составить 8 - 10 млрд. рублей в год.
В связи с высокой стоимостью импортного медицинского оборудования одним из путей снижения стоимости такого оборудования должно стать широкое применение российской электронной компонентной базы и унифицированных электронных модулей. Доля электронной компонентной базы в общей стоимости только стационарного оборудования достигает 20 процентов, поэтому исходя из общего объема рынка такого оборудования (2 млрд. рублей в год) можно рассчитывать на сбыт электронной компонентной базы в объеме 0,3 млрд. рублей и унифицированных электронных модулей в объеме около 1,5 млрд. рублей.
Совокупный объем рынка электронной компонентной базы для медицинского оборудования может достигнуть к 2011 году 25 млрд. рублей в год.

Современные технологии образования

В области образования необходимо в первую очередь обеспечить равный доступ всех обучающихся к источникам информации, в связи с чем необходимо организовать устойчивый высокоскоростной доступ к сетевым ресурсам на всей территории страны.
Беспроводной мультимедийный доступ к ресурсам обучения целесообразно развивать путем существенного снижения стоимости персональных мобильных компьютеров с целью максимального приближения их цены к покупательной способности населения Российской Федерации.
Решить эту задачу можно только в результате организации массового производства комплектующих для выпуска указанных устройств и оборудования на территории Российской Федерации, причем основным подходом к решению данной задачи должно быть резкое сокращение количества комплектующих в персональных и мобильных вычислительных устройствах за счет применения схем "система на кристалле" и организации их массового производства на микроэлектронных производствах высокого технологического уровня. Кроме того, необходимо организовать на территории Российской Федерации массовое производство дешевых жидкокристаллических и других мониторов (например, на базе технологии дешевых гибких рулонных дисплеев).
Общий объем рынка мультимедийных устройств для систем проводной и беспроводной связи может достичь 5 млн. единиц в год, что составляет 3,5 - 7 млрд. рублей в год. Доля электронной компонентной базы в стоимости таких изделий составляет не менее 70 процентов, то есть совокупный объем сбыта электронной компонентной базы в этом сегменте рынка может составить 2,5 - 5 млрд. рублей в год.

Радиоэлектроника и доступное жилье

В ближайшей перспективе планируется значительное сокращение расходов на эксплуатацию и энергообеспечение жилья. Большое значение при этом имеет широкое внедрение приборов, работающих на солнечной энергии, высокоэкономичных твердотельных источников освещения и систем интеллектуального управления объектами в жилых помещениях, оптимизирующих энергопотребление и обеспечивающих постоянный мониторинг всех предметов управления, находящихся в помещении ("интеллектуальный дом").
Кроме того, большое значение имеет решение вопросов, связанных с обеспечением коммунальной инфраструктуры строящегося и модернизируемого жилищного фонда, повышением его качества, оптимизацией использования энергии и совершенствованием учета объема коммунальных услуг (водоснабжение, электроснабжение, теплоснабжение).
Модернизации с применением электронных технологий должны подвергнуться около 20 млн. единиц жилищного фонда страны за 10 лет. При среднем уровне затрат на модернизацию не менее 1,5 - 2 тыс. рублей на единицу жилья общий объем этого сегмента рынка может составить 3 млрд. рублей в год.

Электроника и сельское хозяйство

В области сельского хозяйства электронные технологии должны использоваться для создания производственной основы модернизации сельскохозяйственного машиностроения (в том числе транспортной составляющей, технологического оборудования для животноводства и первичной переработки продукции, новой инженерно-технической базы отрасли), беспроводных сенсорных сетей на основе интеллектуальных датчиков, контролирующих состояние почвы и растительных культур, а также перемещение скота.
Применение указанных технологий в сельском хозяйстве обеспечит резкое снижение затрат за счет рационального использования удобрений, сокращение падежа скота и птицы, а также своевременное предупреждение о распространении среди животных опасных для человека эпидемий.
По экспертным оценкам, объем сегмента рынка унифицированных электронных модулей для сельского хозяйства (модули средств измерений и контроля, датчики и анализаторы физико-технологических параметров пищевых продуктов и режимов их хранения, модули локальной связи и информационно-управляющие модули, модули систем автоматизации и лабораторно-полевого радиоэлектронного оборудования для экспресс-анализа и т.д.) составляет около 20 - 25 млрд. рублей в год, а объем рынка электронной компонентной базы для этих целей - 10 - 16 млрд. рублей в год.
Актуальным сектором рынка является также создание радиоэлектронной инфраструктуры обеспечения безопасности - противопожарных и охранных систем, систем контроля доступа, средств контроля и диагностики, газоанализаторов, систем обнаружения наркотиков, оружия, боеприпасов - расширение и совершенствование информационно-аналитической сети обеспечения безопасности.
Такие сегменты рынка потребителей электронной компонентной базы, как промышленная электроника, энергетическое оборудование, связь, космическая техника, специальная техника, автомобильная электроника, системы безопасности, бытовая техника, торговое оборудование, могут также существенно увеличить загрузку развиваемого микроэлектронного производства.
Следовательно, в России существует реальная, подкрепленная гарантированным рынком государственных закупок возможность создания современного производства изделий радиоэлектронной промышленности с общим объемом сбыта к 2011 году до 250 млрд. рублей в год.
Реализация Программы существенным образом преобразит структуру внутреннего рынка, упрочив позиции отечественных производителей электронной компонентной базы и радиоэлектронной продукции. Выполнение программных мероприятий на основе комплексной модернизации ключевых производств, которая будет осуществляться за счет развития нового технологического уровня (в свою очередь, модернизированные организации будут способны воспринять и освоить новые технологические уровни), обеспечит практическую направленность научно-исследовательских и опытно-конструкторских работ Программы.
Программа направлена на приоритетное развитие основных базовых электронных технологий, обеспечивающих укрепление научно-производственной базы российской электроники, ускоренное развитие автоматизированных систем проектирования электронной компонентной базы и реализацию основных структурных элементов интегрированной многоуровневой системы разработки сложной радиоэлектронной аппаратуры и стратегически важных систем на базе библиотек стандартных элементов, сложнофункциональных блоков, специализированных больших интегральных схем "система на кристалле", прикладного и системного программного обеспечения.
Срок реализации Программы обусловлен необходимостью ее согласования с основными действующими и разрабатываемыми долгосрочными программами социально-экономического развития, а также крупными инвестиционными проектами, реализуемыми в рамках Программы.
Программа подготовлена и будет реализовываться на основе следующих принципов:
комплексность решения наиболее актуальных проблем научно-технического и технологического развития разработки и производства электронной компонентной базы и радиоэлектроники;
сосредоточение основных усилий на развитии критических технологий, разработке и организации выпуска новых серий электронной компонентной базы, унифицированных электронных модулей и базовых несущих конструкций, имеющих межотраслевое значение для повышения технологического уровня и конкурентоспособности российской радиоэлектронной продукции;
адресность инвестиций в отношении проектов, реализуемых в рамках Программы, в сочетании с возможностью маневра бюджетными средствами и их концентрацией на приоритетных направлениях для обеспечения наибольшей эффективности реализуемых мероприятий;
обеспечение эффективного управления реализацией Программы и контроля за целевым использованием выделенных средств;
создание условий для продуктивного сотрудничества государства и частных организаций, обеспечивающих сочетание экономических интересов и соблюдение взаимных обязательств.

II. Основные цель и задачи Программы, срок и этапы
ее реализации, а также целевые индикатор и показатели

Основной целью Программы является развитие научно-технического и производственного базиса для разработки и производства конкурентоспособной наукоемкой электронной и радиоэлектронной продукции в целях решения приоритетных задач социально-экономического развития и обеспечения национальной безопасности Российской Федерации.
Задачи Программы:
обеспечение отечественных радиоэлектронных средств и систем, в первую очередь средств и систем, имеющих в основном стратегическое значение для страны, российской электронной компонентной базой необходимого технического уровня;
разработка базовых промышленных технологий и базовых конструкций радиоэлектронных компонентов и приборов;
техническое перевооружение организаций радиоэлектронной отрасли на основе передовых технологий;
создание научно-технического задела по перспективным технологиям и конструкциям электронных компонентов, унифицированных узлов и блоков радиоэлектронной аппаратуры для обеспечения российской продукции и стратегически значимых систем;
опережающее развитие вертикально интегрированных систем автоматизированного проектирования сложных электронных компонентов, аппаратуры и систем с целью достижения мирового уровня.
В результате реализации Программы предполагается создание современной технологической базы и модернизация промышленного производства электронной компонентной базы, радиоэлектронных блоков и узлов аппаратуры, необходимых для разработки и производства высокотехнологичной наукоемкой продукции мирового уровня в области важнейших технических систем (воздушный, морской и наземный транспорт, ракетно-космическая техника, машиностроительное и энергетическое оборудование, вычислительная техника, системы управления, связи и информатики, медицинская техника, аппаратура для научных исследований, образования и экологического контроля) и обеспечивающих технологические аспекты национальной безопасности государства, увеличение в 2 раза к 2010 году объема национального валового продукта, расширение возможностей для равноправного международного сотрудничества в сфере высоких технологий.
Реализация Программы позволит:
на макроуровне:
увеличить объем продаж изделий российской электронной компонентной базы и изделий радиоэлектроники на внутреннем и внешнем рынках;
значительно сократить технологическое отставание российской радиоэлектронной промышленности от мирового уровня;
обеспечить большие возможности для развития всех отраслей промышленности;
создать условия для более эффективной реализации национальных проектов;
создать ориентированную на рынок инфраструктуру радиоэлектронной промышленности (системоориентированные центры сквозного проектирования электронной компонентной базы, блоков и узлов аппаратуры, специализированные производства, осуществляющие изготовление изделий электронной техники по заказам проектирующих организаций, научно-технологические центры по разработке новых уровней технологий и базовых конструкций, маркетинговые и торговые центры, дилерские сети и т.д.);
активизировать инновационную деятельность и ускорить внедрение результатов научно-технической деятельности в массовое производство;
обеспечить возможность создания вооружения, военной и специальной техники нового поколения, что повысит обороноспособность и безопасность государства;
на микроуровне:
обеспечить обновляемость основных фондов организаций радиоэлектронной промышленности и стимулировать создание современных высокотехнологичных производств;
создать крупные и эффективные диверсифицированные структуры (холдинги, концерны), способные конкурировать с лучшими иностранными фирмами, работающими в области радиоэлектроники;
организовать производство массовой интеллектуально насыщенной и конкурентоспособной высокотехнологичной радиоэлектронной продукции, реализующей современные телекоммуникационные услуги, включая радио и телевидение.
В результате реализации Программы в социально-экономической сфере:
повысится качество жизни населения благодаря интеллектуализации среды обитания и расширению возможности использования радиоэлектроники и информационных систем;
увеличится число рабочих мест в радиоэлектронной промышленности, снизится отток талантливой части научно-технических кадров, повысится спрос на квалифицированные научно-технические кадры, обеспечится привлечение молодых специалистов и ученых и улучшится возрастная структура кадров;
улучшится экологическая ситуация за счет разработки экологически чистых технологий получения и обработки специальных материалов, развития новых радиоэлектронных производств с повышенными требованиями к нейтрализации и утилизации вредных веществ и отходов, создания новых поколений датчиков, сенсоров и приборов контроля вредных и опасных веществ, введения автоматизированных систем контроля и раннего предупреждения техногенных катастроф и аварий.
В бюджетной сфере будет обеспечено увеличение базы налогообложения за счет значительного повышения объема продаж изделий радиоэлектронной промышленности.
Принимая во внимание мировой опыт определения оптимального срока реализации научно-технических программ (4 - 5 лет), Программу предполагается выполнить в 2 этапа:
I этап - 2008 - 2011 годы;
II этап - 2012 - 2015 годы.

Целевые индикатор и показатели реализации Программы

Технический уровень современной электронной компонентной базы будет оцениваться по освоенному в производстве технологическому уровню изделий микроэлектронной техники, который выполняет роль индикатора.
Ожидается, что в 2008 году в организациях микроэлектроники будет освоен технологический уровень 0,18 мкм, что обеспечит создание производственно-технологической базы для выпуска современной электронной компонентной базы, соответствующей потребностям российских производителей аппаратуры и систем. В 2011 году уровень технологии должен достичь 0,09 мкм, а к 2015 году - 0,045 мкм, что существенно сократит отставание российской электроники и радиоэлектроники от мировых показателей.
Основным показателем реализации Программы является увеличение объема продаж конкурентоспособных изделий электронной компонентной базы и радиоэлектронной продукции. Ожидается, что в 2011 году значение этого показателя составит около 130 млрд. рублей, а в 2015 году - 300 млрд. рублей, темпы роста объемов производства будут сопоставимы с мировыми показателями.
Показателем эффективности выполнения программных мероприятий является количество переданных в производство электронных и радиоэлектронных технологий, обеспечивающих конкурентоспособность конечной продукции. К 2011 году их количество будет составлять более 180 технологий, а к 2015 году - не менее 270 технологий. В результате реализации Программы в 35 организациях электронной промышленности Федерального агентства по промышленности будут созданы центры проектирования, а в 89 - осуществлены реконструкция и техническое перевооружение. Также к 2015 году центры проектирования будут созданы в 29 организациях приборостроения и промышленности средств связи Федерального агентства по атомной энергии, Федерального космического агентства и Федерального агентства по образованию, производящих продукцию в интересах радиоэлектронного комплекса, а в 28 - осуществлены реконструкция и техническое перевооружение. Значения индикатора и показателей реализации мероприятий Программы приведены в приложении N 1.

III. Перечень мероприятий Программы

Перечень мероприятий Программы приведен в приложении N 2. Мероприятия структурированы по следующим важнейшим направлениям развития электронной компонентной базы и радиоэлектроники:
сверхвысокочастотная электроника;
радиационно стойкая электронная компонентная база;
микросистемная техника;
микроэлектроника;
электронные материалы и структуры;
группы пассивной электронной компонентной базы;
унифицированные электронные модули и базовые несущие конструкции;
типовые базовые технологические процессы;
развитие технологий создания радиоэлектронных систем и комплексов;
обеспечивающие работы.
В рамках направления "Сверхвысокочастотная электроника" предусмотрены мероприятия по разработке:
технологии производства мощных транзисторов и монолитных сверхвысокочастотных микросхем на основе гетероструктур материалов группы A3B5, приемо-передающих сверхвысокочастотных субмодулей X-диапазона;
базовой технологии производства мощных полупроводниковых приборов и монолитных интегральных систем сверхвысокочастотного диапазона на основе нитридных гетероэпитаксиальных структур;
базовой технологии производства сверхвысокочастотных интегральных схем высокой степени интеграции на основе гетероструктур "кремний - германий";
базовой технологии изготовления сверхвысокочастотных транзисторов и интегральных схем на широкозонных материалах;
базовой технологии изготовления сверхмощных вакуумных сверхвысокочастотных приборов повышенной надежности, эффективности и долговечности;
базовой технологии изготовления вакуумных сверхвысокочастотных приборов нового поколения;
технологии измерений и базовых конструкций установок автоматизированного контроля параметров нелинейных моделей сверхвысокочастотных полупроводниковых структур, мощных транзисторов и монолитных интегральных систем сверхвысокочастотных диапазонов для массового производства;
базовой технологии изготовления мощных вакуумно-твердотельных малогабаритных модулей нового поколения с улучшенными массогабаритными и спектральными характеристиками для перспективных радиоэлектронных систем двойного назначения;
технологии изготовления сверхбыстродействующих приборов (до 150 ГГц) на наногетероструктурах с квантовыми дефектами;
базовой технологии производства портативных фазированных блоков аппаратуры миллиметрового диапазона длин волн на основе магнитоэлектронных, твердотельных и высокоскоростных цифровых приборов и устройств с функциями адаптации и цифрового диаграммообразования.
В рамках Программы получат дальнейшее развитие работы по вакуумной сверхвысокочастотной электронике.
Вакуумная сверхвысокочастотная электроника является единственной областью электроники России, которая до настоящего времени сохранила по ряду направлений лидирующие позиции в мире.
Лидирующие позиции российских организаций в 70 - 90 годы XX века сформировались по 3 направлениям:
многолучевые клистроны;
двухрежимные лампы бегущей волны;
гироприборы миллиметрового диапазона.
Преимущество приборов вакуумной сверхвысокочастотной электронной техники по сравнению с твердотельными сверхвысокочастотными изделиями заключается в возможности получения очень больших уровней мощности, высокой линейности характеристик, устойчивости к работе в условиях радиации, более высоком коэффициенте полезного действия и отсутствии проблем с обеспечением теплоотвода от изделий. Требования по увеличению уровня мощности радиоэлектронных систем растут в связи с разработкой новых систем и технологий радиопротиводействия и электронного поражения, увеличением дальности радиолокационного обнаружения, созданием головок самонаведения и других систем высокоточного оружия. Разрешающая способность систем обнаружения и наведения также непрерывно увеличивается.
Дальнейшее расширение сверхвысокочастотного диапазона и разработка соответствующей радиоэлектронной аппаратуры связаны с созданием в стране электронной компонентной базы с рабочими частотами 40 ГГц и более. Перспективными материалами для создания таких электронных приборов являются широкозонные полупроводники (нитрид галлия и карбид кремния) для мощных сверхвысокочастотных полупроводниковых приборов и гетероструктуры "кремний - германий" для монолитных интегральных схем.
В рамках направления "Радиационно стойкая электронная компонентная база" предусмотрено выполнение мероприятий Программы в целях создания:
базовой технологии изготовления радиационно стойких специализированных больших интегральных схем уровней 0,5 - 0,35 мкм на структурах "кремний на сапфире" и "кремний на изоляторе";
технологии проектирования и изготовления серий логических и аналоговых радиационно стойких приборов на базе структуры "кремний на изоляторе" с проектными нормами до 0,25 - 0,18 мкм;
базовой технологии изготовления радиационно стойких специализированных больших интегральных схем энергонезависимой памяти;
технологии получения структур "кремний на сапфире" и "кремний на изоляторе" для лицензионно-независимых специализированных цифровых сверхбольших интегральных схем, микроконтроллеров и схем интерфейса;
технологии изготовления радиационно стойких силовых приборов.
Предполагается разработать принципиально новую технологию с применением элементов памяти на основе фазовых структурных переходов вещества, нечувствительных к воздействию практически любых видов радиации и обеспечивающих создание универсального типа встроенной памяти для микроконтроллеров и микропроцессоров. При этом резко сократится номенклатура применяемых элементов. Кроме того, будут разработаны качественно новые приборы на основе ультратонкого кремния (32-разрядные микропроцессоры, микроконтроллеры, умножители, базовые матричные кристаллы емкостью до 200 тысяч вентилей, программируемые логические интегральные схемы, функционально ориентированные процессоры, аналоговые, аналого-цифровые и цифроаналоговые специализированные сверхбольшие интегральные схемы).
В рамках направления "Микросистемная техника" предусмотрено выполнение мероприятий в целях:
разработки базовой технологии прецизионного формирования микроэлектромеханических трехмерных структур;
создания системы автоматизированного проектирования микроэлектромеханических интегрированных систем, сенсоров механических и электрических величин, гироскопов, прецизионных акселерометров, включая создание специализированного центра проектирования микроэлектромеханических систем на базе библиотек стандартных элементов;
разработки библиотеки стандартных элементов микроэлектромеханических устройств с использованием пьезоэлектрических материалов и системы автоматизированного проектирования фильтров, резонаторов, пьезоактюаторов, пьезогироскопов, гидроакустических антенн и других приборов;
разработки базовых технологий производства и базовых конструкций микроакустоэлектромеханических, микроаналитических, микрооптоэлектромеханических, радиочастотных микроэлектромеханических систем и микросистем анализа магнитных полей.
Это позволит разработать датчики физических величин, в частности датчики давления, температуры, деформации, крутящего момента, микроперемещений, резонаторов и другие. Будут освоены базовые технологии изготовления микросистем на основе процессов формирования специальных слоистых структур, чувствительных к газовым, химическим и биологическим компонентам внешней среды и способных обнаруживать опасные, токсичные, горючие и взрывчатые вещества.
В рамках направления "Микроэлектроника" предусмотрены следующие мероприятия:
разработка базовых технологий изготовления специализированных больших интегральных схем, в том числе технологии изготовления комплементарных полевых транзисторных структур уровней 0,25, 0,18, 0,13, 0,09, 0,065 мкм, с созданием опытного производства;
разработка технологии изготовления шаблонов с фазовым сдвигом и коррекцией оптического эффекта близости для производства специализированных сверхбольших интегральных схем и организация межотраслевого центра проектирования, изготовления и каталогизации шаблонов;
ускоренное развитие систем проектирования сложных специализированных сверхбольших интегральных схем (включая схемы "система на кристалле"), ориентированных на разработку конкурентоспособных электронных систем мультимедиа, телекоммуникаций, радиолокации, космического мониторинга, цифровых систем обработки и передачи информации, цифрового телевидения и радиовещания, систем управления технологическими процессами и транспортом, безналичного расчета, научного приборостроения и обучения, идентификации, сжатия и кодирования информации, медицинской техники и экологического контроля;
разработка электронной компонентной базы нового поколения, в том числе функционально полной номенклатуры аналоговых и цифровых больших интегральных схем для комплектации и модернизации действующих радиоэлектронных систем и аппаратуры, включая задачи импортозамещения;
разработка сложнофункциональных блоков для обработки, сжатия и передачи информации, сигнальных и цифровых процессоров (в том числе программируемых), микроконтроллеров, цифроаналоговых и аналого-цифровых преобразователей, шин и интерфейсов (драйверов, приемопередатчиков), а также специализированных блоков для телекоммуникации и связи;
разработка комплектов специализированных сверхбольших интегральных схем "система на кристалле" сложностью до 20 - 100 млн. транзисторов для систем цифровой обработки сигналов (цифровое телевидение, радиовещание, широкополосный радиодоступ, космический мониторинг, системы управления и контроля);
разработка приборов силовой электроники, в том числе базовой технологии производства и конструкции тиристоров и мощных транзисторов, силовых ключей на токи до 1500 А и напряжение до 6500 В, а также базовой технологии производства и конструкции силовых микросхем, гибридных силовых приборов тиристорного типа, высоковольтных драйверов управления и интеллектуальных силовых модулей;
создание центров проектирования перспективной электронной компонентной базы, в том числе промышленно ориентированных центров проектирования и испытания электронной компонентной базы в составе отраслевой многоуровневой системы проектирования сложной электронной компонентной базы и аппаратуры (топологического и схемотехнического уровней), системоориентированных базовых центров сквозного проектирования радиоэлектронной аппаратуры на основе функционально сложной электронной компонентной базы и специализированных сверхбольших интегральных схем "система на кристалле", а также развитие системы проектирования сложной радиоэлектронной аппаратуры и стратегически значимых систем, учебных центров проектирования электронной компонентной базы и аппаратуры в целях обучения и подготовки высококвалифицированных специалистов.
Работы, которые будут осуществляться в рамках направления "Электронные материалы и структуры", в первую очередь ориентированы на создание технологий для освоения принципиально новых материалов, применяемых в современной электронной компонентной базе (структуры "кремний на изоляторе", широкозонные полупроводниковые структуры и гетероструктуры, структуры с квантовыми дефектами, композитные, керамические и ленточные материалы, специальные органические материалы). Среди новых разрабатываемых материалов наиболее перспективными являются нитрид галлия, карбид кремния, алмазоподобные пленки и другие.
Предусмотрена разработка новых материалов и структур для микроэлектроники и сверхвысокочастотной электроники, высокоинтенсивных приборов светотехники, лазеров и специальных матричных приемников, керамических материалов для многослойных плат, многокристальных сборок и корпусов электронных приборов, материалов для печатных плат и пленочных технологий, ферритовых и сегнетоэлектрических наноструктурированных материалов, композитов, клеев и герметиков в целях выпуска нового класса радиоэлектронных компонентов и приборов, корпусов и носителей, бессвинцовых сложных композиций для экологически чистой сборки электронной компонентной базы и монтажа радиоэлектронной аппаратуры, высокоэффективных процессов формирования полимерных покрытий, алмазоподобных пленок и наноструктурированных материалов, процессов самоформирования пространственных структур, сложных полупроводниковых материалов нового класса с большой шириной запрещенной зоны для высоковольтной и высокотемпературной электроники (карбид кремния, алмазоподобные материалы, сложные нитридные соединения), полимерных пленочных материалов нового класса, в том числе многослойных и металлизированных, для задач политроники и сборочных процессов массового производства электронной компонентной базы и радиоэлектронной аппаратуры широкого потребления.
В рамках направления "Группы пассивной электронной компонентной базы" (включая приборы оптоэлектроники, квантовой электроники, пьезо- и магнитоэлектроники, отображения информации) предусмотрено выполнение комплекса работ по совершенствованию базовых технологий и конструкций с целью повышения технических характеристик надежности и долговечности.
Приборы светотехники, оптоэлектроники и отображения информации будут совершенствоваться на основе разработки:
технологий производства интегрированных жидкокристаллических и катодолюминесцентных дисплеев двойного назначения со встроенным микроэлектронным управлением и дисплеев на основе светоизлучающих диодов;
технологии производства высокояркостных светодиодов и индикаторов основных цветов свечения для систем индикации и подсветки в приборах нового поколения;
базовой технологии производства и конструкции оптоэлектронных приборов (оптроны, оптореле, светодиоды) в миниатюрных корпусах для поверхностного монтажа;
базовой технологии изготовления высокоэффективных солнечных элементов на базе использования кремния, полученного по бесхлоридной технологии и технологии литого кремния прямоугольного сечения;
технологий получения новых классов органических (полимерных) люминофоров, пленочных транзисторов на основе "прозрачных" материалов, полимерной пленочной основы и технологий изготовления крупноформатных гибких и особо плоских экранов на базе высокоразрешающих процессов струйной печати и непрерывного процесса изготовления типа "с катушки на катушку";
базовых конструкций и технологий производства активных матриц и драйверов плоских экранов на основе полимерных аморфных, поликристаллических, кристаллических кремниевых интегральных структур на различных подложках для создания на их основе перспективных видеомодулей, в том числе органических электролюминесцентных, жидкокристаллических и катодолюминесцентных;
базовой конструкции и технологии производства крупноформатных полноцветных газоразрядных видеомодулей.
Работы, направленные на создание приборов квантовой электроники, будут в основном осуществляться в области разработки:
технологий производства мощных полупроводниковых лазерных диодов (непрерывного и импульсного излучения) при снижении расходимости излучения в 5 раз для создания аппаратуры и систем нового поколения;
технологий производства специализированных лазерных полупроводниковых диодов и лазерных волоконно-оптических модулей;
технологий производства лазерных навигационных приборов, в том числе интегрального оптического модуля лазерного гироскопа на базе сверхмалогабаритных кольцевых полупроводниковых лазеров инфракрасного диапазона, оптоэлектронных компонентов для широкого класса инерциальных лазерных систем управления движением гражданских и специальных средств транспорта;
технологий изготовления полного комплекта электронной компонентной базы для производства лазерного устройства для определения наличия опасных, взрывчатых, отравляющих и наркотических веществ в контролируемом пространстве.
Работы, направленные на создание приборов инфракрасной техники, в основном будут осуществляться в области разработки:
технологии создания фоточувствительных приборов с матричными приемниками высокого разрешения для аппаратуры контроля изображений;
технологии создания унифицированных электронно-оптических преобразователей, микроканальных пластин, пироэлектрических матриц и камер на их основе с чувствительностью до 0,1 К и широкого инфракрасного диапазона;
технологии создания интегрированных гибридных фотоэлектронных высокочувствительных и высокоразрешающих приборов в целях развития системы космического мониторинга и специальных систем наблюдения.
В рамках этого направления предусматривается разработка базовых конструкций и базовой технологии изготовления магнитоэлектрических приборов сверхвысокочастотного диапазона, в том числе:
циркуляторов и фазовращателей, вентилей, высокодобротных резонаторов, перестраиваемых фильтров, микроволновых приборов со спиновым управлением для перспективных радиоэлектронных систем двойного назначения, а также матриц, узлов управления и портативных фазированных блоков аппаратуры миллиметрового диапазона длин волн на основе магнитоэлектронных твердотельных и высокоскоростных цифровых приборов и устройств с функциями адаптации и цифрового диаграммообразования.
Для создания новых классов приборов акустоэлектроники и пьезотехники планируется провести разработку прецизионных температуростабильных высокочастотных (до 2 ГГц) резонаторов на поверхностных акустических волнах, ряда радиочастотных пассивных и активных акустоэлектронных меток-транспондеров, работающих в реальной помеховой обстановке и в условиях множественного доступа, для систем радиочастотной идентификации и систем управления доступом, базовой конструкции и промышленной технологии производства пьезокерамических фильтров в корпусах для поверхностного монтажа, промышленной технологии создания акустоэлектронной компонентной базы для систем мониторинга, телекоммуникации и навигации, базовой технологии производства функциональных законченных устройств стабилизации, селекции частоты и обработки сигналов.
Кроме того, в рамках этого направления Программы для создания нового технического уровня резисторов планируются работы по разработке технологии сверхпрецизионных резисторов, используемых для аппаратуры двойного назначения, технологии особо стабильных и особо точных резисторов широкого диапазона, технологии интегрированных резистивных структур с повышенными технико-эксплуатационными характеристиками на основе микроструктурированных материалов и методов групповой сборки, технологии нелинейных резисторов (варисторов, позисторов, термисторов) в чип-исполнении, технологии автоматизированного производства толстопленочных чип- и микрочип-резисторов.
Для создания новых классов конденсаторов будут проведены работы по изготовлению танталовых оксидно-полупроводниковых и оксидно-электролитических конденсаторов, по разработке технологии производства конденсаторов с органическим диэлектриком и повышенными удельными характеристиками и по организации производства таких конденсаторов.
Для повышения качества коммутаторов и переключателей планируются работы по созданию технологии производства базовых конструкций высоковольтных (быстродействующих, мощных) вакуумных выключателей нового поколения, технологии создания газонаполненных высоковольтных высокочастотных коммутирующих устройств для токовой коммутации цепей с улучшенными техническими характеристиками, технологии изготовления малогабаритных переключателей с повышенными сроками службы для печатного монтажа, а также технологии создания серий герметизированных магнитоуправляемых контактов и переключателей широкого частотного диапазона.
В рамках направления "Унифицированные электронные модули и базовые несущие конструкции" предусматривается разработка базовых технологий производства, системотехнических и конструктивных решений создания унифицированных электронных модулей и базовых несущих конструкций нового поколения, отличающихся более высокой функциональной интеграцией и являющихся основой формирования современной унифицированной радиоэлектронной аппаратуры и систем. Будет осуществлена гармонизация российских нормативных документов с международными стандартами, используемыми ведущими мировыми производителями, что приведет к снижению типажа унифицированных электронных модулей и базовых несущих конструкций и обеспечит создание универсальных продуктовых рядов, а также повышение качества продукции.
Предусматривается разработка технологий создания следующей номенклатуры унифицированных электронных модулей:
вторичные источники питания;
приемо-передающие модули в широком спектральном диапазоне (от ультрафиолетового оптического диапазона до сверхвысокочастотного радиодиапазона);
блоки цифровой обработки информации, в том числе элементы кодирования и декодирования по заданным алгоритмам;
модули отображения информации (табло и экраны стандартных форматов, в том числе плоские телевизионные дисплеи);
модули позиционирования и ориентирования, отсчета единого времени;
модули ввода и вывода данных, аналого-цифрового и цифроаналогового преобразования данных, контроллеров;
модули управления движением (ориентация, стабилизация) и наведением (в инфракрасном, радиочастотном и телеметрическом режимах);
модули управления бортовыми радиотехническими средствами;
модули охранных систем и блоков управления оптико-электронными и лазерными средствами наблюдения, измерения и предупреждения об опасности;
модули контрольно-измерительной радиоэлектронной аппаратуры.
Кроме того, предусматривается разработка базовых конструкторских решений, обеспечивающих наиболее эффективный способ размещения и соединения блоков и узлов, повышение механической прочности, уменьшение габаритных характеристик и оптимизацию тепловых нагрузочных характеристик радиоаппаратуры. Главными условиями разработки базовых конструкций являются требование соответствия действующим мировым стандартам и аналогам, использование магистрально-модульного принципа при создании аппаратуры двойного и гражданского назначения, учет требований информационных технологий поддержки жизненного цикла, обеспечение возможности экспорта аппаратуры с учетом задач импортозамещения и конкурентоспособности по технико-экономическим показателям, обеспечение технической и радиотехнической совместимости с объектами-носителями, использование современных материалов и технологий формообразования.
В рамках направления "Типовые базовые технологические процессы" предусматриваются:
разработка технологии изготовления сверхвысокочастотных полосковых плат с рабочими частотами до 40 ГГц, адаптированных к новой электронной компонентной базе сверхвысокочастотного диапазона;
разработка технологии изготовления многослойных высокоплотных печатных плат, в том числе с прямой металлизацией отверстий;
освоение технологий нанесения новых финишных покрытий (никель-золото, иммерсионное олово), обеспечивающих повышение надежности бессвинцовой пайки компонентов, сборку аппаратуры из электронной компонентной базы в малогабаритных корпусах различного типа, в том числе с матричным расположением выводов;
освоение производства прецизионных печатных плат 5-го класса;
разработка технологии изготовления печатных плат со встроенными пассивными интегрированными компонентами, позволяющей сократить на 20 - 30 процентов трудоемкость сборочных работ;
разработка технологии изготовления термонагруженных печатных плат с большой теплопроводностью и высокими диэлектрическими свойствами;
развитие лазерной технологии изготовления печатных плат;
разработка базовой квазимонолитной технологии монтажа сверхвысокочастотных специализированных приборов с рабочими частотами до 5 - 18 ГГц в сочетании с тонкопленочной технологией высокого уровня;
разработка базовых технологий сборки, монтажа и технологического контроля унифицированных электронных модулей на основе новой компонентной базы, новых технологических и конструкционных материалов, в том числе высокоточное дозирование паст на контактных площадках, высокоточная установка компонентов без необходимости визуального контроля и прямого доступа к паяным контактам;
развитие новых методов присоединения, сварки, пайки, в том числе с применением бессвинцовых припоев;
освоение методов производственного автоматизированного контроля сборки и пайки элементов различного типа;
разработка новых методов маркировки и нанесения меток идентификации.
В рамках направления "Развитие технологий создания радиоэлектронных систем и комплексов" предполагается провести комплекс исследований и разработок по следующим перспективным направлениям развития радиоэлектроники:
базовые технологии создания информационно-управляющих систем и комплексов;
технологии моделирования информационно-управляющих систем, включая системы реального времени;
технологии обработки информации, адаптации, обучения и самообучения;
технологии обеспечения информационной безопасности.
В рамках направления "Обеспечивающие работы" предусмотрено выполнение мероприятий, включающих в себя:
разработку межведомственной информационно-справочной системы и баз данных по библиотекам стандартных элементов, правилам проектирования;
разработку научно обоснованных рекомендаций по дальнейшему развитию электронной компонентной базы и радиоэлектроники, подготовку комплектов документов программно-целевого развития радиоэлектронной техники в интересах обеспечения технологической и информационной безопасности России;
создание и внедрение методической и научно-технической документации по проектированию сложной электронной компонентной базы, унификации электронных модулей и радиоэлектронной аппаратуры, обеспечению надежности и качества продукции, экологической безопасности производства, защите интеллектуальной собственности с учетом обеспечения требований Всемирной торговой организации.

IV. Обоснование ресурсного обеспечения Программы

Расходы на реализацию мероприятий Программы составляют 187000 млн. рублей, в том числе:
за счет средств федерального бюджета - 110000 млн. рублей, из них:
на научно-исследовательские и опытно-конструкторские работы - 66000 млн. рублей;
на капитальные вложения - 44000 млн. рублей;
за счет средств внебюджетных источников - 77000 млн. рублей.
Ресурсное обеспечение Программы предусматривает привлечение средств федерального бюджета и внебюджетных источников.
Объем финансирования научно-исследовательских и опытно-конструкторских работ по всем направлениям Программы за счет внебюджетных источников составляет не менее 33000 млн. рублей.
Средствами внебюджетных источников являются средства организаций - исполнителей работ и привлеченные средства (кредиты банков, заемные средства, средства потенциальных потребителей технологий и средства, полученные от эмиссии акций).
Капитальные вложения направляются на создание и освоение перспективных технологических процессов изготовления электронной компонентной базы и радиоэлектронной аппаратуры, развитие производств нового технологического уровня, обеспечивающих ускоренное наращивание объемов производства конкурентоспособной продукции. Для реализации проектов, связанных с техническим перевооружением, организации привлекают внебюджетные средства в объеме государственных капитальных вложений. Замещение средств внебюджетных источников, привлекаемых для выполнения научно-исследовательских и опытно-конструкторских работ и работ по реконструкции и техническому перевооружению организаций, средствами федерального бюджета не допускается.
Распределение объемов финансирования за счет средств федерального бюджета по государственным заказчикам Программы приведено в приложении N 3.
Объемы финансирования Программы за счет средств федерального бюджета и внебюджетных источников приведены в приложении N 4.

V. Механизм реализации Программы

С учетом сложившейся структуры федеральных органов исполнительной власти и общепромышленного значения выполнения Программы государственным заказчиком - координатором Программы определено Министерство промышленности и энергетики Российской Федерации, а государственными заказчиками - Федеральное агентство по промышленности, Федеральное агентство по атомной энергии, Федеральное космическое агентство, Федеральное агентство по науке и инновациям и Федеральное агентство по образованию.
Управление реализацией Программы, а также контроль за ее выполнением будет осуществлять государственный заказчик Программы - Федеральное агентство по промышленности.
Программа имеет межотраслевой характер и отвечает интересам развития большинства отраслей промышленности, производящих и потребляющих высокотехнологичную наукоемкую продукцию.
Управление реализацией Программы будет осуществляться в соответствии с порядком разработки и реализации федеральных целевых программ и межгосударственных целевых программ, в осуществлении которых участвует Российская Федерация, утвержденным Постановлением Правительства Российской Федерации от 26 июня 1995 г. N 594, и положением об управлении реализацией программ, утверждаемым Министерством промышленности и энергетики Российской Федерации.
Для осуществления контроля за выполнением работ создается научно-технический координационный совет, в состав которого включаются ведущие ученые и специалисты страны в области электронной компонентной базы и радиоэлектроники, представители государственных заказчиков Программы, а также организаций промышленности, использующих разрабатываемые в рамках Программы изделия электронной техники и технологии для создания и производства радиоэлектронных и радиотехнических систем.
Координационный совет будет вырабатывать рекомендации по планируемым научно-исследовательским и опытно-конструкторским работам, а также проводить экспертную оценку инвестиционных проектов.
Для осуществления текущего контроля и анализа хода выполнения работ в рамках Программы, подготовки материалов и рекомендаций по управлению реализацией Программы создается автоматизированная информационно-аналитическая система.
Головные исполнители (исполнители) мероприятий Программы определяются в соответствии с законодательством Российской Федерации.
Головные исполнители в соответствии с государственным контрактом обеспечивают выполнение проектов, необходимых для реализации мероприятий Программы, организуют деятельность соисполнителей.
Федеральное агентство по промышленности, Федеральное космическое агентство, Федеральное агентство по атомной энергии, Федеральное агентство по науке и инновациям и Федеральное агентство по образованию ежегодно представляют в Министерство промышленности и энергетики Российской Федерации отчеты о результатах выполнения работ за прошедший год и предложения по формированию плана работ на следующий год.
Министерство промышленности и энергетики Российской Федерации в установленном порядке представляет в Министерство экономического развития и торговли Российской Федерации и Министерство финансов Российской Федерации отчет о выполнении годовых планов и Программы в целом, подготавливает и согласовывает предложения по финансированию Программы в предстоящем году.

VI. Оценка социально-экономической и экологической
эффективности Программы

За начальный год расчетного периода принимается 1-й год осуществления инвестиций - 2008 год.
Конечным годом расчетного периода считается год полного освоения в серийном производстве разработанной за время реализации Программы продукции на созданных в этот период мощностях.
С учетом того что обновление производственных мощностей осуществляется в течение всего срока реализации Программы и завершается в 2015 году, а нормативный срок освоения введенных мощностей составляет 1,5 - 2 года, конечным годом расчетного периода принят 2017 год.
Экономическая эффективность реализации Программы характеризуется следующими показателями:
налоги, поступающие в бюджет и внебюджетные фонды, - 198577,2 млн. рублей;
чистый дисконтированный доход - 64374,4 млн. рублей;
бюджетный эффект - 125045,9 млн. рублей.
Индекс доходности (рентабельность) составит:
для всех инвестиций - 1,52;
для бюджетных ассигнований - 2,7.
Уровень безубыточности равен 0,68 при норме 0,7, что свидетельствует об эффективности и устойчивости Программы к возможным изменениям условий ее реализации.
Расчет показателей социально-экономической эффективности реализации Программы приведен в приложении N 5. Методика оценки социально-экономической эффективности реализации Программы приведена в приложении N 6.
Социальная эффективность реализации Программы обусловлена количеством создаваемых рабочих мест (6500 - 7000 мест на дату завершения Программы), а также существенным повышением технологического уровня новой электронной компонентной базы, который обеспечит снижение трудовых затрат на создание радиоэлектронной аппаратуры нового класса и систем и улучшение условий труда. Разработка электронной компонентной базы нового класса и изделий радиоэлектроники обеспечит создание широкой номенклатуры аппаратуры и систем для технического обеспечения решения государственных социальных программ.
Экологическая эффективность реализации Программы выражается:
в разработке и освоении экологически чистых технологий производства электронной компонентной базы и изделий радиоэлектроники в процессе их производства;
в создании новых видов химической обработки на базе плазмохимических процессов, позволяющих исключить использование кислот и органических растворителей, а также экологически чистых технологий нанесения электролитических покрытий по замкнутому циклу, утилизации и нейтрализации отходов непосредственно в технологическом цикле;
в применении технологий бессвинцовой сборки и монтажа радиоэлектронной аппаратуры, полупроводниковых приборов и специализированных больших интегрированных схем;
в использовании высокоэффективных методов подготовки чистых сред и сверхчистых реактивов в замкнутых циклах, применении систем экологического мониторинга окружающей территории для производства электронной компонентной базы и изделий радиоэлектроники, кластерных технологических систем обработки структур и приборов в технологических объемах малой величины с непосредственной подачей реагентов контролируемого минимального количества;
в разработке технологий утилизации электронной компонентной базы, радиоэлектронной аппаратуры в рамках развиваемых технологий поддержания жизненного цикла.
Новые виды электронной компонентной базы (высокочувствительные датчики, сенсоры) и радиоэлектронной аппаратуры контроля и охранных систем, а также аппаратура, созданная на их основе, будут использованы при создании более эффективных систем экологического контроля и мониторинга, раннего предупреждения аварий и техногенных катастроф.
Радиоэлектронная промышленность является самой экологически чистой отраслью экономики, и положительные результаты, полученные вследствие улучшения экологической обстановки при совершенствовании производства электронной компонентной базы и изделий радиоэлектроники, могут использоваться в других отраслях (методы ультрафильтрации, технологии улавливания и нейтрализации вредных веществ, обработки по замкнутым циклам, получения сверхчистой воды и сверхчистых реактивов, экологически чистые методы утилизации отработанной аппаратуры).





Приложение N 1
к федеральной целевой программе
"Развитие электронной компонентной
базы и радиоэлектроники"
на 2008 - 2015 годы

ИНДИКАТОР И ПОКАЗАТЕЛИ
РЕАЛИЗАЦИИ МЕРОПРИЯТИЙ ФЕДЕРАЛЬНОЙ ЦЕЛЕВОЙ ПРОГРАММЫ
"РАЗВИТИЕ ЭЛЕКТРОННОЙ КОМПОНЕНТНОЙ БАЗЫ И РАДИОЭЛЕКТРОНИКИ"
НА 2008 - 2015 ГОДЫ

----------------------------------T-------------T----------T-----------T---------T----------T----------T-----------
¦ Единица ¦ 2007 год ¦ 2008 год ¦2009 год ¦ 2010 год ¦ 2011 год ¦ 2015 год
¦ измерения ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦
----------------------------------+-------------+----------+-----------+---------+----------+----------+-----------
Индикатор

Достигаемый технологический мкм 0,18 0,18 0,13 0,13 0,1 - 0,09 0,045
уровень электроники

Показатели

Увеличение объемов продаж млрд. рублей 19 58 70 95 130 300
изделий электронной и
радиоэлектронной техники

Количество разработанных - 3 - 5 16 - 20 80 - 90 125 - 135 179 - 185 260 - 270
базовых технологий в области
электронной компонентной базы и
радиоэлектроники (нарастающим
итогом)

Количество завершенных и - - 6 8 14 27 35
разрабатываемых проектов
базовых центров проектирования
функционально сложной
электронной компонентной базы в
организациях электронной
промышленности Роспрома, в том
числе сверхбольших интегральных
схем "система на кристалле"
(нарастающим итогом)

Количество объектов - - 2 2 2 4 7
реконструкции и технического
перевооружения производств для
создания базовых центров
системного проектирования в
организациях приборостроения и
промышленности средств связи
Роспрома (нарастающим итогом)

Количество объектов - - - - - 1 4
реконструкции и технического
перевооружения производств для
создания базовых центров
системного проектирования в
организациях Росатома,
производящих продукцию в
интересах радиоэлектронного
комплекса (нарастающим итогом)

Количество объектов - - - - - - 11
реконструкции и технического
перевооружения производств для
создания базовых центров
системного проектирования в
организациях Роскосмоса,
производящих продукцию в
интересах радиоэлектронного
комплекса (нарастающим итогом)

Количество объектов - - 1 1 2 2 7
реконструкции и технического
перевооружения производств для
создания базовых центров
системного проектирования в
организациях Рособразования,
производящих продукцию в
интересах радиоэлектронного
комплекса (нарастающим итогом)

Количество объектов - 1 1 5 10 23 89
технологического перевооружения
электронных производств на
основе передовых технологий в
организациях электронной
промышленности (нарастающим
итогом)

Количество объектов - - - - - - 11
реконструкции и технического
перевооружения радиоэлектронных
производств в организациях
приборостроения и
промышленности средств связи
Роспрома (нарастающим итогом)

Количество объектов - - - - - 1 9
реконструкции и технического
перевооружения радиоэлектронных
производств в организациях
Росатома, производящих
продукцию в интересах
радиоэлектронного комплекса
(нарастающим итогом)

Количество объектов - - - - - - 8
реконструкции и технического
перевооружения радиоэлектронных
производств в организациях
Роскосмоса, производящих
продукцию в интересах
радиоэлектронного комплекса
(нарастающим итогом)

Количество завершенных - 1 3 9 15 - 17 18 - 21 32 - 37
поисковых технологических
научно-исследовательских работ
(нарастающим итогом)

Количество реализованных - 4 11 - 12 16 - 20 22 - 25 36 - 40 55 - 60
мероприятий по созданию
электронной компонентной базы,
соответствующей мировому уровню
(типов, классов новой
электронной компонентной базы)
(нарастающим итогом)

Количество создаваемых рабочих - 450 1020 - 1800 - 3000 - 3800 - 5000 -
мест (нарастающим итогом) 1050 2200 3800 4100 6000
-------------------------------------------------------------------------------------------------------------------





Приложение N 2
к федеральной целевой программе
"Развитие электронной компонентной
базы и радиоэлектроники"
на 2008 - 2015 годы

ПЕРЕЧЕНЬ
МЕРОПРИЯТИЙ ФЕДЕРАЛЬНОЙ ЦЕЛЕВОЙ ПРОГРАММЫ "РАЗВИТИЕ
ЭЛЕКТРОННОЙ КОМПОНЕНТНОЙ БАЗЫ И РАДИОЭЛЕКТРОНИКИ"
НА 2008 - 2015 ГОДЫ

(млн. рублей, в ценах соответствующих лет)
--------------------------------T-------------T--------------------------------------T------------------------------------------
Мероприятия ¦ 2008 - 2015 ¦ В том числе ¦ Ожидаемые результаты
¦годы - всего +-----T------T------T------T-----------+
¦ ¦2008 ¦ 2009 ¦ 2010 ¦ 2011 ¦2012 - 2015¦
¦ ¦ год ¦ год ¦ год ¦ год ¦ годы ¦
--------------------------------+-------------+-----+------+------+------+-----------+------------------------------------------
I. Научно-исследовательские и опытно-конструкторские работы

Направление 1. Сверхвысокочастотная электроника


1. Разработка технологии 207 147 60 создание базовой технологии производства
производства мощных --- --- --- мощных сверхвысокочастотных транзисторов
сверхвысокочастотных 138 98 40 на основе гетероструктур материалов
транзисторов на основе группы A B для бортовой и наземной
гетероструктур материалов 3 5
группы A B аппаратуры (2009 год), разработка
3 5 комплектов документации в стандартах
единой системы конструкторской,
технологической и производственной
документации, ввод в эксплуатацию
производственной линии

2. Разработка базовой 265 60 120 85 создание базовой технологии производства
технологии производства --- -- --- -- монолитных сверхвысокочастотных микросхем
монолитных 175 40 79 56 и объемных приемо-передающих
сверхвысокочастотных сверхвысокочастотных субмодулей X-
микросхем и объемных диапазона на основе гетероструктур
приемо-передающих материалов группы A B для бортовой и
сверхвысокочастотных 3 5
субмодулей X-диапазона наземной аппаратуры радиолокации, средств
связи (2011 год), разработка комплектов
документации в стандартах единой системы
конструкторской, производственной
документации, ввод в эксплуатацию
производственной линии

3. Разработка базовой 314 214 100 создание технологии производства мощных
технологии производства --- --- --- транзисторов сверхвысокочастотного
мощных сверх- 210 143 67 диапазона на основе нитридных
высокочастотных гетероэпитаксиальных структур для техники
полупроводниковых приборов связи, радиолокации (2009 год)
на основе нитридных
гетеро-эпитаксиальных
структур

4. Разработка базовой 770 136 337 297 создание технологии производства на
технологии и библиотеки --- --- --- --- основе нитридных гетероэпитаксиальных
элементов для 512 90 225 197 структур мощных сверхвысокочастотных
проектирования и монолитных интегральных схем с рабочими
производства монолитных частотами до 20 ГГц для техники связи,
интегральных схем радиолокации (2011 год), разработка
сверхвысокочастотного комплектов документации в стандартах
диапазона на основе единой системы конструкторской,
нитридных технологической и производственной
гетероэпитаксиальных документации, ввод в эксплуатацию
структур производственной линии

5. Разработка базовой 237 166 71 создание базовой технологии производства
технологии производства --- --- -- компонентов для сверхвысокочастотных
сверхвысокочастотных 151 111 40 интегральных схем диапазона 2 - 12 ГГц с
компонентов и высокой степенью интеграции для
сложнофункциональных аппаратуры радиолокации и связи бортового
блоков для и наземного применения, а также бытовой и
сверхвысокочастотных автомобильной электроники (2009 год),
интегральных схем высокой разработка комплектов документации в
степени интеграции на стандартах единой системы
основе гетероструктур конструкторской, технологической и
"кремний - германий" производственной документации, ввод в
эксплуатацию производственной линии

6. Разработка базовой 532 100 246 186 создание базовой технологии производства
технологии производства --- --- --- --- сверхвысокочастотных интегральных схем
сверхвысокочастотных 352 64 164 124 диапазона 2 - 12 ГГц с высокой степенью
интегральных схем высокой интеграции для аппаратуры радиолокации и
степени интеграции на связи бортового и наземного применения, а
основе гетероструктур также бытовой и автомобильной электроники
"кремний - германий" (2011 год), разработка комплектов
документации в стандартах единой системы
конструкторской, технологической и
производственной документации, ввод в
эксплуатацию производственной линии

7. Разработка аттестованных 111 76 35 разработка аттестованных библиотек
библиотек --- --- -- сложнофункциональных блоков для
сложнофункциональных 81 51 30 проектирования широкого спектра
блоков для проектирования сверхвысокочастотных интегральных схем на
сверхвысокочастотных и SiGe с рабочими частотами до 150 ГГц,
радиочастотных разработка комплектов документации в
интегральных стандартах единой системы
схем на основе конструкторской, технологической и
гетероструктур "кремний - производственной документации,
германий" ввод в эксплуатацию производственной
линии

8. Разработка базовых 207 40 100 67 создание базовых технологий
технологий проектирования --- -- --- -- проектирования на основе библиотеки
кремний-германиевых 142 30 67 45 сложнофункциональных блоков широкого
сверхвысокочастотных и спектра сверхвысокочастотных интегральных
радиочастотных схем на SiGe с рабочими частотами до 150
интегральных схем на ГГц (2011 год), разработка комплектов
основе аттестованной документации в стандартах единой системы
библиотеки конструкторской, технологической и
сложнофункциональных производственной документации, ввод в
блоков эксплуатацию производственной линии

9. Разработка базовых 120 60 60 создание базовых технологий производства
технологий производства --- -- -- элементной базы для высокоплотных
элементной базы для ряда 80 40 40 источников вторичного электропитания
силовых герметичных сверхвысокочастотных приборов и узлов
модулей высокоплотных аппаратуры (2009 год), разработка
источников вторичного комплектов документации в стандартах
электропитания вакуумных и единой системы конструкторской,
твердотельных технологической и производственной
сверхвысокочастотных документации, ввод в эксплуатацию
приборов и узлов производственной линии
аппаратуры

10. Разработка базовых 153 89 64 создание базовых конструкций и
технологий производства --- -- -- технологии производства
ряда силовых герметичных 102 60 42 высокоэффективных, высокоплотных
модулей высокоплотных источников вторичного электропитания
источников вторичного сверхвысокочастотных приборов и узлов
электропитания вакуумных аппаратуры на основе гибридно-пленочной
и твердотельных технологии с применением бескорпусной
сверхвысокочастотных элементной базы (2011 год), разработка
приборов и узлов комплектов документации в стандартах
аппаратуры единой системы конструкторской,
технологической и производственной
документации, ввод в эксплуатацию
производственной линии

11. Разработка базовых 124 74 50 создание технологии массового
конструкций и технологии --- -- -- производства ряда корпусов мощных
производства корпусов 85 52 33 сверхвысокочастотных приборов для
мощных "бессвинцовой" сборки (2009 год),
сверхвысокочастотных разработка комплектов документации в
транзисторов X-, C-, S-, стандартах единой системы
L- и P-диапазонов из конструкторской, технологической и
малотоксичных материалов с производственной документации, ввод в
высокой теплопроводностью эксплуатацию производственной линии

12. Разработка базовых 150 45 60 45 создание базовых конструктивных рядов
конструкций --- -- -- -- элементов систем охлаждения аппаратуры
теплоотводящих элементов 97 30 40 27 X- и C-диапазонов наземных, корабельных
систем охлаждения и воздушно-космических комплексов
сверхвысокочастотных
приборов X- и C-
диапазонов на основе
новых материалов

13. Разработка базовой 93 60 33 создание технологии массового
технологии производства -- -- -- производства конструктивного ряда
теплоотводящих элементов 62 32 30 элементов систем охлаждения аппаратуры
систем охлаждения X- и C-диапазонов наземных, корабельных
сверхвысокочастотных и воздушно-космических комплексов (2011
приборов X- и C- год), разработка комплектов документации
диапазонов на основе в стандартах единой системы
новых материалов конструкторской, технологической и
производственной документации, ввод в
эксплуатацию производственной линии

14. Разработка базовых 96 53 43 создание технологии массового
технологий производства -- -- -- производства конструктивного ряда
суперлинейных кремниевых 62 35 27 сверхвысокочастотных транзисторов S- и
сверхвысокочастотных L-диапазонов для техники связи, локации
транзисторов S- и L- и контрольной аппаратуры (2009 год),
диапазонов разработка комплектов документации в
стандартах единой системы
конструкторской, технологической и
производственной документации, ввод в
эксплуатацию производственной линии

15. Разработка конструктивно- 170 95 75 создание конструктивно-параметрического
параметрического ряда --- -- -- ряда сверхвысокочастотных транзисторов
суперлинейных 116 70 46 S- и L-диапазонов для техники связи,
кремниевых локации и контрольной аппаратуры,
сверхвысокочастотных разработка комплектов документации в
транзисторов S- и L- стандартах единой системы
диапазонов конструкторской, технологической и
производственной документации, ввод в
эксплуатацию производственной линии

16. Разработка технологии 87 45 42 разработка метрологической аппаратуры
измерений и базовых -- -- -- нового поколения для исследования и
конструкций установок 57 27 30 контроля параметров полупроводниковых
автоматизированного структур, активных элементов и
измерения параметров сверхвысокочастотных монолитных
нелинейных моделей интегральных схем в производстве и при
сверхвысокочастотных их использовании
полупроводниковых
структур, мощных
транзисторов и
сверхвысокочастотных
монолитных интегральных
схем X-, C-, S-, L- и
P-диапазонов для их
массового производства

17. Исследование и разработка 104 54 50 создание технологии унифицированных
базовых технологий для --- -- -- сверхширокополосных приборов среднего и
создания нового поколения 69 36 33 большого уровня мощности сантиметрового
мощных вакуумно- диапазона длин волн и
твердотельных сверхвысокочастотных
сверхвысокочастотных магнитоэлектрических приборов для
приборов и гибридных перспективных радиоэлектронных систем и
малогабаритных аппаратуры связи космического
сверхвысокочастотных базирования (2009 год), разработка
модулей с улучшенными комплектов документации в стандартах
массогабаритными единой системы конструкторской,
характеристиками, технологической и производственной
магнитоэлектрических документации, ввод в эксплуатацию
приборов производственной линии
сверхвысокочастотного
диапазона, в том числе
циркуляторов и
фазовращателей, вентилей,
высокодобротных
резонаторов,
перестраиваемых фильтров,
микроволновых приборов со
спиновым управлением для
перспективных
радиоэлектронных систем
двойного назначения

18. Разработка базовых 141 89 52 разработка конструктивных рядов и
конструкций и технологии --- -- -- базовых технологий производства
производства нового 95 60 35 сверхширокополосных приборов среднего и
поколения мощных большого уровня мощности сантиметрового
вакуумно-твердотельных диапазона длин волн и
сверхвысокочастотных сверхвысокочастотных
приборов и гибридных магнитоэлектрических приборов для
малогабаритных перспективных радиоэлектронных систем и
сверхвысокочастотных аппаратуры связи космического
модулей с улучшенными базирования (2011 год), разработка
массогабаритными комплектов документации в стандартах
характеристиками, единой системы конструкторской,
магнитоэлектрических технологической и производственной
приборов документации, ввод в эксплуатацию
сверхвысокочастотного производственной линии
диапазона, в том числе
циркуляторов и
фазовращателей, вентилей,
высокодобротных
резонаторов,
перестраиваемых фильтров,
микроволновых приборов со
спиновым управлением для
перспективных
радиоэлектронных систем
двойного назначения

19. Исследование и разработка 85 45 40 создание технологических процессов
процессов и базовых -- -- -- производства нанопленочных
технологий нанопленочных 57 30 27 малогабаритных сверхвысокочастотных
малогабаритных резисторно-индуктивно-емкостных матриц
сверхвысокочастотных многофункционального назначения для
резисторно-индуктивно- печатного монтажа (2008 год), создание
емкостных матриц базовой технологии получения
многофункционального сверхбыстродействующих (до 150 ГГц)
назначения для печатного приборов на наногетероструктурах с
монтажа и квантовыми эффектами (2009 год),
сверхбыстродействующих разработка комплектов документации в
(до 150 ГГц) приборов на стандартах единой системы
наногетероструктурах с конструкторской, технологической и
квантовыми дефектами производственной документации,
ввод в эксплуатацию производственной
линии

20. Разработка базовых 85 45 40 создание конструктивных рядов и базовых
конструкций и технологии -- -- -- технологий производства нанопленочных
производства 57 30 27 малогабаритных сверхвысокочастотных
нанопленочных резисторно-индуктивно-емкостных матриц
малогабаритных многофункционального назначения для
сверхвысокочастотных печатного монтажа (2011 год), разработка
резисторно-индуктивно- комплектов документации в стандартах
емкостных матриц единой системы конструкторской,
многофункционального технологической и производственной
назначения для печатного документации, ввод в эксплуатацию
монтажа производственной линии

21. Разработка базовой 156 86 70 создание базовой технологии производства
технологии --- -- -- элементов и специальных элементов и
сверхвысокочастотных p-i- 104 57 47 блоков портативной аппаратуры
n диодов, матриц, узлов миллиметрового диапазона длин волн для
управления и портативных нового поколения средств связи,
фазированных блоков радиолокационных станций,
аппаратуры миллиметрового радионавигации, измерительной техники,
диапазона длин волн на автомобильных радаров, охранных и
основе магнитоэлектронных сигнальных устройств (2009 год),
твердотельных и разработка комплектов документации в
высокоскоростных цифровых стандартах единой системы
приборов и устройств с конструкторской, технологической и
функциями адаптации и производственной документации, ввод в
цифрового эксплуатацию производственной линии
диаграммообразования

22. Разработка базовых 2670 375 420 450 525 900 создание конструктивных рядов и базовых
технологий создания ---- --- --- --- --- --- технологий проектирования и производства
мощных вакуумных 1780 250 280 300 350 600 мощных и сверхмощных вакуумных
сверхвысокочастотных сверхвысокочастотных приборов для
устройств аппаратуры широкого назначения нового
поколения (2009 год, 2011 год), включая
разработку:
конструкций многолучевых
электронно-оптических систем, включая
автоэмиссионные катоды повышенной
мощности и долговечности (2012 год);
мощных широкополосных ламп бегущей
волны импульсного и непрерывного
действия, магнетронов, тетродов
миллиметрового диапазона (2013 год);
малогабаритных ускорителей
электронов с энергией до 10 МЭВ для
терапевтических и технических приложений
(2014 год)

23. Разработка базовых 1785 150 300 300 135 900 создание базовых конструкций и
технологий создания ---- --- --- --- --- --- технологий изготовления
мощных твердотельных 1190 100 200 200 90 600 сверхвысокочастотных мощных приборов на
сверхвысокочастотных структурах с использованием нитрида
устройств на базе нитрида галлия (2008 год, 2010 год), включая:
галлия создание гетеропереходных полевых
транзисторов с диодом Шоттки с удельной
мощностью до 30 - 40 Вт/мм и рабочими
напряжениями до 100 В;
исследования и разработку
технологий получения гетероструктур на
основе слоев нитрида галлия на изоляторе
и высокоомных подложках (2013 год);
разработка технологии получения
интегральных схем, работающих в
экстремальных условиях (2015 год)

24. Исследование 1080 1080 исследование технологических принципов
перспективных типов ---- ---- формирования перспективных
сверхвысокочастотных 720 720 сверхвысокочастотных приборов и
приборов и структур, структур, включая создание
разработка наногетероструктур, использование
технологических принципов комбинированных (электронных и
их изготовления оптических методов передачи и
преобразования сигналов), определение
перспективных методов формирования
приборных структур, работающих в
частотных диапазонах до 200 ГГц

25. Разработка перспективных 1050 1050 создание полного состава прикладных
методов проектирования и ---- ---- программ проектирования и оптимизации
моделирования 700 700 сверхвысокочастотной электронной
сложнофункциональной компонентной базы, включая
сверхвысокочастотной проектирование активных приборов,
электронной компонентной полосковых линий передачи, согласующих
базы компонентов, формируемых в едином
технологическом процессе

Всего по направлению 1 10791 1545 1722 1930,5 1603,5 3930
---- ---- ---- ------ ------ ----
7194 1030 1148 1327 1069 2620

Направление 2. Радиационно стойкая электронная компонентная база

26. Разработка базовой 151 71 80 создание технологии изготовления
технологии радиационно ----- ---- ---- микросхем с размерами элементов 0,5 мкм
стойких сверхбольших 100,8 47,4 53,4 на структурах "кремний на сапфире"
интегральных схем уровня диаметром 150 мм (2009 год), разработка
0,5 мкм на структурах правил проектирования базовых библиотек
"кремний на сапфире" элементов и блоков цифровых и аналоговых
диаметром 150 мм сверхбольших интегральных схем
расширенной номенклатуры для организации
производства радиационно стойкой
элементной базы, обеспечивающей выпуск
специальной аппаратуры и систем,
работающих в экстремальных условиях
(атомная энергетика, космос, военная
техника)

27. Разработка базовой 315,4 59,4 256 создание технологии изготовления
технологии радиационно ----- ---- ----- микросхем с размерами элементов
стойких сверхбольших 210,3 39,6 170,7 0,35 мкм на структурах "кремний на
интегральных схем уровня сапфире" диаметром 150 мм (2011 год),
0,35 мкм на структурах разработка правил проектирования базовых
"кремний на сапфире" библиотек элементов и блоков цифровых и
диаметром 150 мм аналоговых сверхбольших интегральных
схем, обеспечивающих создание расширенной
номенклатуры быстродействующей и
высокоинтегрированной радиационно стойкой
элементной базы

28. Разработка технологии 155 71 84 создание технологического базиса
проектирования и ----- ---- -- (технология проектирования, базовые
конструктивно- 103,4 47,4 56 технологии), позволяющего разрабатывать
технологических решений радиационно стойкие сверхбольшие
библиотеки логических и интегральные схемы на структурах
аналоговых элементов, "кремний на изоляторе" с проектной
оперативных запоминающих нормой до 0,25 мкм (2009 год)
устройств, постоянных
запоминающих устройств,
сложнофункциональных
радиационно стойких
блоков контроллеров по
технологии "кремний на
изоляторе" с проектными
нормами до 0,25 мкм

29. Разработка технологии 360,1 81,5 278,6 создание технологического базиса
проектирования и ----- ---- ----- (технология проектирования, базовые
конструктивно- 240 54,3 185,7 технологии), позволяющего разрабатывать
технологических решений радиационно стойкие сверхбольшие
библиотеки логических и интегральные схемы на структурах
аналоговых элементов, "кремний на изоляторе" с проектной
оперативных запоминающих нормой до 0,18 мкм
устройств, постоянных
запоминающих устройств,
сложнофункциональных
радиационно стойких
блоков контроллеров по
технологии "кремний на
изоляторе" с проектными
нормами до 0,18 мкм

30. Разработка базовых 174 98 76 создание технологического процесса
технологических процессов --- ---- ---- изготовления сверхбольших интегральных
изготовления радиационно 116 65,3 50,7 схем энергонезависимой, радиационно
стойкой элементной базы стойкой сегнетоэлектрической памяти
для сверхбольших уровня 0,35 мкм и базовой технологии
интегральных схем создания, изготовления и аттестации
энергозависимой радиационно стойкой пассивной
пьезоэлектрической и электронной компонентной базы (2009 год)
магниторезистивной памяти
с проектными нормами 0,35
мкм и пассивной
радиационно стойкой
элементной базы

31. Разработка базовых 261 56 205 создание технологического процесса
технологических процессов ----- ---- ----- изготовления сверхбольших интегральных
изготовления радиационно 174,2 37,3 136,9 схем энергонезависимой радиационно
стойкой элементной базы стойкой сегнетоэлектрической памяти
для сверхбольших уровня 0,18 мкм (2010 год) и создания,
интегральных схем изготовления и аттестации радиационно
энергозависимой стойкой пассивной электронной
пьезоэлектрической и компонентной базы (2011 год)
магниторезистивной памяти
с проектными нормами 0,18
мкм и пассивной
радиационно стойкой
элементной базы

32. Разработка технологии 140,8 83,2 57,6 разработка расширенного ряда цифровых
"кремний на сапфире" ----- ---- ---- процессоров, микроконтроллеров,
изготовления ряда 93,9 55,4 38,5 оперативных запоминающих программируемых
лицензионно-независимых и перепрограммируемых устройств,
радиационно стойких аналого-цифровых преобразователей в
комплементарных полевых радиационно стойком исполнении для
полупроводниковых создания специальной аппаратуры нового
сверхбольших интегральных поколения
схем цифровых процессоров
обработки сигналов,
микроконтроллеров и схем
интерфейса

33. Разработка технологии 374 74,5 299,5 создание технологии проектирования и
структур с ультратонким ----- ---- ----- изготовления микросхем и
слоем кремния на сапфире 249,5 49,8 199,7 сложнофункциональных блоков на основе
ультратонких слоев на структуре "кремний
на сапфире", позволяющей разрабатывать
радиационно стойкие сверхбольшие
интегральные схемы с высоким уровнем
радиационной стойкости (2011 год)

34. Разработка базовой 152,6 80,6 72 разработка конструкции и модели
технологии и приборно- ----- ---- -- интегральных элементов и
технологического базиса 98,4 50,4 48 технологического маршрута изготовления
производства радиационно радиационно стойких сверхбольших
стойких сверхбольших интегральных схем типа "система на
интегральных схем кристалле" с расширенным температурным
"система на кристалле", диапазоном, силовых транзисторов и
радиационно стойкой модулей для бортовых и промышленных
силовой электроники для систем управления с пробивными
аппаратуры питания и напряжениями до 75 В и рабочими токами
управления коммутации до 10 А (2009 год)

35. Разработка элементной 81,2 33,2 48 создание ряда микронанотриодов и
базы радиационно стойких ---- ---- -- микронанодиодов с наивысшей радиационной
интегральных схем на 57,5 25,5 32 стойкостью для долговечной аппаратуры
основе полевых космического базирования
эмиссионных
микронанотриодов

36. Создание информационной 251 61,1 189,9 разработка комплекса моделей расчета
базы радиационно стойкой ----- ---- ----- радиационной стойкости электронной
электронной компонентной 167,3 40,7 126,6 компонентной базы для определения
базы, содержащей модели технически обоснованных норм испытаний
интегральных компонентов,
функционирующих в
условиях радиационных
воздействий, создание
математических моделей
стойкости электронной
компонентной базы,
создание методик
испытаний и аттестации
электронной компонентной
базы

37. Разработка библиотек 975 975 создание технологии проектирования и
стандартных элементов и --- --- изготовления микросхем и
сложнофункциональных 650 650 сложнофункциональных блоков на основе
блоков для создания ультратонких слоев на структуре "кремний
радиационно стойких на сапфире", позволяющей разрабатывать
сверхбольших интегральных радиационно стойкие сверхбольшие
схем интегральные схемы с высоким уровнем
радиационной стойкости (2012 год, 2015
год)

38. Разработка расширенного 975 975 разработка расширенного ряда цифровых
ряда радиационно стойких --- --- процессоров, микроконтроллеров,
сверхбольших интегральных 600 600 оперативных запоминающих программируемых
схем для специальной и перепрограммируемых устройств,
аппаратуры связи, аналого-цифровых преобразователей в
обработки и передачи радиационно стойком исполнении для
информации, систем создания специальной аппаратуры нового
управления поколения, разработка конструкции и
модели интегральных элементов и
технологического маршрута изготовления
радиационно стойких сверхбольших
интегральных схем типа "система на
кристалле" с расширенным температурным
диапазоном, силовых транзисторов и
модулей для бортовых и промышленных
систем управления с пробивными
напряжениями до 75 В и рабочими токами
коммутации до 10 А, создание ряда
микронанотриодов и микронанотриодов с
наивысшей радиационной стойкостью для
долговечной аппаратуры космического
базирования

39. Разработка и 951 951 разработка комплекса моделей расчета
совершенствование методов --- --- радиационной стойкости электронной
моделирования и 634 634 компонентной базы для определения
проектирования технически обоснованных норм испытаний
радиационно стойкой
элементной базы

40. Разработка и 975 975 создание технологического базиса
совершенствование базовых --- --- (технология проектирования, базовые
технологий и конструкций 650 650 технологии), позволяющего разрабатывать
радиационно стойких радиационно стойкие сверхбольшие
сверхбольших интегральных интегральные схемы на структурах "кремний
схем на структурах на изоляторе" с проектной нормой не менее
"кремний на сапфире" и 0,18 мкм (2014 год), создание
"кремний на изоляторе" с технологического базиса (технология
топологическими нормами проектирования, базовые технологии),
не менее 0,18 мкм позволяющего разрабатывать радиационно
стойкие сверхбольшие интегральные схемы
на структурах "кремний на изоляторе" с
проектной нормой не менее 0,18 мкм (2015
год)

Всего 6293 437,1 417,6 332,5 1229,4 3876
по направлению 2 ------ ----- ----- ----- ------ ----
4195,3 291,4 278,6 221,7 819,6 2584

Направление 3. Микросистемная техника

41. Разработка базовых 209 112 97 создание базовых технологий (2009 год) и
технологий микро- --- --- -- комплектов технологической документации
электромеханических 105 75 30 на изготовление микроэлектромеханических
систем систем контроля давления,
микроакселерометров с чувствительностью
по двум и трем осям, микромеханических
датчиков угловых скоростей,
микроактюаторов

42. Разработка базовых 424 75 228 121 разработка базовых конструкций и
конструкций --- -- --- --- комплектов необходимой конструкторской
микроэлектромеханических 277 60 141 76 документации на изготовление
систем чувствительных элементов и микросистем
контроля давления, микроакселерометров,
микромеханических датчиков угловых
скоростей, микроактюаторов с напряжением
управления, предназначенных для
использования в транспортных средствах,
оборудовании
топливно-энергетического комплекса,
машиностроении, медицинской технике,
робототехнике, бытовой технике

43. Разработка базовых 155 110 45 создание базовых технологий
технологий микроакусто- --- --- -- (2009 год) и комплектов необходимой
электромеханических систем 100 70 30 технологической документации на
изготовление
микроакустоэлектромеханических систем,
основанных на использовании поверхностных
акустических волн (диапазон частот до 2
ГГц) и объемно-акустических волн
(диапазон частот до 8 ГГц),
пьезокерамических элементов, совместимых
с интегральной технологией
микроэлектроники

44. Разработка базовых 418 71 225 122 разработка базовых конструкций и
конструкций --- -- -- -- комплектов необходимой конструкторской
микроакустоэлектро- 280 60 143 77 документации на изготовление пассивных
механических систем датчиков физических величин -
микроакселерометров, микрогироскопов на
поверхностных акустических волнах,
датчиков давления и температуры, датчиков
деформации, крутящего момента и
микроперемещений, резонаторов

45. Разработка базовых 55 55 создание базовых технологий изготовления
технологий -- -- элементов микроаналитических систем,
микроаналитических систем 38 38 чувствительных к газовым, химическим и
биологическим компонентам внешней среды,
предназначенных для использования в
аппаратуре жилищно-коммунального
хозяйства, в медицинской и биомедицинской
технике для обнаружения токсичных,
горючих и взрывчатых материалов

46. Разработка базовых 224 64 102 58 создание базовых конструкций
конструкций --- -- --- -- микроаналитических систем,
микроаналитических систем 164 30 86 48 предназначенных для аппаратуры жилищно-
коммунального хозяйства, медицинской и
биомедицинской техники;
разработка датчиков и аналитических
систем миниатюрных размеров с высокой
чувствительностью к сверхмалым
концентрациям химических веществ для
осуществления мониторинга окружающей
среды, контроля качества пищевых
продуктов и контроля утечек опасных и
вредных веществ в технологических
процессах

47. Разработка базовых 94 59 35 создание базовых технологий выпуска
технологий микро- -- -- -- трехмерных оптических и акустооптических
оптоэлектромеханических 71 41 30 функциональных элементов,
систем микрооптоэлектромеханических систем для
коммутации и модуляции оптического
излучения, акустооптических
перестраиваемых фильтров, двухмерных
управляемых матриц микрозеркал
микропереключателей и фазовращателей
(2009 год)

48. Разработка базовых 208 35 112 61 разработка базовых конструкций и
конструкций микро- --- -- --- -- комплектов, конструкторской документации
оптоэлектромеханических 145 30 75 40 на изготовление
систем микрооптоэлектромеханических систем
коммутации и модуляции оптического
излучения

49. Разработка базовых 55 55 создание базовых технологий изготовления
технологий микросистем -- -- микросистем анализа магнитных полей на
анализа магнитных полей 38 38 основе анизотропного и гигантского
магниторезистивного эффектов,
квазимонолитных и монолитных
гетеромагнитных пленочных структур (2008
год)

50. Разработка базовых 214 54 104 56 разработка базовых конструкций и
конструкций микросистем --- -- --- -- комплектов конструкторской документации
анализа магнитных полей 137 30 69 38 на магниточувствительные микросистемы для
применения в электронных системах
управления приводами, в датчиках
положения и потребления, бесконтактных
переключателях

51. Разработка базовых 77 45 32 разработка и освоение в производстве
технологий радиочастотных -- -- -- базовых технологий изготовления
микроэлектромеханических 61 31 30 радиочастотных микроэлектромеханических
систем систем и компонентов, включающих
микрореле, коммутаторы,
микропереключатели (2009 год)

52. Разработка базовых 166 32 87 47 разработка базовых конструкций и
конструкций радиочастотных --- -- -- -- комплектов конструкторской документации
микроэлектромеханических 119 30 58 31 на изготовление радиочастотных
систем микроэлектромеханических систем -
компонентов, позволяющих получить резкое
улучшение массогабаритных характеристик,
повышение технологичности и снижение
стоимости изделий

53. Разработка методов и 40 40 создание методов и средств контроля и
средств обеспечения -- -- измерения параметров и характеристик
создания и производства 24 24 изделий микросистемотехники, разработка
изделий микросистемной комплектов стандартов и нормативных
техники документов по безопасности и
экологии

54. Разработка перспективных 1155 1155 создание базовых технологий выпуска
технологий и конструкций ---- ---- трехмерных оптических и акустооптических
микрооптоэлектромехани- 770 770 функциональных элементов,
ческих систем для микрооптоэлектромеханических систем для
оптической аппаратуры, коммутации и модуляции оптического
систем отображения излучения (2012 год),
изображений, научных акустооптических перестраиваемых фильтров
исследований и специальной (2012 год), двухмерных управляемых матриц
техники микрозеркал микропереключателей и
фазовращателей (2013 год), разработка
базовых технологий, конструкций и
комплектов, конструкторской документации
на изготовление
микрооптоэлектромеханических
систем коммутации и модуляции оптического
излучения (2015 год)

55. Разработка и 1155 1155 создание методов и средств контроля и
совершенствование методов ---- ---- измерения параметров и характеристик
и средств контроля, 770 770 изделий микросистемотехники, разработка
испытаний и аттестации комплектов стандартов и нормативных
изделий документов по безопасности и экологии
микросистемотехники

56. Разработка перспективных 1170 1170 создание перспективных технологий
технологий и конструкций ---- ---- изготовления элементов микроаналитических
микроаналитических систем 780 780 систем, чувствительных к газовым,
для аппаратуры контроля и химическим и биологическим компонентам
обнаружения токсичных, внешней среды, предназначенных для
горючих, взрывчатых и использования в аппаратуре жилищно-
наркотических веществ коммунального хозяйства (2012 год, 2013
год, 2014 год)

Всего по направлению 3 5818,5 475,5 540 858 465 3480
------ ----- --- --- --- ----
3879 317 360 572 310 2320

Направление 4. Микроэлектроника

57. Разработка технологии и 270 148,9 121,1 разработка комплекта нормативно-
развитие методологии ----- ----- ----- технической документации по
проектирования изделий 125,6 76,6 49 проектированию изделий микроэлектроники,
микроэлектроники: создание отраслевой базы данных с
разработка и освоение каталогами библиотечных элементов и
современной технологии сложнофункциональных блоков с
проектирования каталогизированными результатами
универсальных аттестации на физическом уровне,
микропроцессоров, разработка комплекта нормативно-
процессоров обработки технической и технологической
сигналов, микро- документации по взаимодействию центров
контроллеров и "системы на проектирования в сетевом режиме
кристалле" на основе
каталогизированных
сложнофункциональных
блоков и библиотечных
элементов, в том числе
создание отраслевой базы
данных и технологических
файлов для
автоматизированных систем
проектирования;
освоение и развитие
технологии проектирования
для обеспечения
технологичности
производства и стабильного
выхода годных с целью
размещения заказов на
современной базе
контрактного производства
с технологическим уровнем
до 0,13 мкм

58. Разработка и освоение 34 22 12 разработка комплекта технологической
базовой технологии ---- ---- -- документации и организационно-
производства фотошаблонов 22,7 14,7 8 распорядительной документации по
с технологическим уровнем взаимодействию центров проектирования и
до 0,13 мкм с целью центра изготовления фотошаблонов
обеспечения информационной
защиты проектов изделий
микроэлектроники при
использовании контрактного
производства
(отечественного и
зарубежного)

59. Разработка семейств и 766,9 336,7 430,2 разработка комплектов документации в
серий изделий ----- ----- ----- стандартах единой системы
микроэлектроники: 466,8 180 286,8 конструкторской, технологической и
универсальных производственной документации,
микропроцессоров для изготовление опытных образцов изделий и
встроенных применений; организация серийного производства
универсальных
микропроцессоров для
серверов и рабочих
станций;
цифровых процессоров
обработки сигналов;
сверхбольших интегральных
схем, программируемых
логических интегральных
схем;
сверхбольших интегральных
схем быстродействующей
динамической и статической
памяти;
микроконтроллеров со
встроенной
энергонезависимой
электрически
программируемой памятью;
схем интерфейса
дискретного ввода/вывода;
схем аналогового
интерфейса;
цифроаналоговых и аналого-
цифровых преобразователей
на частотах
выше 100 МГц с
разрядностью более 8 - 12
бит;
схем приемопередатчиков
шинных интерфейсов;
изделий интеллектуальной
силовой микроэлектроники
для применения в
аппаратуре промышленного и
бытового назначения;
встроенных интегральных
источников питания

60. Разработка базовых 1801,6 799,8 1001,8 разработка комплектов документации в
серийных технологий ------ ----- ------ стандартах единой системы
изделий микроэлектроники: 1200,9 533,1 667,8 конструкторской, технологической и
цифроаналоговых и аналого- производственной документации,
цифровых преобразователей изготовление опытных образцов изделий и
на частотах выше 100 МГц с организация серийного производства
разрядностью более 14 - 16
бит;
микроэлектронных устройств
различных типов, включая
сенсоры с применением
наноструктур и
биосенсоров;
сенсоров на основе
магнито-электрических и
пьезоматериалов;
встроенных интегральных
антенных элементов для
диапазонов частот 5 ГГц,
10 - 12 ГГц;
систем на кристалле, в том
числе в гетероинтеграции
сенсорных и исполнительных
элементов методом
беспроводной сборки с
применением технологии
матричных жестких
выводов

61. Разработка технологии и 462,4 252,4 210 разработка комплектов документации в
освоение производства ----- ----- --- стандартах единой системы
изделий микроэлектроники с 308,3 168,3 140 конструкторской, технологической
технологическим уровнем документации и ввод в эксплуатацию
0,13 мкм производственной линии

62. Разработка базовой 894,8 146,3 748,5 разработка комплектов документации в
технологии формирования ----- ----- ----- стандартах единой системы
многослойной разводки 596,2 97,3 498,9 конструкторской, технологической и
(7 - 8 уровней) производственной документации,
сверхбольших интегральных ввод в эксплуатацию производственной
схем на основе Al и Cu линии

63. Разработка технологии и 494,2 211,1 166,4 116,7 разработка комплектов документации в
организация производства ----- ----- ----- ----- стандартах единой системы
многокристальных 294,2 105,6 110,9 77,7 конструкторской, технологической и
микроэлектронных модулей производственной документации,
для мобильных применений с ввод в эксплуатацию производственной
использованием полимерных линии
и металлополимерных
микроплат и носителей

64. Разработка новых методов 173 68 105 разработка технологической и
технологических испытаний --- -- --- производственной документации, ввод в
изделий микроэлектроники, 173 68 105 эксплуатацию специализированных участков
гарантирующих их
повышенную надежность в
процессе долговременной
(более 100 000 часов)
эксплуатации, на основе
использования типовых
оценочных схем и тестовых
кристаллов

65. Разработка современных 227 132 95 разработка комплектов документации,
методов анализа отказов --- --- -- включая утвержденные отраслевые методики,
изделий микроэлектроники с 227 132 95 ввод в эксплуатацию модернизированных
применением участков и лабораторий анализа отказов
ультраразрешающих методов
(ультразвуковая
гигагерцовая микроскопия,
сканирование синхротронным
излучением, атомная
и туннельная силовая
микроскопия, электронно- и
ионно-лучевое зондирование
и другие)

66. Разработка базовых 1200 1200 разработка и освоение базовой технологии
субмикронных технологий ---- ---- производства фотошаблонов с
уровней 0,065 - 0,045 мкм 800 800 технологическим уровнем до 0,045 мкм с
целью обеспечения информационной защиты
проектов изделий микроэлектроники при
использовании контрактного производства
(отечественного и зарубежного) (2014
год). Создание отраслевой базы данных и
технологических файлов для
автоматизированных систем проектирования
сверхбольших интегральных схем;
создание базовой технологии формирования
многослойной разводки (7 - 8 уровней)
сверхбольших интегральных схем на основе
Al и Cu (2015 год), освоение и развитие
технологии проектирования и изготовления
для обеспечения технологичности
производства и стабильного выхода годных
изделий, а также с целью размещения
заказов на современной базе контрактного
производства с технологическим уровнем до
0,045 мкм, разработка комплекта
технологической документации и
организационно-распорядительной
документации по взаимодействию центров

67. Исследование 1425 1425 создание технологии сверхбольших
технологических процессов ---- ---- интегральных схем технологических уровней
и структур для 950 950 65 - 32 нм, организация опытного
субмикронных технологий производства (2015 год)
уровней 0,032 мкм

68. Разработка перспективных 1425 1425 создание технологий и конструкций
технологий и конструкций ---- ---- перспективных изделий интеллектуальной
изделий интеллектуальной 950 950 силовой микроэлектроники для применения в
силовой электроники для аппаратуре промышленного и бытового
применения в аппаратуре назначения;
бытового и промышленного создание встроенных интегральных
применения, на транспорте, источников питания (2013 - 2015 годы)
в топливно-энергетическом
комплексе и в специальных
системах

69. Разработка перспективных 1650 1650 разработка перспективной технологии
технологий сборки ---- ---- многокристальных микроэлектронных модулей
сверхбольших интегральных 1100 1100 для мобильных применений с использованием
схем в многовыводные полимерных и металлополимерных микроплат
корпуса, в том числе и носителей (2015 год)
корпуса с матричным
расположением выводов и
технологий
многокристальной сборки,
включая создание "систем
в корпусе"

Всего по направлению 4 11222 993,4 1236,4 1151 1913,6 5927,5
------ ----- ------ ----- ------ ------
7214,7 639,6 789,4 741,3 1244,4 3800

Направление 5. Электронные материалы и структуры

70. Разработка технологии 78 51 27 внедрение новых диэлектрических
производства новых -- -- -- материалов на основе ромбоэдрической
диэлектрических материалов 49 32 17 модификации нитрида бора и подложек из
на основе ромбоэдрической поликристаллического алмаза с повышенной
модификации нитрида бора и теплопроводностью и электропроводностью
подложек из для создания нового поколения
поликристаллического высокоэффективных и надежных
алмаза сверхвысокочастотных приборов

71. Разработка технологии 131 77 54 создание технологии производства
производства --- -- -- гетероэпитаксиальных структур и структур
гетероэпитаксиальных 87 51 36 гетеробиполярных транзисторов на основе
структур и структур нитридных соединений A B для обеспечения
гетеробиполярных 3 5
транзисторов на основе разработок и изготовления
нитридных соединений A B сверхвысокочастотных монолитных
3 5 интегральных схем и мощных транзисторов
для мощных (2011 год)
полупроводниковых приборов
и сверхвысокочастотных
монолитных интегральных
схем

72. Разработка базовой 77 50 27 создание базовой технологии производства
технологии производства -- -- -- гетероструктур и псевдоморфных структур
метаморфных структур на 50 32 18 на подложках InP для перспективных
основе GaAs и полупроводниковых приборов и
псевдоморфных структур на сверхвысокочастотных монолитных
подложках InP для приборов интегральных схем диапазона 60 - 90 ГГц
сверхвысокочастотной (2009 год)
электроники диапазона 60 -
90 ГГц

73. Разработка технологии 133 79 54 создание спинэлектронных магнитных
производства --- -- -- материалов и микроволновых структур со
спинэлектронных магнитных 88 52 36 спиновым управлением для создания
материалов, перспективных микроволновых
радиопоглощающих и сверхвысокочастотных приборов повышенного
мелкодисперсных ферритовых быстродействия и низкого
материалов для энергопотребления
сверхвысокочастотных
приборов

74. Разработка технологии 77 50 27 создание технологии массового
производства высокочистых -- -- -- производства высокочистых химических
химических материалов 49 31 18 материалов (аммиака, арсина, фосфина,
(аммиака, арсина, фосфина, тетрахлорида кремния) для выпуска
тетрахлорида кремния) для полупроводниковых подложек нитрида
обеспечения производства галлия, арсенида галлия, фосфида индия,
полупроводниковых подложек кремния и гетероэпитаксиальных структур
нитрида галлия, арсенида на их основе (2009 год)
галлия, фосфида индия,
кремния и
гетероэпитаксиальных
структур на их основе

75. Разработка технологии 134 79 55 создание технологии производства
производства --- -- -- поликристаллических алмазов и его пленок
поликристаллических 88 52 36 для мощных сверхвысокочастотных приборов
алмазов и их пленок для (2011 год)
теплопроводных конструкций
мощных выходных
транзисторов и
сверхвысокочастотных
приборов

76. Исследование путей и 57 36 21 создание технологии изготовления новых
разработка технологии -- -- -- микроволокон на основе двухмерных
изготовления новых 38 24 14 диэлектрических и металлодиэлектрических
микроволокон на основе микро- и наноструктур для новых классов
двухмерных диэлектрических микроструктурных приборов,
и металлодиэлектрических магниторезисторов, осцилляторов,
микро- и наноструктур, а устройств оптоэлектроники
также полупроводниковых (2009 год)
нитей с наноразмерами при
вытяжке стеклянного
капилляра, заполненного
жидкой фазой
полупроводника

77. Разработка технологии 106 25 44 37 создание базовой пленочной технологии
выращивания слоев --- -- -- -- пьезокерамических элементов, совместимой
пьезокерамики на 69 17 28 24 с комплементарной металло-оксидной
кремниевых подложках для полупроводниковой технологией для
формирования разработки нового класса активных
комплексированных пьезокерамических устройств,
устройств микросистемной интегрированных с микросистемами (2011
техники год)

78. Разработка методологии и 57 36 21 создание технологии травления и
базовых технологий -- -- -- изготовления кремниевых трехмерных
создания многослойных 38 24 14 базовых элементов
кремниевых структур с микроэлектромеханических систем с
использованием использованием "жертвенных" и "стопорных"
"жертвенных" и "стопорных" слоев для серийного производства
диффузионных и элементов микроэлектромеханических систем
диэлектрических слоев для (2009 год) кремниевых структур
производства силовых с использованием силикатных стекол, моно-,
приборов и элементов поликристаллического и пористого кремния
микроэлектромеханических и диоксида кремния
систем

79. Разработка базовых 105 61 44 создание технологии получения алмазных
технологий получения --- -- -- полупроводниковых наноструктур и
алмазных полупроводниковых 70 41 29 наноразмерных органических покрытий,
наноструктур и алмазных полупроводящих пленок для
наноразмерных органических конкурентоспособных высокотемпературных и
покрытий с широким радиационно стойких устройств и приборов
диапазоном функциональных двойного назначения (2011 год)
свойств

80. Исследование и разработка 141 57 84 создание технологии изготовления
технологии роста --- -- -- гетероструктур и эпитаксиальных структур
эпитаксиальных слоев 93 38 55 на основе нитридов для создания
карбида кремния, структур радиационно стойких сверхвысокочастотных
на основе нитридов, а и силовых приборов нового поколения
также формирования (2009 год)
изолирующих и
коммутирующих слоев в
приборах экстремальной
электроники

81. Разработка технологии 160 52 108 создание технологии производства структур
производства радиационно --- -- --- "кремний на сапфире" диаметром до 150 мм
стойких сверхбольших 90 35 55 с толщиной приборного слоя до 0,1 мкм и
интегральных схем на топологическими нормами до 0,18 мкм для
ультратонких производства электронной компонентной
гетероэпитаксиальных базы специального и двойного назначения
структурах кремния на (2009 год)
сапфировой подложке для
производства электронной
компонентной базы
специального и двойного
назначения

82. Разработка технологии 146 54 92 создание технологии производства
производства высокоомного --- -- -- радиационно облученного кремния и пластин
радиационно облученного 96 36 60 кремния до 150 мм для выпуска мощных
кремния, слитков и пластин транзисторов и сильноточных тиристоров
кремния диаметром до 150 нового поколения (2009 год)
мм для производства
силовых полупроводниковых
приборов

83. Разработка технологии 92 36 56 разработка и промышленное освоение
производства кремниевых -- -- -- получения высококачественных подложек и
подложек и структур для 63 24 39 структур для использования в производстве
силовых полупроводниковых силовых полупроводниковых приборов, с
приборов с глубокими глубокими высоколегированными слоями и
высоколегированными слоями скрытыми слоями носителей с повышенной
p- и n-типов проводимости рекомбинацией (2009 год)
и скрытыми слоями
носителей с повышенной
рекомбинацией

84. Разработка технологии 216 72 144 создание технологии производства пластин
производства электронного --- -- --- кремния диаметром до 200 мм и
кремния, кремниевых 162 48 114 эпитаксиальных структур уровня 0,25 -
пластин диаметром 0,18 мкм (2009 год)
до 200 мм и кремниевых
эпитаксиальных структур
уровня технологии
0,25 - 0,18 мкм

85. Разработка методологии, 232 109 123 разработка технологии корпусирования
конструктивно-технических --- --- --- интегральных схем и полупроводниковых
решений и перспективной 161 78 83 приборов на основе использования
базовой технологии многослойных кремниевых структур со
корпусирования сквозными токопроводящими каналами,
интегральных схем и обеспечивающей сокращение состава
полупроводниковых приборов сборочных операций и формирование
на основе использования трехмерных структур (2010 год, 2011 год)
многослойных кремниевых
структур со сквозными
токопроводящими каналами

86. Разработка технологии 220 85 135 создание базовой технологии производства
производства --- -- --- гетероструктур SiGe для выпуска
гетероструктур SiGe для 143 53 90 быстродействующих сверхбольших
разработки сверхбольших интегральных схем с топологическими
интегральных схем с нормами 0,25 - 0,18 мкм (2010 год, 2011
топологическими нормами год)
0,25 - 0,18 мкм

87. Разработка технологии 46 28 18 создание технологии выращивания и
выращивания и обработки, в -- -- -- обработки пьезоэлектрических материалов
том числе 34 22 12 акустоэлектроники и акустооптики для
плазмохимической, новых обеспечения производства широкой
пьезоэлектрических номенклатуры акустоэлектронных устройств
материалов для нового поколения (2009 год)
акустоэлектроники и
акустооптики

88. Разработка технологий 87 32 55 создание технологии массового
производства -- -- -- производства исходных материалов и
соединений A B и тройных 58 22 36 структур для перспективных приборов
3 5 лазерной и оптоэлектронной техники, в том
структур для: числе:
производства сверхмощных производства сверхмощных лазерных диодов
лазерных диодов; (2010 год);
высокоэффективных высокоэффективных светодиодов белого,
светодиодов белого, зеленого, синего и ультрафиолетового
зеленого, синего и диапазонов (2011 год);
ультрафиолетового фотоприемников среднего инфракрасного
диапазонов; диапазона (2011 год)
фотоприемников среднего
инфракрасного диапазона

89. Исследование и разработка 48 30 18 создание технологии производства
технологии получения -- -- -- принципиально новых материалов
гетероструктур с 33 22 11 полупроводниковой электроники на основе
вертикальными оптическими сложных композиций для перспективных
резонаторами на основе приборов лазерной и оптоэлектронной
квантовых ям и квантовых техники (2009 год)
точек для производства
вертикально излучающих
лазеров для устройств
передачи информации и
матриц для оптоэлектронных
переключателей нового
поколения

90. Разработка технологии 86 32 54 создание технологии производства
производства современных -- -- -- компонентов для специализированных
компонентов для 57 22 35 электронно-лучевых (2010 год),
специализированных электронно-оптических и отклоняющих
фотоэлектронных приборов, систем (2010 год),
в том числе: стеклооболочек и деталей из
катодов и электровакуумного стекла различных марок
газопоглотителей; (2011 год)
электронно-оптических и
отклоняющих систем;
стеклооболочек и деталей
из электровакуумного
стекла различных марок

91. Разработка технологии 47 30 17 создание технологии производства особо
производства особо тонких -- -- -- тонких гетерированных нанопримесями
гетерированных 32 20 12 полупроводниковых структур для
нанопримесями изготовления высокоэффективных
полупроводниковых структур фотокатодов электронно-оптических
для высокоэффективных преобразователей и фотоэлектронных
фотокатодов, электронно- умножителей, приемников инфракрасного
оптических диапазона, солнечных элементов и других
преобразователей и приложений (2009 год)
фотоэлектронных
умножителей, приемников
инфракрасного диапазона и
солнечных элементов с
высокими значениями
коэффициента полезного
действия

92. Разработка базовой 85 32 53 создание технологии монокристаллов AlN
технологии производства -- -- -- для изготовления изолирующих и проводящих
монокристаллов AlN для 58 22 36 подложек для создания полупроводниковых
изготовления изолирующих и высокотемпературных и мощных
проводящих подложек для сверхвысокочастотных приборов нового
гетероструктур поколения (2011 год)

93. Разработка базовой 47 30 17 создание базовой технологии вакуумно-
технологии производства -- -- -- плотной спецстойкой керамики из
наноструктурированных 32 20 12 нанокристаллических порошков и нитридов
оксидов металлов (корунда металлов для промышленного освоения
и т.п.) для производства спецстойких приборов нового поколения
вакуумно-плотной (2009 год), в том числе микрочипов,
нанокерамики, в том числе сверхвысокочастотных аттенюаторов, RLC-
с заданными оптическими матриц, а также особо прочной электронной
свойствами компонентной базы оптоэлектроники и
фотоники

94. Разработка базовой 86 33 53 создание технологии производства
технологии производства -- -- -- полимерных и композиционных материалов с
полимерных и гибридных 58 21 37 использованием поверхностной и объемной
органо-неорганических модификации полимеров
наноструктурированных наноструктурированными наполнителями для
защитных материалов для создания изделий с высокой механической,
электронных компонентов термической и радиационной стойкостью при
нового поколения работе в условиях длительной эксплуатации
прецизионных и и воздействии комплекса специальных
сверхвысокочастотных внешних факторов (2011 год)
резисторов, терминаторов,
аттенюаторов и резисторно-
индукционно-емкостных
матриц, стойких к
воздействию комплекса
специальных внешних
факторов

95. Исследование и разработка 1395 1395 создание базовой технологии производства
перспективных ---- ---- гетероструктур, структур и псевдоморфных
гетероструктурных и 930 930 структур на подложках InP для
наноструктурированных перспективных полупроводниковых приборов
материалов с и сверхвысокочастотных монолитных
экстремальными интегральных схем диапазона 60 - 90 ГГц
характеристиками для (2012 год), создание технологии получения
перспективных электронных алмазных полупроводниковых наноструктур и
приборов и наноразмерных органических покрытий (2013
радиоэлектронной год), алмазных полупроводящих пленок для
аппаратуры специального конкурентоспособных высокотемпературных и
назначения радиационно стойких устройств и приборов
двойного назначения, создание технологии
изготовления гетероструктур и
эпитаксиальных структур на основе
нитридов (2015 год)

96. Исследование и разработка 1395 1395 создание нового класса конструкционных и
экологически чистых ---- ---- технологических материалов для уровней
материалов и методов их 930 930 технологии 0,065 - 0,032 мкм и
использования в обеспечения высокого процента выхода
производстве электронной годных изделий, экологических требований
компонентной базы и по международным стандартам (2012 год,
радиоаппаратуры, включая 2015 год)
бессвинцовые композиции
для сборки

97. Разработка перспективных 1380 1380 создание перспективных технологий
технологий получения ---- ---- производства компонентов для
ленточных материалов 920 920 специализированных электронно-лучевых,
(полимерные, электронно-оптических и отклоняющих
металлические, систем, стеклооболочек и деталей из
плакированные и другие) электровакуумного стекла различных марок
для радиоэлектронной (2013 год), создание технологии
аппаратуры и сборочных производства полимерных и композиционных
операций электронной материалов с использованием поверхностной
компонентной базы и объемной модификации полимеров
наноструктурированными наполнителями
(2015 год)

Всего по направлению 5 6864 612 702 663 717 4170
---- --- --- --- --- ----
4576 408 468 442 478 2780

Направление 6. Группы пассивной электронной компонентной базы

98. Разработка технологии 33 18 15 разработка расширенного ряда резонаторов
выпуска прецизионных -- -- -- с повышенной кратковременной и
температуростабильных 22 12 10 долговременной стабильностью для создания
высокочастотных контрольной аппаратуры и техники связи
до 1,5 - 2 ГГц резонаторов двойного назначения
на поверхностно
акустических волнах до 1,5
ГГц с полосой до 70
процентов и длительностью
сжатого сигнала до 2 - 5
нс

99. Разработка в лицензируемых 120 21 48 51 создание технологии и конструкции
и нелицензируемых --- -- -- -- акустоэлектронных пассивных и активных
международных частотных 80 14 32 34 меток-транспондеров для применения в
диапазонах 860 МГц и 2,45 логистических приложениях на транспорте,
ГГц ряда радиочастотных в торговле и промышленности (2010 год,
пассивных и активных 2011 год)
акустоэлектронных меток-
транспондеров, в том числе
работающих в реальной
помеховой обстановке, для
систем радиочастотной
идентификации и систем
управления доступом

100. Разработка базовой 32 17 15 создание технологии проектирования и
конструкции и промышленной -- -- -- базовых конструкций пьезоэлектрических
технологии производства 21 11 10 фильтров в малогабаритных корпусах для
пьезокерамических фильтров поверхностного монтажа при изготовлении
в корпусах для техники связи массового применения (2009
поверхностного монтажа год)

101. Разработка технологии 39 39 создание базовой технологии
проектирования, базовой -- -- акустоэлектронных приборов для
технологии производства и 26 26 перспективных систем связи, измерительной
конструирования и навигационной аппаратуры нового
акустоэлектронных поколения - подвижных, спутниковых,
устройств нового поколения тропосферных и радиорелейных линий связи,
и фильтров промежуточной цифрового интерактивного телевидения,
частоты с высокими радиоизмерительной аппаратуры,
характеристиками для радиолокационных станций, спутниковых
современных систем связи, навигационных систем (2008 год)
включая
высокоизбирательные
высокочастотные устройства
частотной селекции на
поверхностных и
приповерхностных волнах и
волнах Гуляева-Блюштейна с
предельно низким уровнем
вносимого затухания для
частотного диапазона до 5
ГГц

102. Разработка технологии 96 33 63 создание технологии производства
проектирования и базовой -- -- -- высокоинтегрированной электронной
технологии производства 64 22 42 компонентной базы типа "система в
функциональных законченных корпусе" для вновь разрабатываемых и
устройств стабилизации, модернизируемых сложных радиоэлектронных
селекции частоты и систем и комплексов (2010 год)
обработки сигналов типа
"система в корпусе"

103. Разработка базовой 69 48 21 создание базовой технологии (2010 год) и
конструкции и технологии -- -- -- базовой конструкции микроминиатюрных
изготовления 46 32 14 высокодобротных фильтров для
высокочастотных малогабаритной и носимой аппаратуры
резонаторов и фильтров на навигации и связи
объемных акустических
волнах для
телекоммуникационных и
навигационных систем

104. Разработка технологии и 30 30 создание нового поколения оптоэлектронных
базовой конструкции -- -- приборов для обеспечения задач
фоточувствительных 20 20 предотвращения аварий и контроля
приборов с матричными
приемниками высокого
разрешения для видимого и
ближнего инфракрасного
диапазона для аппаратуры
контроля изображений

105. Разработка базовой 37 16 21 создание базовой технологии нового
технологии унифицированных -- -- -- поколения приборов контроля тепловых
электронно-оптических 24 10 14 полей для задач теплоэнергетики,
преобразователей, медицины, поисковой и контрольной
микроканальных пластин, аппаратуры на транспорте,
пироэлектрических матриц и продуктопроводах и в охранных системах
камер на их основе с (2009 год)
чувствительностью до 0,1 К
и широкого инфракрасного
диапазона

106. Разработка базовой 84 45 39 создание базовой технологии (2008 год) и
технологии создания -- -- -- конструкции новых типов приборов,
интегрированных гибридных 55 30 25 сочетающих фотоэлектронные и
фотоэлектронных твердотельные технологии, с целью
высокочувствительных и получения экстремально достижимых
высокоразрешающих приборов характеристик для задач контроля и
и усилителей для задач наблюдения в системах двойного назначения
космического мониторинга и
специальных систем
наблюдения, научной и
метрологической аппаратуры

107. Разработка базовых 96 45 51 создание базовой технологии (2008 год) и
технологий мощных -- -- -- конструкций принципиально новых мощных
полупроводниковых лазерных 64 30 34 диодных лазеров, предназначенных для
диодов (непрерывного и широкого применения в изделиях двойного
импульсного излучения), назначения, медицины, полиграфического
специализированных оборудования и системах открытой
лазерных полупроводниковых оптической связи
диодов, фотодиодов и
лазерных волоконно-
оптических модулей для
создания аппаратуры и
систем нового поколения

108. Разработка и освоение 98 15 60 23 разработка базового комплекта основных
базовых технологий для -- -- -- -- оптоэлектронных компонентов для лазерных
лазерных навигационных 65 10 40 15 гироскопов широкого применения (2010
приборов, включая год), создание комплекса технологий
интегральный оптический обработки и формирования структурных и
модуль лазерного гироскопа приборных элементов, оборудования
на базе контроля и аттестации, обеспечивающих
сверхмалогабаритных новый уровень технико-экономических
кольцевых показателей производства
полупроводниковых лазеров
инфракрасного диапазона,
оптоэлектронные компоненты
для широкого класса
инерциальных лазерных
систем управления
движением гражданских и
специальных средств
транспорта

109. Разработка базовых 47 22 25 создание базовой технологии твердотельных
конструкций и технологий -- -- -- чип-лазеров для лазерных дальномеров,
создания квантово- 32 15 17 твердотельных лазеров с пикосекундными
электронных приемо- длительностями импульсов для установок по
передающих модулей для прецизионной обработке композитных
малогабаритных лазерных материалов, для создания элементов и
дальномеров нового изделий микромашиностроения и в
поколения на основе производстве электронной компонентной
твердотельных чип-лазеров базы нового поколения, мощных лазеров для
с полупроводниковой применения в машиностроении,
накачкой, технологических авиастроении, автомобилестроении,
лазерных установок судостроении, в составе промышленных
широкого спектрального технологических установок обработки и
диапазона сборки, систем экологического мониторинга
окружающей среды, контроля выбросов
патогенных веществ, контроля утечек в
продуктопроводах (2008 год, 2009 год)

110. Разработка базовых 67 55 12 создание технологии получения
технологий формирования -- -- -- широкоапертурных элементов на основе
конструктивных узлов и 45 37 8 алюмоиттриевой легированной керамики
блоков для лазеров нового композитных составов для лазеров с
поколения и технологии диодной накачкой (2008 год),
создания полного комплекта высокоэффективных преобразователей
электронной компонентной частоты лазерного излучения, организация
базы для производства промышленного выпуска оптических изделий
лазерного устройства и лазерных элементов широкой номенклатуры
определения наличия
опасных, взрывчатых,
отравляющих и
наркотических веществ в
контролируемом
пространстве

111. Разработка базовых 52 25 27 разработка расширенной серии
технологий, базовой -- -- -- низковольтных катодолюминесцентных и
конструкции и организация 35 17 18 других дисплеев с широким диапазоном
производства эргономических характеристик и свойств по
интегрированных условиям применения для информационных и
катодолюминесцентных и контрольных систем
других дисплеев двойного
назначения со встроенным
микроэлектронным
управлением

112. Разработка технологии и 45 24 21 создание ряда принципиально новых
базовых конструкций -- -- -- светоизлучающих приборов с минимальными
высокояркостных 30 16 14 геометрическими размерами, высокой
светодиодов и индикаторов надежностью и устойчивостью к
основных цветов свечения механическим и климатическим
для систем подсветки в воздействиям, обеспечивающих
приборах нового поколения энергосбережение за счет замены ламп
накаливания в системах подсветки
аппаратуры и освещения

113. Разработка базовой 90 15 57 18 создание базовой технологии производства
технологии и конструкции -- -- -- -- нового поколения оптоэлектронной
оптоэлектронных приборов 60 10 38 12 высокоэффективной и надежной электронной
(оптроны, оптореле, компонентной базы для промышленного
светодиоды) в миниатюрных оборудования и систем связи (2010 год,
корпусах для 2011 год)
поверхностного монтажа

114. Разработка 51 24 27 создание технологии новых классов носимой
схемотехнических решений и -- -- -- и стационарной аппаратуры, экранов
унифицированных базовых 34 16 18 отображения информации коллективного
конструкций и технологий пользования повышенных емкости и формата
формирования твердотельных (2009 год)
видеомодулей на
полупроводниковых
светоизлучающих структурах
для носимой аппаратуры,
экранов индивидуального и
коллективного пользования
с бесшовной стыковкой

115. Разработка базовой 60 30 30 создание технологии массового
технологии изготовления -- -- -- производства солнечных элементов для
высокоэффективных 40 20 20 индивидуального и коллективного
солнечных элементов на использования в труднодоступных районах,
базе использования развития солнечной энергетики в жилищно-
кремния, полученного по коммунальном хозяйстве для обеспечения
"бесхлоридной" технологии задач энергосбережения (2009 год)
и технологии "литого"
кремния прямоугольного
сечения

116. Разработка базовой 38 18 20 создание технологии массового
технологии и освоение -- -- -- производства нового класса
производства 25 12 13 оптоэлектронных приборов для широкого
оптоэлектронных реле с применения в радиоэлектронной аппаратуре
повышенными техническими (2009 год)
характеристиками для
поверхностного монтажа

117. Комплексное исследование и 162 33 99 30 создание базовой технологии массового
разработка технологий --- -- -- -- производства экранов с предельно низкой
получения новых классов 108 22 66 20 удельной стоимостью для информационных и
органических (полимерных) обучающих систем (2010 год, 2011 год)
люминофоров, пленочных
транзисторов на основе
"прозрачных" материалов,
полимерной пленочной
основы и технологий
изготовления
крупноформатных гибких и
особо плоских экранов, в
том числе на базе
высокоразрешающих
процессов струйной печати
и непрерывного процесса
изготовления типа "с
катушки на катушку"

118. Разработка базовых 183 45 33 105 создание технологии и конструкции
конструкций и технологии --- -- -- --- активно-матричных органических
активных матриц и 122 30 22 70 электролюминесцентных,
драйверов плоских экранов жидкокристаллических и
на основе аморфных, катодолюминесцентных дисплеев, стойких к
поликристаллических и внешним специальным и климатическим
кристаллических кремниевых воздействиям (2010 год)
интегральных структур на
различных подложках и
создание на их основе
перспективных
видеомодулей, включая
органические
электролюминесцентные,
жидкокристаллические и
катодолюминесцентные,
создание базовой
технологии серийного
производства монолитных
модулей двойного
назначения

119. Разработка базовой 162 33 99 30 создание технологии и базовых конструкций
конструкции и технологии --- -- -- -- полноцветных газоразрядных видеомодулей
крупноформатных полно- 108 22 66 20 специального и двойного назначения для
цветных газоразрядных наборных экранов коллективного
видеомодулей пользования (2010 год)

120. Разработка технологии 72 24 18 30 разработка расширенного ряда
сверхпрецизионных -- -- -- -- сверхпрецизионных резисторов, гибридных
резисторов и гибридных 48 16 12 20 интегральных схем цифроаналоговых и
интегральных схем цифро- аналого-цифровых преобразователей с
аналоговых и аналого- параметрами, превышающими уровень
цифровых преобразователей существующих отечественных и зарубежных
на их основе в изделий, для аппаратуры связи,
металлокерамических диагностического контроля, медицинского
корпусах для аппаратуры оборудования, авиастроения,
двойного назначения станкостроения, измерительной техники
(2010 год)

121. Разработка базовой 105 45 60 разработка расширенного ряда
технологии особо --- -- -- сверхпрецизионных резисторов с повышенной
стабильных и особо точных 70 30 40 удельной мощностью рассеяния,
резисторов широкого высоковольтных высокоомных резисторов для
диапазона сопротивления, измерительной техники, приборов ночного
прецизионных датчиков тока видения и аппаратуры контроля (2011 год)
для измерительной и
контрольной аппаратуры и
освоение их производства

122. Разработка технологии и 192 24 78 90 создание базовой технологии и конструкции
базовых конструкций --- -- -- -- резисторов с повышенными значениями
резисторов и резистивных 128 16 52 60 стабильности, удельной мощности в чип-
структур нового поколения исполнении на основе многослойных
для поверхностного монолитных структур (2010 год, 2011 год)
монтажа, в том числе
резисторов с повышенными
характеристиками,
ультранизкоомных
резисторов, малогабаритных
подстроечных резисторов,
интегральных сборок серии
нелинейных
полупроводниковых
резисторов в многослойном
исполнении чип-конструкции

123. Разработка технологий 48 36 12 создание базовой технологии производства
формирования -- -- -- датчиков на резистивной основе с высокими
интегрированных 32 24 8 техническими характеристиками и
резистивных структур с надежностью (2009 год)
повышенными технико-
эксплуатационными
характеристиками на основе
микроструктурированных
материалов и методов
групповой сборки

124. Создание групповой 60 30 30 создание технологии автоматизированного
технологии -- -- -- производства чип- и микрочип-резисторов
автоматизированного 40 20 20 (в габаритах 0402, 0201 и менее) для
производства применения в массовой аппаратуре (2009
толстопленочных чип- и год)
микрочип-резисторов

125. Разработка новых базовых 129 24 30 75 создание базовой технологии производства
технологий и --- -- -- -- конденсаторов с качественно улучшенными
конструктивных решений 86 16 20 50 характеристиками с электродами из
изготовления танталовых неблагородных металлов при сохранении
оксидно-полупроводниковых высокого уровня надежности (2010 год)
и оксидно-
электролитических
конденсаторов и чип-
конденсаторов и
организация производства
конденсаторов с повышенным
удельным зарядом,
сверхнизким значением
внутреннего сопротивления
и улучшенными
потребительскими
характеристиками

126. Разработка комплексной 41 20 21 создание базовых технологий конденсаторов
базовой технологии и -- -- -- и ионисторов на основе полимерных
организация производства 27 13 14 материалов с повышенным удельным зарядом
конденсаторов с и энергоемких накопительных конденсаторов
органическим диэлектриком с повышенной удельной энергией (2009 год)
и повышенными удельными
характеристиками и
ионисторов с повышенным
током разряда

127. Разработка технологии, 115 25 60 30 создание технологии и базовых конструкций
базовых конструкций --- -- -- -- нового поколения выключателей для
высоковольтных 77 17 40 20 радиоэлектронной аппаратуры с повышенными
(быстродействующих, тактико-техническими характеристиками и
мощных) вакуумных надежностью (2011 год)
выключателей нового
поколения с предельными
характеристиками для
радиотехнической
аппаратуры с высокими
сроками службы

128. Разработка технологий 49 24 25 создание технологии изготовления
создания газонаполненных -- -- -- коммутирующих устройств для токовой
высоковольтных 33 16 17 коммутации цепей в широком диапазоне
высокочастотных напряжений и токов для радиоэлектронных и
коммутирующих устройств электротехнических систем (2009 год)
для токовой коммутации
цепей с повышенными
техническими
характеристиками

129. Разработка полного 27 27 создание технологии выпуска устройств
комплекта электронной -- -- грозозащиты в индивидуальном,
компонентной базы для 18 18 промышленном и гражданском строительстве,
создания модульного строительстве пожароопасных объектов
устройства грозозащиты (2008 год)
зданий и сооружений с
обеспечением требований по
международным стандартам

130. Разработка базовых 97 46 51 создание базовой технологии формирования
конструкций и технологий -- -- -- высококачественных гальванических
изготовления 65 31 34 покрытий, технологии прецизионного
малогабаритных формирования изделий для
переключателей с автоматизированных систем изготовления
повышенными сроками службы коммутационных устройств широкого
для печатного монтажа назначения (2009 год)

131. Комплексное исследование и 825 825 комплексное исследование и разработка
разработка пленочных --- --- технологий получения новых классов
технологий изготовления 550 550 органических (полимерных) люминофоров,
высокоэкономичных пленочных транзисторов на основе
крупноформатных гибких и "прозрачных" материалов, полимерной
особо плоских экранов пленочной основы и технологий
изготовления крупноформатных гибких и
особо плоских экранов в том числе на базе
высокоразрешающих процессов струйной
печати и непрерывного процесса
изготовления типа "с катушки на катушку"
(2012 год), создание базовой технологии
массового производства экранов с
предельно низкой удельной стоимостью для
информационных и обучающих систем (2014
год)

132. Исследование перспективных 825 825 создание технологии формирования нового
конструкций и --- --- поколения оптоэлектронных
технологических принципов 550 550 комплексированных приборов,
формирования обеспечивающих создание "системы на
оптоэлектронных и кристалле" с оптическими входами-выходами
квантовых структур и (2014 год, 2015 год)
приборов нового поколения

133. Разработка перспективных 811,5 811,5 создание перспективной технологии
технологий промышленного ----- ----- массового производства солнечных
изготовления солнечных 541 541 элементов для индивидуального и
высокоэффективных коллективного использования (2015 год)
элементов

Всего по направлению 6 5086,5 684 721,5 867 352,5 2461,5
------ --- ----- --- ----- ------
3391 456 481 578 235 1641

Направление 7. Унифицированные электронные модули и базовые несущие конструкции

134. Разработка базовых 4395 90 135 135 735 3300 создание на основе современной и
технологий создания рядов ---- -- --- --- --- ---- перспективной отечественной электронной
приемо-передающих 2930 60 90 90 490 2200 компонентной элементной базы и последних
унифицированных достижений в разработке алгоритмов сжатия
электронных модулей для видеоизображений приемо-передающих
аппаратуры связи, унифицированных электронных модулей
радиолокации, аппаратуры связи, телекоммуникаций,
телекоммуникаций, бортовых цифрового телевидения, бортовых
радиотехнических средств радиотехнических средств, активных
фазированных антенных решеток с
параметрами:
диапазон частот до 100 ГГц;
скорость передачи информации до 100
Гбит/с;
создание базовых технологий и конструкции
для создания унифицированных рядов
приемо-передающих унифицированных
электронных модулей аппаратуры волоконно-
оптических линий связи когерентных,
высокоскоростных каналов со спектральным
уплотнением, телекоммуникаций, цифрового
телевидения, обеспечивающих
импортозамещение в этой области;
разработка новых технологий

135. Разработка базовых 2820 60 105 90 465 2100 создание на основе базовых технологий и
технологий создания нового ---- -- --- -- --- ---- современной отечественной твердотельной
класса унифицированных 1880 40 70 60 310 1400 компонентной электронной базы
электронных модулей для унифицированных электронных модулей
обработки аналоговых и нового поколения для обработки аналоговых
цифровых сигналов на и цифровых сигналов РЛС и других
основе устройств радиотехнических систем в
функциональной высокочастотных, ПЧ и
электроники, приборов сверхвысокочастотных диапазонах, освоение
обработки сигналов производства нового класса
аналого-цифровых и многофункциональных радиоэлектронных
цифроаналоговых устройств, разработка унифицированных
преобразователей, сенсоров электронных модулей преобразователей
и преобразователей физических и химических величин для
измерения и контроля широкой номенклатуры
параметров микромеханических систем

136. Разработка базовых 1725 45 60 60 285 1275 создание рядов унифицированных
технологий создания рядов ---- -- -- -- --- ---- электронных модулей для систем
унифицированных 1150 30 40 40 190 850 телеметрии, управления, радиолокационных,
электронных модулей для робототехнических, телекоммуникационных
систем телеметрии, систем и навигации (ориентации,
управления, навигации стабилизации, позиционирования,
(угловых и линейных наведения, радиопеленгации, единого
перемещений, ориентации, времени), позволяющих резко снизить
стабилизации, стоимость и организовать крупносерийное
позиционирования, производство радиоэлектронных средств
наведения, широкого применения
радиопеленгации, единого
времени)

137. Разработка базовых 3285 60 105 105 540 2475 создание на основе современной и
технологий создания рядов ---- -- --- --- --- ---- перспективной отечественной электронной
унифицированных 2190 40 70 70 360 1650 компонентной базы унифицированных
электронных модулей электронных модулей широкой номенклатуры
процессоров, скоростного и для применения в различных информационных
сверхскоростного ввода- системах, в том числе унифицированных
вывода данных, шифрования электронных модулей шифрования и
и дешифрования данных, дешифрования данных;
интерфейсов обмена, систем разработка базовых технологий и
сбора и хранения конструкций унифицированных электронных
информации, периферийных модулей на поверхностных акустических
устройств, систем волнах систем радиочастотной и
идентификации и управления биометрической идентификации, систем
доступом, конверторов, идентификации личности, транспортных
информационно- средств, электронных паспортов,
вычислительных систем логистики, контроля доступа на объекты
повышенной безопасности, объектов атомной
энергетики.
В создаваемых унифицированных электронных
модулях будет обеспечена скорость обмена
и передачи информации до 30 Гб/сек

138. Разработка базовых 1680 45 60 60 270 1245 разработка на основе перспективных
технологий создания рядов ---- -- -- -- --- ---- отечественных сверхбольших интегральных
унифицированных 1120 30 40 40 180 830 схем типа "система на кристалле" базового
электронных цифровых ряда электронных модулей для создания
модулей для перспективных перспективных магистрально-модульных
магистрально-модульных архитектур, обеспечивающих создание
архитектур защищенных средств вычислительной техники
нового поколения (автоматизированные
рабочие места, серверы, средства
высокоскоростных линий волоконной связи),
функционирующих с использованием
современных высокоскоростных
последовательных и параллельных системных
интерфейсов

139. Разработка базовых 1980 45 75 60 330 1470 создание на основе современной и
технологий создания ряда ---- -- -- -- --- ---- перспективной отечественной электронной
унифицированных 1320 30 50 40 220 980 компонентной базы рядов унифицированных
электронных модулей для электронных модулей, обеспечивающих
контрольно-измерительной, возможность создания по модульному
метрологической и принципу контрольно-измерительной,
поверочной аппаратуры, метрологической и поверочной аппаратуры,
аппаратуры тестового аппаратуры тестового контроля и
контроля, диагностики диагностики на основе базовых несущих
блоков радиоэлектронной конструкций;
аппаратуры, для создание комплекта сложнофункциональных
стандартных и встроенных блоков, определяющих ядро измерительных
систем контроля и приборов, систем и комплексов, разработка
измерений законченных функциональных модулей,
предназначенных для поверки и диагностики
выполнения процессорных и интерфейсных
функций сверхбольших интегральных схем
типа "система на кристалле" для систем
управления, а также систем проектирования
и изготовления модулей систем управления
и бортовых электронно-вычислительных
машин, систем обработки информации и
вычислений

140. Разработка базовых 2865 60 90 90 480 2145 разработка базовых технологий создания
технологий создания нового ---- -- -- -- --- ---- системообразующих унифицированных рядов
поколения унифицированных 1910 40 60 60 320 1430 средств (систем, источников, сервисных
рядов средств устройств) и преобразователей
электропитания и электроэнергии нового поколения
преобразователей межвидового и межведомственного
электроэнергии для применения, в том числе средств
радиоэлектронных систем и электропитания с высокой плотностью
аппаратуры гражданского и упаковки элементов с применением
двойного назначения бескорпусных изделий, плоских моточных
изделий пленочной технологии, новых
методов экранирования, отвода и рассеяния
тепла, основанных на применении
наноразмерных материалов с высокой
анизотропной теплопроводностью.
Будут разработаны базовые технологии
создания:
унифицированных рядов источников
электропитания;
преобразователей электрической
энергии;
источников и систем бесперебойного
электропитания;
фильтров сетевых модулей
автоматического переключения каналов;
модулей защиты от сетевых помех;
адаптеров

141. Разработка 3195 60 105 105 525 2400 разработка системы базовых несущих
оптимизированной системы ---- -- --- --- --- ---- конструкций, изготавливаемых на основе
базовых несущих 2130 40 70 70 350 1600 прогрессивных технологий и обеспечивающих
конструкций первого, техническую совместимость со всеми видами
второго и третьего уровней современных объектов с использованием
для наземной, морской, новых полимерных материалов. Применение
авиационной и космической оптимизированных базовых несущих
радиоэлектронной конструкций позволит сократить сроки
аппаратуры специального и разработки радиоэлектронной аппаратуры в
двойного назначения, 1,2 раза, снизить трудоемкость
предназначенной для изготовления базовых несущих конструкций
жестких условий в 1,5 - 2 раза, на 25 процентов уменьшить
эксплуатации, в том числе материалоемкость и сократить затраты на
работающей в производство радиоэлектронной аппаратуры
негерметизированном отсеке в 1,2 - 1,3 раза, обеспечить эффективное
с использованием импортозамещение
прогрессивных технологий

142. Разработка базовых 1695 30 45 60 285 1275 разработка базовых несущих конструкций с
технологий комплексно ---- -- -- -- --- ---- функциями контроля, в том числе контроля
интегрированных базовых 1130 20 30 40 190 850 температуры, влажности, задымления в
несущих конструкций с корпусах радиоэлектронной аппаратуры,
функциями контроля, уровня вибрации, контроля параметров
диагностики, индикации составных частей радиоэлектронной
функционирования аппаратуры - унифицированных электронных
модулей, индикации рабочих режимов и
аварийных сигналов для идентификации
контролируемых параметров, разработка
герметичных и перфорированных базовых
несущих конструкций, обеспечивающих
нормальный тепловой режим
радиоэлектронной аппаратуры и выполняющих
функции измерения и регулирования в
требуемом диапазоне температуры и
влажности воздуха внутри герметичных и
перфорированных базовых несущих
конструкций. Это позволит в
1,5 - 2 раза повысить надежность
радиоэлектронной аппаратуры

143. Разработка базовых 1320 45 45 45 210 975 обеспечение улучшения массогабаритных
технологий создания ---- -- -- -- --- --- характеристик бортовой аппаратуры на 30
облегченных паяных базовых 880 30 30 30 140 650 процентов и повышение прочности при
несущих конструкций для внешних воздействиях в 1,5 - 2 раза
радиоэлектронной
аппаратуры авиационного и
космического базирования
на основе существующих и
перспективных алюминиевых
сплавов повышенной
прочности, обеспечивающих
отвод тепла по элементам
конструкции

144. Разработка контейнерных 1080 30 45 45 180 780 повышение уровня системной интеграции и
базовых несущих ---- -- -- -- --- --- комплексирования средств и систем,
конструкций с 720 20 30 30 120 520 повышение конкурентоспособности не менее
унифицированными чем в 2 раза, обеспечение
интерфейсными средствами функционирования аппаратуры в условиях
для комплексирования внешних жестких воздействий
бортовых и наземных систем
и комплексов различного
назначения

Всего по направлению 7 26040 570 870 855 4305 19440
----- --- --- --- ---- -----
17360 380 580 570 2870 54518

Направление 8. Типовые базовые технологические процессы

145. Разработка технологии 3225 60 105 105 555 2400 обеспечение разработки технологий:
изготовления высокоплотных ---- -- --- --- --- ---- производства печатных плат 5-го и
теплонагруженных и 2150 40 70 70 370 1600 выше классов точности, включая платы со
сильноточных печатных плат встроенными пассивными элементами;
создания межслойных соединений с
переходными сопротивлениями до 1 мОм для
силовых цепей электропитания;
формирования слоев меди (в том
числе с толщиной до 200 - 400 мкм),
серебра, никеля с высокими показателями
проводимости;
формирования финишных покрытий для
бессвинцовой технологии производства
изделий;
производства многослойных печатных
плат под высокие температуры пайки;
лазерных процессов изготовления
печатных плат;
прямой металлизации сквозных и
глухих отверстий

146. Разработка технологии 2040 45 60 60 360 1515 обеспечение разработки технологий:
изготовления прецизионных ---- -- -- -- --- ---- изготовления коммутационных плат
коммутационных плат на 1360 30 40 40 240 1010 для жестких условий эксплуатации и
основе керамики (в том широкого диапазона частот;
числе низкотемпературной), получения коммутационных плат с
металла, углепластика и температурным коэффициентом расширения,
других функциональных соответствующим тепловым характеристикам
материалов многовыводных корпусов (в том числе
керамических) современных приборов;
обеспечения предельно минимального
газовыделения в замкнутом пространстве
герметичных модулей;
снижения энергоемкости
технологических процессов за счет
применения прогрессивных материалов и
методов обработки, в том числе
низкотемпературной керамики;
интеграции в коммутационную плату
теплостоков и низкоомных проводников,
пассивных элементов;
прогрессивных методов
формообразования элементов коммутационных
плат;
обеспечения совмещенного монтажа
компонентов методами пайки и сварки на
одной плате

147. Разработка технологий 3780 90 120 105 615 2850 обеспечение разработки технологий:
сборки, монтажа ---- -- --- --- --- ---- новых методов присоединения,
электронных модулей, 2520 60 80 70 410 1900 сварки, пайки, в том числе с применением
многокристальных модулей и бессвинцовых припоев;
микросборок на основе высокоточного дозирования
новой компонентной базы, материалов, применяемых при сборке
перспективных (флюсы, припои и припойные пасты, клеи,
технологических и лаки, компаунды и т.п.);
конструкционных материалов новых методов сборки и пайки
корпусов типа BGA, CSP, Flip-chip и
других на различные коммутационные платы;
монтажа новой электронной
компонентной базы, в том числе
бескорпусных кристаллов силовых ключей на
токовые шины;
сборки и монтажа низкопрофильных
магнитных компонентов;
настройки и ремонта сложных
модулей, в том числе демонтажа и
повторного монтажа многовыводных
компонентов с восстановлением влагозащиты

148. Разработка технологии 1455 45 60 60 225 1065 обеспечение разработки технологий:
создания межблочных ---- -- -- -- --- ---- изготовления антенно-фидерных
соединений для коммутации 970 30 40 40 150 710 устройств, в том числе гибких волноводов,
сигналов в широком вращающихся сочленений с различными
диапазоне частот и видами охлаждения;
мощностей оптоволоконной коммутации,
устойчивой к воздействию жестких условий
эксплуатации для различных условий
применения, в том числе для систем
дистанционного управления и мониторинга;
изготовления устройств коммутации
(разъемов, переключателей и т.п.)
различного назначения, в том числе
многовыводных, герметичных, врубных,
сильноточных и других

149. Разработка методов, 1485 45 75 75 225 1065 повышение процента выхода годных изделий,
средств и технологии ---- -- -- -- --- ---- снижение потерь на 15 - 30 процентов;
автоматизированного 990 30 50 50 150 710 обеспечение разработки:
контроля коммутационных неразрушающих методов контроля
плат, узлов, электронных качества монтажных соединений и
модулей и приборов многослойных структур за счет
специального и общего использования различного излучения и
применения на этапах цифровой обработки информации;
разработки и производства методов выявления напряженных
состояний элементов конструкции и
потенциальных неисправностей изделий;
унифицированных методов и средств
тестового и функционального контроля
изделий различного назначения

150. Разработка технологии 3645 60 105 105 600 2775 импортозамещение специальных
производства специальных ---- -- --- --- --- ---- конструкционных и технологических
технологических и 2430 40 70 70 400 1850 материалов, обеспечивающих процессы
конструкционных материалов бессвинцовой и комбинированной пайки,
и базовой технологии изготовления коммутационных плат;
защиты электронных модулей разработка влагозащитных
от воздействия в жестких электроизоляционных покрытий с
условиях эксплуатации минимальным газовыделением со сроком
эксплуатации 25 и более лет;
разработка быстроотверждающихся,
эластичных, с низким газовыделением в
вакууме клеев, компаундов;
разработка материалов и технологии их
применения для формирования теплостоков в
высокоплотной аппаратуре;
разработка высокоэффективных ферритов для
планарных трансформаторов повышенной
мощности;
обеспечение разработки технологий:
локальной защиты чувствительных
компонентов, общей защиты модулей
органическими материалами, в том числе
наноструктурированными;
вакуумно-плотной герметизации узлов
и блоков со свободным внутренним объемом
до 5 - 10 л методами пайки и сварки;
изготовления вакуумно-плотных
корпусов многокристальных модулей и
микросборок под поверхностный монтаж на
платы;
формирования покрытий,
обеспечивающих длительную защиту от
дестабилизирующих факторов внешней среды,
включая ионизирующие излучения;
нанесения локальных покрытий с
заданными свойствами на элементы
конструкции модулей

Итого по направлению 8 15630 345 525 510 2580 11670
----- --- --- --- ---- -----
10420 230 350 340 1720 7780

Направление 9. Развитие технологий создания радиоэлектронных систем и комплексов

151. Разработка технологий 2640 60 90 90 435 1965 создание технологий отечественного
создания систем и ---- -- -- -- --- ---- программно-аппаратного обеспечения и
оборудования автоматизации 1760 40 60 60 290 1310 средств разработки для
проектирования автоматизированного проектирования
радиоэлектронных систем и радиоэлектронного оборудования с
комплексов использованием различных
технологических процессов;
повышение качества и сокращение сроков
разработки радиоэлектронной продукции;
создание технологий обеспечения
информационной безопасности
функционирования информационно-
управляющих систем;
существенное повышение уровней защиты
информации в информационно-управляющих
системах, создание базовых универсальных
функциональных модулей защиты информации
от несанкционированного доступа, вирусных
атак, средств разведки и считывания
информации, криптозащиты каналов систем;
реализация полного технологического цикла
проектирования, испытаний и производства
унифицированной высокоэффективной,
импортозамещающей, конкурентоспособной
аппаратуры

152. Разработка технологий 3120 90 120 105 525 2280 создание новых способов моделирования:
моделирования сложных ---- -- --- --- --- ---- комбинированного способа
информационно-управляющих 2080 60 80 70 350 1520 моделирования, позволяющего существенным
систем, в том числе систем образом повысить быстродействие
реального времени вычислений при сохранении точности
расчета выходных показателей
эффективности;
способа операционно-динамического
моделирования;
снижение сроков разработки и
испытаний радиоэлектронной продукции;
повышение достоверности
математического и имитационного
моделирования радиоэлектронных
систем и комплексов, обеспечение
максимальной сходимости результатов
с результатами натурных испытаний и
экспериментов

153. Разработка технологий 2430 45 75 75 405 1830 создание метрологически аттестованной
полунатурных и стендовых ---- -- -- -- --- ---- унифицированной стендовой испытательной
испытаний сложных 1620 30 50 50 270 1220 базы для проведения научно-
информационно-управляющих исследовательских и опытно-
систем конструкторских работ;
снижение сроков разработки и стоимости
испытаний радиоэлектронной продукции;
существенное повышение достоверности
полунатурного моделирования
радиоэлектронных систем и комплексов,
обеспечение максимальной сходимости
результатов с результатами натурных
испытаний

154. Разработка технологии 2265 45 75 75 375 1695 разработка базовых технологий, элементов
конструирования и ---- -- -- -- --- ---- и конструкций для создания парка
производства, а также 1510 30 50 50 250 1130 измерительных систем и приборов,
аппаратно-программного необходимых для разработки и испытаний
обеспечения радиотехнических информационно-
метрологических систем управляющих систем, систем связи и
различного назначения для телекоммуникаций
создания нового поколения
отечественного парка
измерительной аппаратуры

Итого по направлению 9 10455 240 360 345 1740 7770
----- --- --- --- ---- ----
6970 160 240 230 1160 5180

Направление 10. Обеспечивающие работы

155. Разработка организационных 93 6 10 7 10 60 разработка комплекта методической и
принципов и научно- -- - -- - -- -- научно-технической документации для
технической базы 93 6 10 7 10 60 обеспечения функционирования систем
обеспечения проектирования проектирования и производства электронной
и производства электронной компонентной базы в соответствии с
компонентной базы в требованиями Всемирной торговой
соответствии с организации
требованиями Всемирной
торговой организации

156. Создание и обеспечение 128 13 20 15 19 60 разработка новых и совершенствование
функционирования системы --- -- -- -- -- -- существующих методов испытаний
испытаний электронной 128 13 20 15 19 60 электронной компонентной базы, разработка
компонентной базы, методов отбраковочных испытаний
обеспечивающей поставку перспективной электронной компонентной
изделий с гарантированной базы, обеспечение поставки изделий с
надежностью для гарантированной надежностью для
комплектации систем комплектации систем специального
специального и двойного назначения (атомная энергетика,
назначения космические программы, транспорт, системы
двойного назначения)

157. Разработка и 99 7 12 9 11 60 разработка и систематизация методов
совершенствование методов, -- - -- - -- -- расчетно-экспериментальной оценки
обеспечивающих качество и 99 7 12 9 11 60 показателей надежности электронной
надежность компонентной базы, разрешенной для
сложнофункциональной применения в аппаратуре, функционирующей
электронной компонентной в специальных условиях и с длительными
базы на этапах опытно- сроками активного существования
конструкторских работ,
освоения и производства

158. Создание и внедрение 94 7 10 7 10 60 разработка системы технологий обеспечения
основополагающих -- - -- - -- -- жизненного цикла изделия при создании
документов по обеспечению 94 7 10 7 10 60 широкой номенклатуры электронной
жизненного цикла изделия компонентной базы
на этапах проектирования,
производства, применения и
утилизации электронной
компонентной базы

159. Научное сопровождение 127 13 20 15 19 60 оптимизация состава выполняемых
Программы, в том числе --- -- -- -- -- -- комплексов научно-исследовательских и
определение 127 13 20 15 19 60 опытно-конструкторских работ по развитию
технологического и электронной компонентной базы в рамках
технического уровней Программы и определение перспективных
развития отечественной и направлений создания новых классов
импортной электронной электронной компонентной базы с
компонентной базы на установлением системы технико-
основе их рубежных экономических и рубежных технологических
технико-экономических показателей, разработка "маршрутных карт"
показателей, разработка развития по направлениям электронной
"маршрутных карт" развития компонентной базы
групп электронной
компонентной базы

160. Создание интегрированной 98 7 12 9 10 60 проведение технико-экономической
информационно- -- - -- -- -- -- оптимизации выполнения комплексных
аналитической 98 7 12 9 10 60 годовых мероприятий подпрограммы,
автоматизированной системы создание системы действенного финансового
по развитию электронной и технического контроля выполнения
компонентной базы, Программы
охватывающей деятельность
заказчика-координатора,
заказчика и организаций,
участвующих в выполнении
комплекса программных
мероприятий, с целью
оптимизации состава
участников, финансовых
средств, перечисляемой
государству прибыли и
достижения заданных
технико-экономических
показателей
разрабатываемой
электронной компонентной
базы

161. Определение перспектив 93 7 10 8 8 60 формирование системно-ориентированных
развития российской -- - -- - - -- материалов по экономике, технологиям
электронной компонентной 93 7 10 8 8 60 проектирования и производству электронной
базы на основе анализа компонентной базы, обобщение и анализ
динамики сегментов мирового опыта для выработки технически и
мирового и отечественного экономически обоснованных решений
рынков радиоэлектронной развития электронной компонентной базы
продукции и действующей
производственно-
технологической базы

162. Системный анализ 68 8 11 8 7 35 создание отраслевой системы учета и
результатов выполнения -- - -- - - -- планирования развития разработки,
комплекса мероприятий 68 8 11 8 7 35 производства и применения электронной
Программы на основе компонентной базы
создания отраслевой
системы планирования и
учета развития разработки,
производства и применения
электронной компонентной
базы по основным технико-
экономическим показателям

Всего по направлению 10 800 68 105 78 94 455
--- -- --- -- -- ---
800 68 105 78 94 455

Итого по разделу I 99000 5970 7200 7650 15000 63180
----- ---- ---- ---- ----- -----
66000 3980 4800 5100 10000 42120

II. Капитальные вложения

ФЕДЕРАЛЬНОЕ АГЕНТСТВО ПО ПРОМЫШЛЕННОСТИ (РОСПРОМ)

1. Реконструкция и техническое перевооружение действующих радиоэлектронных производств

163. Реконструкция и 1393 630 383 380 создание производственно-технологического
техническое перевооружение ----- --- ----- --- комплекса по выпуску твердотельных
производства 696,5 315 191,5 190 сверхвысокочастотных субмодулей мощностью
сверхвысокочастотной 100 тыс. штук в год
техники федерального
государственного
унитарного предприятия
"Научно-производственное
предприятие "Исток", г.
Фрязино

164. Реконструкция и 1161 220 341 180 420 создание производственной технологической
техническое перевооружение ----- --- ----- --- --- линии по выпуску сверхвысокочастотных
федерального 580,5 110 170,5 90 210 приборов и модулей на широкозонных
государственного полупроводниках
унитарного предприятия
"Научно-производственное
предприятие "Пульсар", г.
Москва

165. Реконструкция и 280 100 180 расширение мощностей по производству
техническое перевооружение ------- --- --- активных элементов и сверхвысокочастотных
федерального 140 <*> 50 90 монолитных интегральных схем с повышенной
государственного радиационной стойкостью с 15 до 35 тыс.
унитарного предприятия штук в год <**>
"Научно-производственное
предприятие "Салют", г.
Нижний Новгород

166. Реконструкция и 280 100 180 ввод новых мощностей по производству
техническое перевооружение ------- --- --- новейших образцов ламп бегущей волны и
федерального 140 <*> 50 90 других сверхвысокочастотных приборов, в
государственного том числе в миллиметровом
унитарного предприятия диапазоне <**>
"Научно-производственное
предприятие "Алмаз", г.
Саратов

167. Реконструкция и 400 210 190 реконструкция производственной линии по
техническое перевооружение ------- --- --- выпуску новых сверхмощных
федерального 200 <*> 105 95 сверхвысокочастотных приборов с
государственного повышенным уровнем технических
унитарного предприятия параметров, надежности и
"Научно-производственное долговечности <**>
предприятие "Торий", г.
Москва

168. Техническое перевооружение 120 60 60 реконструкция производственной линии для
федерального ------ -- -- выпуска новых изделий радиационно стойкой
государственного 60 <*> 30 30 электронной компонентной базы,
унитарного предприятия необходимой для организаций Росатома
"Новосибирский завод и Роскосмоса <**>
полупроводниковых приборов
с ОКБ", г. Новосибирск

169. Техническое перевооружение 180 100 80 создание производственных мощностей по
федерального ------ --- -- выпуску радиационно стойкой электронной
государственного 90 <*> 50 40 компонентной базы в количестве 80 - 100
унитарного предприятия тыс. штук в год для комплектования
"Научно-производственное важнейших специальных систем <**>
предприятие "Восток",
г. Новосибирск

170. Техническое перевооружение 1520 1520 техническое перевооружение завода для
открытого акционерного ------- ---- выпуска сверхбольших интегральных схем с
общества "НИИ молекулярной 760 <*> 760 топологическими нормами 0,18 мкм <**>
электроники и завод
"Микрон", г. Москва

171. Техническое перевооружение 240 120 120 организация участка прецизионной
федерального ------- --- --- оптической и механической обработки
государственного 120 <*> 60 60 деталей для лазерных излучателей,
унитарного предприятия твердотельных лазеров и бескарданных
"Научно-исследовательский лазерных гироскопов нового поколения <**>
институт "Полюс" им.
М.Ф. Стельмаха", г. Москва

172. Техническое перевооружение 420 420 создание новых производственных мощностей
открытого акционерного ------- --- для выпуска микроэлектронных датчиков
общества "Светлана", 210 <*> 210 физических величин и электронных датчиков
г. Санкт-Петербург для экспресс-контроля параметров крови и
жизнедеятельности человека <**>

173. Реконструкция и 300 300 Обеспечение потребности в базовых несущих
техническое ------- --- конструкциях, в том числе
перевооружение 150 <*> 150 импортозамещающих, предприятий
централизованного приборостроения, машиностроения,
производства базовых судостроения и других отраслей
несущих конструкций на промышленности <**>
федеральном
государственном
унитарном предприятии
"Производственное
объединение "Квант", г.
Великий Новгород

174. Техническое перевооружение 120 120 техническое перевооружение действующего
федерального ------ --- производства электронной компонентной
государственного 60 <*> 60 базы и микросистемотехники для создания
унитарного предприятия новых рядов конкурентоспособных изделий
"Научно-исследовательский электронной техники <**>
институт электронно-
механических приборов", г.
Пенза

175. Техническое перевооружение 60 60 техническое перевооружение действующих
федерального ------ -- производственных мощностей по выпуску
государственного 30 <*> 30 сверхбольших интегральных схем и мощных
унитарного предприятия сверхвысокочастотных транзисторов с
"Научно-исследовательский объемом выпуска сверхбольших интегральных
институт электронной схем 50 тыс. штук в год, мощных
техники", г. Воронеж сверхвысокочастотных транзисторов 10 тыс.
штук в год <**>

176. Техническое перевооружение 100 50 50 техническое перевооружение производства
федерального ------ -- -- новых электронных материалов, используемых
государственного 50 <*> 25 25 в микросистемотехнике,
унитарного предприятия микроэлектронике и квантовой электронике
"Научно-исследовательский <**>
институт электронных
материалов",
г. Владикавказ

177. Техническое перевооружение 200 60 140 создание новых производственных мощностей
федерального ------- -- --- по выпуску оптоволоконных соединителей
государственного 100 <*> 30 70 изделий микромеханики <**>
унитарного предприятия
"Производственное
объединение "Октябрь",
г. Каменск-Уральский,
Свердловская область

178. Техническое перевооружение 200 100 100 создание спецтехнологической линии,
открытого акционерного ------- --- --- включающей чистые производственные
общества "Авангард", г. 100 <*> 50 50 помещения и технологическое оборудование
Санкт-Петербург для выпуска современных
микроэлектромеханических и
микроакустоэлектромеханических систем
мирового класса <**>

179. Техническое перевооружение 160 160 организация серийного производства
федерального ------ ------ параметрических рядов мембранных датчиков
государственного 80 <*> 80 <*> (10 млн. штук в год ) и чувствительных
унитарного предприятия элементов для сканирующей зондовой
"Научно-исследовательский микроскопии (0,3 млн. штук в год) <**>
институт физических
проблем имени Ф.В. Лукина",
г. Москва

180. Реконструкция и 840 120 60 660 расширение производства перспективных
техническое перевооружение ------- --- -- --- тонкостенных антенно-фидерных устройств и
производства перспективных 420 <*> 60 30 330 волноводных трактов сверхвысокочастотного
тонкостенных антенно- диапазона, увеличение выпуска в 1,5 раза
фидерных устройств и <**>
волноводных трактов
сверхвысокочастотного
диапазона в открытом
акционерном обществе
"Рыбинский завод
приборостроения",
г. Рыбинск, Ярославская
область

181. Техническое перевооружение 1000 1000 увеличение объемов производства модулей
и реконструкция ------- ---- для обработки и передачи сигналов
технологической и 500 <*> 500 радиолокационных, навигационных и
лабораторной базы посадочных систем до 250 штук в год, рост
производства и контроля объемов производства на 500 - 750 млн.
перспективных рублей <**>
радиоэлектронных модулей в
открытом акционерном
обществе "Челябинский
радиозавод "Полет", г.
Челябинск

182. Техническое перевооружение 1800 1800 повышение эффективности, надежности и
и реконструкция ------- ---- конкурентоспособности отечественных
производства и 900 <*> 900 радиоэлектронных модулей, изделий,
лабораторной базы для комплексов и систем открытого
разработки и производства акционерного общества "Концерн
перспективных радиостроения "Вега" <**>
радиоэлектронных модулей,
изделий в открытом
акционерном обществе
"Концерн радиостроения
"Вега", г. Москва

183. Техническое перевооружение 1200 1200 повышение надежности и качества конечной
и реконструкция ------- ---- продукции открытого акционерного общества
производственно- 600 <*> 600 "Концерн радиостроения "Вега", создание
технологической, конкурентоспособных изделий мирового
контрольно-испытательной уровня, увеличение годового объема
базы нового поколения производства до 6 систем в год <**>
антенных систем
дистанционного
зондирования Земли в
открытом акционерном
обществе "Научно-
исследовательский институт
"Кулон",
г. Москва

184. Техническое перевооружение 350 100 110 140 создание комплексного испытательного
для создания производства ------- --- --- --- стенда для исследования образцов техники
нового поколения 175 <*> 50 55 70 <**>
радиоэлектронных модулей в
открытом акционерном
обществе "Научно-
производственное
предприятие "Рубин", г.
Пенза

185. Техническое перевооружение 400 60 60 280 производство систем радиочастотной
и реконструкция ------- -- -- --- идентификации до 10 тыс. штук в год <**>
производственно- 200 <*> 30 30 140
технологической,
контрольно-испытательной
базы в открытом
акционерном обществе
"Инженерно-маркетинговый
центр Концерна
радиостроения "Вега",
г. Москва

186. Техническое перевооружение 1000 1000 обеспечение производства
и реконструкция мощностей ------- ---- микропроцессорных систем управления и
для производства 500 <*> 500 контроля гибридных двигательных установок
микропроцессорных систем различного класса в объеме до 1000 штук
управления и контроля в месяц <**>
гибридных двигательных
установок различного
класса в открытом
акционерном обществе
"Конструкторское бюро
"Луч", г. Рыбинск,
Ярославская область

187. Реконструкция и 1720 1720 изготовление прецизионных лазерных и
техническое перевооружение ------- ---- пьезокерамических гироскопов для
в целях создания 860 <*> 860 перспективных летательных аппаратов <**>
специализированного
производства прецизионных
лазерных и пьезо-
керамических гироскопов в
открытом акционерном
обществе "Ижевский
электромеханический завод
"Купол", г. Ижевск,
Удмуртская Республика

188. Техническое перевооружение 1220 1220 изготовление унифицированных твердотельных
и реконструкция ------- ---- низкочастотных типовых
специализированного 610 <*> 610 элементов замены для информационных
производства средств и модулей активных фазированных
унифицированных антенных решеток для локационных систем
низкочастотных типовых различного применения, перспективных
элементов замены и модулей средств связи и управления
активных фазированных воздушным движением <**>
антенных решеток в
открытом акционерном
обществе "Марийский
машиностроительный завод",
г. Йошкар-Ола

189. Реконструкция и 720 720 организация производства и внедрение
техническое перевооружение ------- --- современной технологии с соответствующим
производства 360 <*> 360 переоснащением высокопроизводительным
унифицированных оборудованием, увеличение объема
электронных модулей ежегодного производства продукции с 2370
межвидового применения на млн. рублей в 2007 году до 5028 млн.
федеральном рублей в 2015 году <**>
государственном унитарном
предприятии "Нижегородский
научно-исследовательский
институт радиотехники", г.
Нижний Новгород

190. Техническое перевооружение 970 110 60 70 730 увеличение объемов производства,
и реконструкция ------- --- -- -- --- повышение качества и надежности
специализированного 485 <*> 55 30 35 365 твердотельных передающих и приемных
производства твердотельных систем, приемо-передающих модулей
передающих и приемных активных фазированных антенных решеток
систем, приемо-передающих L-диапазона для перспективных средств
модулей активных связи и управления воздушным движением
фазированных антенных <**>
решеток в открытом
акционерном обществе
"Научно-производственное
объединение "Правдинский
радиозавод", г. Балахна,
Нижегородская область

191. Техническое перевооружение 1230 1230 увеличение объемов производства,
и реконструкция ------- ---- повышение качества и надежности
специализированного 615 <*> 615 твердотельных передающих и приемных
производства твердотельных систем, приемо-передающих модулей
передающих и приемных активных фазированных антенных решеток
систем, приемо-передающих C- и S-диапазонов волн
модулей активных для перспективных средств связи и
фазированных антенных управления воздушным движением <**>
решеток в открытом
акционерном обществе
"Научно-производственное
объединение "Лианозовский
электромеханический
завод", г. Москва

192. Техническое перевооружение 450 100 160 190 изготовление приемо-передающих модулей
и реконструкция ------- --- --- --- активных фазированных антенных решеток C-
специализированного 225 <*> 50 80 95 и сверхвысокочастотного диапазона волн
производства приемо- для информационных средств и
передающих модулей информационно-управляющих систем,
активных фазированных увеличение объема производства в 1,8 раза
антенных решеток в <**>
открытом акционерном
обществе "Новосибирский
завод им. Коминтерна", г.
Новосибирск

193. Техническое перевооружение 800 800 изготовление унифицированных
и реконструкция ------- --- твердотельных высокочастотных типовых
специализированного 400 <*> 400 элементов замены для локализации систем
производства различного применения, перспективных
унифицированных средств связи и управления воздушным
высокочастотных типовых движением, увеличение объема
элементов замены в производства типовых элементов
открытом акционерном замены в 1,5 раза <**>
обществе "Рязанский завод
"Красное Знамя", г. Рязань

194. Техническое перевооружение 960 960 увеличение выпуска унифицированных
и реконструкция ------- --- автоматизированных рабочих мест
специализированного 480 <*> 480 операторов информационных и
производства специального назначения управляющих
унифицированных рабочих систем в 1,7 раза <**>
мест операторов
информационных систем в
открытом акционерном
обществе "Уральское
производственное
предприятие "Вектор", г.
Екатеринбург

195. Реконструкция и 960 960 внедрение современных технологий с
техническое перевооружение ------- --- соответствующим переоснащением
для создания регионального 480 <*> 480 высокопроизводительным оборудованием для
контрактного производства организации контрактного производства
унифицированных <**>
электронных модулей в
открытом акционерном
обществе "Концерн
"Созвездие", г. Воронеж

196. Создание лабораторной, 2060 2060 создание конкурентоспособной продукции
технологической и -------- ---- мирового уровня, освоение технологий
производственной базы для 1030 <*> 1030 двойного назначения, увеличение объема
обеспечения разработки, выпуска изделий до 2 - 2,5 млрд. рублей в
производства и испытаний год <**>
нового поколения
телекоммуникационных
систем и комплексов в
открытом акционерном
обществе "Концерн
"Созвездие", г. Воронеж

197. Реконструкция и 160 40 40 80 увеличение объема выпуска продукции в 1,4
техническое перевооружение ------ -- -- -- - 1,5 раза, повышение качества и
производства перспективной 80 <*> 20 20 40 конкурентоспособности продукции <**>
наземной аппаратуры связи
в открытом акционерном
обществе "Рязанский
радиозавод", г. Рязань

198. Реконструкция и 490 50 60 380 увеличение объема выпуска продукции в 1,3
техническое перевооружение ------- -- -- --- - 1,5 раза, повышение качества и
производства перспективных 245 <*> 25 30 190 конкурентоспособности продукции <**>
коротковолновых
радиостанций в открытом
акционерном обществе
"Тамбовский завод
"Октябрь", г. Тамбов

199. Реконструкция и 350 350 модернизация производства и внедрение
техническое перевооружение ------- --- современной технологии с соответствующим
производства наземной 175 <*> 175 переоснащением высокопроизводительным
аппаратуры подвижной связи оборудованием <**>
в открытом акционерном
обществе "Тамбовский завод
"Революционный труд", г.
Тамбов

200. Техническое перевооружение 600 90 50 60 400 ускорение и повышение качества разработки
и реконструкция ------- -- -- -- --- мультисервисных сетей ведомственной и
производственно- 300 <*> 45 25 30 200 профессиональной связи, ожидаемый
технологической и экономический эффект 3 млрд. рублей <**>
лабораторно-испытательной
базы в открытом
акционерном обществе
"Воронежский научно-
исследовательский институт
"Вега", г. Воронеж

201. Техническое перевооружение 220 60 80 80 ускорение и повышение качества разработки
и реконструкция ------- -- -- -- перспективных программно реализуемых
лабораторной и 110 <*> 30 40 40 сетей радиосвязи и серии унифицированных
производственно- электронных модулей для построения
технологической базы указанных сетей <**>
нового поколения узлов
связи в открытом
акционерном обществе
"Тамбовский научно-
исследовательский институт
радиотехники "Эфир", г.
Тамбов

202. Техническое перевооружение 1520 1520 серийное производство монокристаллических
производства открытого ------- ---- и мультикристаллических пластин кремния;
акционерного общества 760 <*> 760 производство детекторов на основе новых
"Богородицкий завод высокотемпературных кристаллов
технохимических изделий", сцинтилляторов <**>
г. Богородицк, Тульская
область

203. Создание серийного 1120 1120 серийное производство инфракрасных
производства инфракрасных ------- ---- оптоэлектронных компонентов и комплекса
оптоэлектронных 560 <*> 560 электронных средств для обеспечения
компонентов в открытом безопасности промышленных объектов <**>
акционерном обществе "РЭ
Комплексные системы",
г. Санкт-Петербург

204. Техническое перевооружение 320 100 100 120 увеличение объемов производства в 1,5
с целью создания ------- --- --- --- раза <**>
производства новых 160 <*> 50 50 60
электровакуумных приборов
на федеральном
государственном унитарном
предприятии "Научно-
производственное
предприятие "Контакт",
г. Саратов

205. Техническое перевооружение 300 100 100 100 обеспечение увеличения объема выпуска
и реконструкция ------- --- --- --- продукции до 0,8 - 1,2 млрд. рублей в
производства по выпуску 150 <*> 50 50 50 год, увеличения ресурса изделий,
электровакуумных приборов создания новых приборов <**>
сверхвысокочастотного
диапазона и специального
технологического
оборудования в открытом
акционерном обществе
"Владыкинский механический
завод", г. Москва

206. Техническое перевооружение 800 800 создание сборочного производства с
для создания сборочного ------- --- использованием микроминиатюрной
производства электронных 400 <*> 400 элементной базы, в том числе
модулей с использованием микропроцессоров и матриц BGA <**>
новейшей электронной базы
на федеральном
государственном унитарном
предприятии
"Электромеханический завод
"Звезда", г. Сергиев
Посад, Московская область

207. Реконструкция и 420 420 увеличение объема выпуска продукции до
техническое перевооружение ------- --- 520 млн. рублей в год <**>
с целью создания 210 <*> 210
контрактного производства
электронных модулей на
федеральном
государственном унитарном
предприятии "Калужский
завод телеграфной
аппаратуры", г. Калуга

208. Техническое перевооружение 302 302 внедрение современных технологий,
и реконструкция ------- --- создание комплекса для проведения
производства и приборно- 151 <*> 151 контроля технологических параметров
измерительной базы на и испытаний. Увеличение объема выпуска
федеральном продукции в 1,5 раза <**>
государственном унитарном
предприятии "Таганрогский
научно-исследовательский
институт связи", г.
Таганрог

209. Техническое 480 480 производство наногетероструктурных
перевооружение и ------- --- сверхвысокочастотных транзисторов и
реконструкция пилотной 240 <*> 240 монолитных интегральных схем для систем
технологической линии по связи, измерительной техники,
изготовлению радиолокации и сверхвысокочастотной
наногетероструктурных радиометрии <**>
сверхвысокочастотных
транзисторов и монолитных
интегральных схем для
систем связи,
измерительной техники,
радиолокации и
сверхвысокочастотной
радиометрии на федеральном
государственном унитарном
предприятии "Институт
сверхвысокочастотной
полупроводниковой
электроники Российской
Академии наук",
г. Москва

210. Техническое перевооружение 300 300 производство полного функционального ряда
и реконструкция ------- --- массовых отечественных микроминиатюрных
производства испытательной 150 <*> 150 пьезоэлектрических генераторов, фильтров,
базы нового поколения резонаторов. Увеличение объема выпуска
пьезоэлектрических продукции до 230 - 250 млн. рублей в год
генераторов, фильтров, <**>
резонаторов в открытом
акционерном обществе
"Завод "Метеор", г.
Волжский, Волгоградская
область

211. Реконструкция и 400 400 расширение производственных площадей
техническое перевооружение ------- --- выпуска приемо-передающих модулей на 720
научно-производственной и 200 <*> 200 кв. м <**>
лабораторной базы на
федеральном
государственном унитарном
предприятии "Ордена
Трудового Красного Знамени
федеральный научно-
производственный центр по
радиоэлектронным системам
и информационным
технологиям имени В.И. Шимко",
г. Казань

212. Техническое перевооружение 400 400 организация контрактной сборки массовой
с целью создания ------- --- продукции, увеличение объема производства
контрактного производства 200 <*> 200 контрактной продукции в 1,8 раза <**>
унифицированных
электронных модулей на
федеральном
государственном унитарном
предприятии "Нижегородский
завод имени М.В. Фрунзе",
г. Нижний Новгород

213. Техническое перевооружение 300 120 180 организация контрактной сборки массовой
с целью создания ------- --- --- продукции, увеличение объема производства
контрактного производства 150 <*> 60 90 контрактной продукции в 2,5 раза <**>
унифицированных
электронных модулей на
федеральном
государственном унитарном
предприятии "Омское
производственное
объединение "Иртыш",
г. Омск

214. Техническое перевооружение 300 300 организация контрактной сборки массовой
с целью создания ------- --- продукции, увеличение объема производства
контрактного производства 150 <*> 150 контрактной продукции в 1,5 раза <**>
унифицированных
электронных модулей в
открытом акционерном
обществе "Авангард",
г. Санкт-Петербург

215. Техническое перевооружение 1000 1000 обеспечение изготовления печатных плат с
с целью создания ------- ---- новыми финишными покрытиями до 20 000
контрактного производства 500 <*> 500 кв. м в год;
по изготовлению печатных обеспечение изготовления унифицированных
плат выше 5-го класса электронных модулей на печатных платах в
точности и унифицированных количестве до 400 тыс. штук в год <**>
электронных модулей на
федеральном
государственном унитарном
предприятии "Пензенское
производственное
объединение
"Электроприбор", г. Пенза

216. Техническое перевооружение 600 600 внедрение современной технологии с
и реконструкция ------- --- соответствующим переоснащением
производства электронных 300 <*> 300 высокопроизводительным оборудованием.
сверхвысокочастотных Увеличение объема выпуска продукции в 1,5
модулей на федеральном раза <**>
государственном унитарном
предприятии "Нижегородский
научно-исследовательский
приборостроительный
институт "Кварц",
г. Нижний Новгород

217. Техническое перевооружение 510 510 обеспечение разработки, производства и
и реконструкция ------- --- аттестации средств комплексов и систем
производства систем 255 <*> 255 защиты информации. Увеличение объема
комплексов и средств, выпуска продукции до 0,8 - 1,2 млрд.
защиты информации на рублей <**>
федеральном
государственном унитарном
предприятии "Научно-
исследовательский институт
автоматики", г. Москва

218. Техническое перевооружение 300 300 обеспечение потребности организаций в
и реконструкция ------- --- базовых несущих конструкциях для всех
регионального производства 150 <*> 150 видов радиоэлектронной аппаратуры.
базовых несущих Увеличение объема выпуска продукции в 2
конструкций (БНК) на раза <**>
федеральном
государственном унитарном
предприятии "Всероссийский
научно-исследовательский
институт "Градиент",
г. Ростов-на-Дону

219. Реконструкция и 360 360 обеспечение разработки, производства и
техническое перевооружение ------- --- аттестации комплексов средств
производственно- 180 <*> 180 автоматизации информационно-управляющих
технологической и систем. Увеличение объема выпуска
лабораторно-испытательной продукции до 0,52 млрд. рублей <**>
базы для создания
комплексов средств
автоматизации
информационно-управляющих
систем на федеральном
государственном унитарном
предприятии "Ордена
Трудового Красного Знамени
научно-исследовательский
институт автоматической
аппаратуры им. академика
В.С. Семенихина", г. Москва

220. Техническое перевооружение 300 300 организация контрактной сборки массовой
с целью создания ------- --- продукции, увеличение объема производства
контрактного производства 150 <*> 150 контрактной продукции в 1,8 раза <**>
унифицированных
электронных модулей на
федеральном
государственном унитарном
предприятии
"Калугаприбор", г. Калуга

221. Техническое перевооружение 300 300 организация контрактной сборки массовой
с целью создания ------- --- продукции, увеличение объема производства
контрактного производства 150 <*> 150 контрактной продукции в 1,7 раза <**>
унифицированных
электронных модулей на
федеральном
государственном унитарном
предприятии "Ростовский-
на-Дону научно-
исследовательский институт
радиосвязи",
г. Ростов-на-Дону

222. Техническое перевооружение 300 300 организация контрактной сборки массовой
с целью создания ------- --- продукции, увеличение объема производства
контрактного производства 150 <*> 150 контрактной продукции в 2,5 раза <**>
унифицированных
электронных модулей на
федеральном
государственном унитарном
предприятии "Ордена
Трудового Красного Знамени
научно-исследовательский
институт автоматической
аппаратуры им. академика
В.С. Семенихина",
г. Москва

223. Техническое перевооружение 300 300 организация контрактной сборки массовой
с целью создания ------- --- продукции, увеличение объема производства
контрактного производства 150 <*> 150 контрактной продукции в 2,5 раза <**>
унифицированных
электронных модулей на
федеральном
государственном унитарном
предприятии "Курский завод
"Маяк", г. Курск

224. Техническое перевооружение 400 400 организация контрактной сборки массовой
с целью создания ------- --- продукции, увеличение объема производства
контрактного производства 200 <*> 200 контрактной продукции в 1,8 раза <**>
унифицированных
электронных модулей на
федеральном
государственном унитарном
предприятии "Научно-
исследовательский институт
"Полюс" имени
М.Ф. Стельмаха", г. Москва

225. Техническое перевооружение 300 300 организация контрактной сборки массовой
с целью создания ------- --- продукции, увеличение объема производства
контрактного производства 150 <*> 150 контрактной продукции в 1,7 раза <**>
унифицированных
электронных модулей на
федеральном
государственном унитарном
предприятии "Научно-
исследовательский институт
телевидения",
г. Санкт-Петербург

226. Техническое перевооружение 240 240 увеличение объема производства в 1,5 раза
с целью создания мощностей ------- --- <**>
по выпуску источников 120 <*> 120
вторичного электропитания
в открытом акционерном
обществе "Специальное
конструкторско-
технологическое бюро по
релейной технике",
г. Великий Новгород

227. Реконструкция и 400 400 увеличение объема производства
техническое перевооружение ------- --- радиоэлектронных изделий на 170 млн.
производства и 200 <*> 200 рублей <**>
испытательной базы
широкополосных
сверхвысокочастотных
устройств на федеральном
государственном унитарном
предприятии "Брянский
электромеханический
завод", г. Брянск

228. Техническое перевооружение 100 100 увеличение объема выпуска продукции на
и реконструкция ------ --- 100 млн. рублей, освоение серийного
производственно- 50 <*> 50 производства изделий "Орион-3М", "Орион-
испытательных мощностей на 3СМ", "Анализ", "Страж-ПМ" и других <**>
федеральном
государственном унитарном
предприятии
"Государственное
конструкторское бюро
аппаратно-программных
средств "Связь",
г. Ростов-на-Дону

229. Техническое перевооружение 800 800 увеличение объема выпуска продукции до
и реконструкция научно- ------- --- 1,5 - 2 млрд. рублей в год, снижение
технического и 400 <*> 400 себестоимости продукции <**>
производственного
комплексов по выпуску
электровакуумных приборов
сверхвысокочастотного
диапазона на федеральном
государственном унитарном
предприятии "Научно-
производственное
предприятие "Торий", г.
Москва

230. Техническое перевооружение 300 200 100 увеличение объема выпуска продукции
и реконструкция ------- --- --- в 2 раза <**>
регионального производства 150 <*> 100 50
базовых несущих
конструкций на федеральном
государственном унитарном
предприятии "Научно-
производственное
предприятие "Полет",
г. Нижний Новгород

231. Техническое перевооружение 480 480 организация производства базисных
и реконструкция ------- --- материалов и элементов для разработки
производства, 240 <*> 240 приборов и устройств контроля сверхмалых
метрологической и количеств химических и биологических
стендовой базы для веществ с использованием
наноструктурированных наноструктурированных материалов,
материалов, слоистых слоистых структур и композитов на их
структур и композитов на основе <**>
их основе в открытом
акционерном обществе
"Центральный научно-
исследовательский
технологический институт
"Техномаш", г. Москва

232. Реконструкция и 400 400 увеличение объема производства изделий до
техническое перевооружение ------- --- 1,9 млн. штук и 650 млн. рублей <**>
испытательного центра для 200 <*> 200
обеспечения комплекса
работ по корпусированию и
испытаниям
сложнофункциональных
интегральных схем в
открытом акционерном
обществе "Российский
научно-исследовательский
институт
"Электронстандарт",
г. Санкт-Петербург

233. Реконструкция и 700 700 увеличение объема выпуска продукции на 2
техническое перевооружение ------- --- млрд. рублей <**>
технологической линии по 350 <*> 350
производству прецизионных
многослойных печатных плат
на федеральном
государственном унитарном
предприятии "Омский
приборостроительный ордена
Трудового Красного Знамени
завод им. Н.Г. Козицкого",
г. Омск

234. Реконструкция и 806 220 176 190 220 создание конкурентоспособных изделий
техническое перевооружение ------- --- --- --- --- мирового уровня. Разработка технологий
производственно- 403 <*> 110 88 95 110 двойного назначения. Увеличение объема
технологической и производства в 1,5 раза <**>
лабораторно-испытательной
базы на федеральном
государственном унитарном
предприятии "Научно-
исследовательский институт
"Экран", г. Самара

235. Реконструкция и 720 720 создание комплексов конкурентоспособной
техническое перевооружение ------- --- аппаратуры специальной радиосвязи и
производственно- 360 <*> 360 управления. Увеличение объема выпуска
технологической и продукции в 1,5 раза <**>
лабораторной базы для
комплексов специальной
радиосвязи и управления на
федеральном
государственном унитарном
предприятии "Омский
научно-исследовательский
институт приборостроения",
г. Омск

236. Реконструкция и 280 280 повышение конкурентоспособности, снижение
техническое перевооружение ------- --- сроков разработки на 4 - 5 месяцев.
моделирующего центра в 140 <*> 140 Создание поведенческих моделей систем
открытом акционерном реального времени, использование систем
обществе "Научно- поддержки принятия решений, проведение и
исследовательский институт анализ полунатурных испытаний, отработка
вычислительных комплексов алгоритмов искусственного интеллекта.
им. М.А. Карцева", г. Сокращение сроков испытания в 1,5 - 2
Москва раза. Применение CALS-технологий с целью
сокращения затрат и поддержки жизненного
цикла разрабатываемых систем <**>

237. Техническое перевооружение 560 560 увеличение объема выпуска продукции до
и реконструкция ------- --- 421,5 млн. рублей <**>
производственно- 280 <*> 280
технологической и
лабораторно-испытательной
базы по созданию
модернизированной системы
идентификации на
федеральном
государственном унитарном
предприятии "Пензенское
производственное
объединение электронной
вычислительной техники",
г. Пенза

238. Техническое перевооружение 600 600 создание метрологической, испытательной
и реконструкция ------- --- базы для разработки и производства
метрологической, 300 <*> 300 контрольно-измерительной аппаратуры
испытательной базы и миллиметрового диапазона длин волн.
производства оптических Увеличение объема производства квантовых
изделий на федеральном рубидиевых стандартов частоты в 3 раза
государственном унитарном <**>
предприятии "Нижегородский
научно-исследовательский
приборостроительный
институт "Кварц", г.
Нижний Новгород

239. Техническое перевооружение 180 180 создание сверхширокополосных
и реконструкция стендовой ------ --- измерительных комплексов для измерения
и испытательной базы 90 <*> 90 параметров одиночных антенн и линейных,
сложных радиоэлектронных плоских и объемных решеток систем
систем и комплексов в навигации, посадки и радиолокации в
открытом акционерном ближней и дальней зонах (до 1000 м) и
обществе "Производственное модернизация существующей в
объединение "Азимут", организации испытательной базы для
г. Махачкала проведения научно-исследовательских и
опытно-конструкторских работ <**>

240. Реконструкция и 570 70 500 увеличение объема выпуска продукции до 3
техническое перевооружение ------- -- --- - 3,5 млрд. рублей в год <**>
производственно- 285 <*> 35 250
технологической и
лабораторно-испытательной
базы в открытом
акционерном обществе
"Научно-исследовательский
институт полупроводниковых
приборов", г. Томск

241. Техническое перевооружение 1160 60 1100 увеличение объема производства монолитно-
и реконструкция ------- -- ---- интегральных и гибридно-монолитных
производства 580 <*> 30 550 приборов и электронных компонентов (в том
сверхвысокочастотной числе импортозамещающих) до 250 тыс. штук
техники на федеральном в год, электровакуумных и вакуумно-
государственном унитарном твердотельных модулей (в том числе на
предприятии "Научно- основе микроминиатюрных ламп бегущей
производственное волны) до 1 тыс. штук в год,
предприятие "Салют", унифицированных приемо-передающих модулей
г. Нижний Новгород (в диапазоне частот 20 - 150 ГГц) до 1,5
тыс. штук в год <**>

242. Реконструкция и 224 224 увеличение объема выпуска продукции до
техническое перевооружение ------- --- 761,5 млн. рублей в год. Серийный выпуск
для выпуска теплоотводящих 112 <*> 112 электронных компонентов, керамических
керамических подложек для подложек, керамических корпусов,
твердотельных обеспечивающих увеличение объемов
сверхвысокочастотных производства в различных отраслях
устройств и IGBT-модулей в промышленности, сверхвысокочастотной
открытом акционерном техники и силовой полупроводниковой
обществе "Холдинговая электроники <**>
компания "Новосибирский
электровакуумный завод -
Союз", г. Новосибирск

243. Техническое перевооружение 640 640 реконструкция опытного производства с
и реконструкция опытного ------- --- учетом реализации новых технологий по
приборного производства в 320 <*> 320 изготовлению интегральных сборок,
открытом акционерном датчиков на пьезопленках и других <**>
обществе "Концерн
"Океанприбор",
г. Санкт-Петербург

244. Реконструкция и 832 140 692 комплексное дооснащение базовых
техническое перевооружение ------- --- --- технологий производства электронных
организации для 416 <*> 70 346 средств вычислительной техники с целью
совершенствования судовой импортозамещения и повышения
электротехнической конкурентоспособности;
продукции в открытом создание экспериментально-
акционерном обществе лабораторного комплекса для проведения
"Научно-производственное контроля технологических параметров и
объединение "Марс", испытаний <**>
г. Ульяновск

245. Реконструкция и 240 240 техническое перевооружение обеспечит:
техническое перевооружение ------- --- внедрение современных технологий
опытно-экспериментального 120 <*> 120 производства модулей функциональной
производства модулей микроэлектроники;
функциональной рост объема производства
микроэлектроники в функциональных модулей в 2 - 2,5 раза;
открытом акционерном расширение номенклатуры без
обществе "Концерн "Гранит- существенных затрат на подготовку
Электрон", г. Санкт- производства;
Петербург промышленное освоение технологий
влагозащиты и электроизоляции модулей
<**>

246. Создание производственного 1100 1100 создание участков по производству
комплекса для массового ------- ---- кремниевых датчиков, многослойных плат,
производства компонентов 550 <*> 550 сборке и корпусированию инерциальных
инерциальных микромеханических изделий <**>
микромеханических датчиков
двойного назначения на
федеральном
государственном унитарном
предприятии "Центральный
научно-исследовательский
институт "Электроприбор",
г. Санкт-Петербург

247. Реконструкция инженерно- 620 100 520 внедрение современных базовых технологий
испытательного корпуса в ------- --- --- производства электронных модулей цифровой
открытом акционерном 310 <*> 50 260 и цифроаналоговой вычислительной техники;
обществе обеспечение разработки и производства
"Концерн "Гранит- базовых унифицированных электронных
Электрон", г. Санкт- модулей. Увеличение объема поставок до
Петербург 10000 штук <**>

248. Техническое перевооружение 460 160 300 создание новой оптической элементной базы
производственно- ------- --- --- перспективных оптико-электронных систем,
технологического комплекса 230 <*> 80 150 обеспечивающей предельно возможные
по созданию оптико- технические параметры систем, в том числе
электронной компонентной комплексированных и многоспектральных
базы на федеральном оптических каналов <**>
государственном унитарном
предприятии "Научно-
производственное
объединение
"Государственный институт
прикладной оптики", г.
Казань

249. Реконструкция 640 640 разработка, испытания, опытные поставки и
производственно- ------- --- серийное производство новых видов оптико-
испытательного комплекса 320 <*> 320 электронных систем, обеспечивающих
федерального предельно возможные технические параметры
государственного изделий <**>
унитарного предприятия
"Научно-производственная
корпорация
"Государственный
оптический институт имени
С.И. Вавилова", г. Санкт-
Петербург

250. Реконструкция корпуса 2Ж 700 700 создание единого аналитического центра по
для создания лабораторно- ------- --- исследованиям и сертификации важнейших
аналитического центра 350 <*> 350 материалов и компонентов инфракрасной
инфракрасной фото- и фотоэлектроники <**>
оптоэлектроники на
федеральном
государственном унитарном
предприятии "НПО "Орион",
г. Москва

251. Техническое перевооружение 3720 3720 создание производственно-технологического
производственно- -------- ---- комплекса, который обеспечит промышленный
технологического комплекса 1860 <*> 1860 выпуск изделий компонентной базы 2-го и
по созданию 3-го поколений и оптико-электронных
оптоэлектронной систем на их основе с параметрами,
компонентной базы на превышающими современный и прогнозируемый
федеральном мировой уровень <**>
государственном унитарном
предприятии "НПО "Орион",
г. Москва

252. Техническое перевооружение 600 600 создание инфракрасных матричных
производственно- ------- --- фотоприемных устройств нового поколения и
технологической базы в 300 <*> 300 организация на их основе производства
открытом акционерном тепловизионной аппаратуры широкого
обществе "Московский завод применения <**>
"Сапфир", г. Москва

253. Модернизация стендово- 420 140 280 обеспечение возможности проведения
экспериментальной базы на ------- --- --- испытаний опытных образцов источников
федеральном 210 <*> 70 140 электроэнергии, статических
государственном унитарном преобразователей и аппаратуры защиты и
предприятии "Научно- коммутации для проекта "полностью
исследовательский институт электрический самолет" <**>
авиационного
оборудования",
г. Жуковский, Московская
область

254. Техническое перевооружение 520 520 изготовление конкурентоспособных изделий
производственной базы, ------- --- авиационной техники, соответствующих
освоение инновационных 260 <*> 260 современным и перспективным международным
технологий для стандартам <**>
изготовления
радиоэлектронных изделий
авиационной техники с
использованием новых
уровней технологий на
федеральном
государственном унитарном
предприятии "Научно-
исследовательский
институт авиационного
оборудования",
г. Жуковский, Московская
область

255. Реконструкция и 376 100 276 создание производственных мощностей по
техническое перевооружение ------- --- --- производству современной
экспериментально- 188 <*> 50 138 микроэлектронной аппаратуры <**>
технологической базы для
производства
микроэлектронных изделий
на федеральном
государственном унитарном
предприятии "Казанское
приборостроительное
конструкторское бюро", г.
Казань

256. Реконструкция и 230 230 производство конкурентоспособной
техническое перевооружение ------- --- продукции, обладающей современными
цеха по производству 115 <*> 115 показателями по надежности,
первичных преобразователей быстродействию и массогабаритным
и вторичной аппаратуры на характеристикам <**>
федеральном
государственном унитарном
предприятии "Казанское
приборостроительное
конструкторское бюро", г.
Казань

257. Реконструкция и 458 160 298 серийное производство широкой
техническое перевооружение ------- --- --- номенклатуры статических
производства электронных 229 <*> 80 149 преобразователей напряжения авиационных
систем самолетного перспективных объектов (проект
энергоснабжения в открытом "полностью электрический самолет",
акционерном обществе истребитель 5-го поколения, программа
"Агрегатное развития гражданской авиационной техники)
конструкторское бюро <**>
"Якорь", г. Москва

258. Создание электронного 1070 1070 полигон позволит проводить работы с
полигона по исследованиям, ------- ---- радиоэлектронной аппаратурой в условиях
отработке и сертификации 535 <*> 535 реального полета с учетом информационного
бортового авиационного взаимодействия с наземными и самолетными
радиоэлектронного системами обеспечения воздушного движения
оборудования на в реальных условиях естественных и
федеральном промышленных помех <**>
государственном унитарном
предприятии "Летно-
испытательный институт
имени М.М. Громова",
г. Жуковский, Московская
область

259. Создание центра 400 400 создание новой позиции для проведения
сертификации аппаратных ------- --- сертификации аппаратных модулей бортовой
средств бортовой 200 <*> 200 вычислительной техники, включающей:
вычислительной техники на аппаратное и программное оснащение
федеральном центра сертификации;
государственном унитарном создание и освоение базовых
предприятии инженерных методик проведения
"Государственный научно- сертификации;
исследовательский акты ввода в эксплуатацию центра
институт авиационных сертификации <**>
систем", г. Москва

260. Создание распределенной 500 500 создание распределенной информационно-
отраслевой стендово- ------- --- связанной сети стендов, на которой будут
имитационной среды 250 <*> 250 проводиться исследования архитектур и
исследований, отработки информационных потоков, соответствующих
прикладного различным условиям полета, интерфейсов,
математического отработка системного и функционального
обеспечения, отладки и математического обеспечения, отладка
испытаний систем и прикладного математического обеспечения и
комплексов авиационного радиоэлектронной бортовой аппаратуры,
бортового наземные сертификационные испытания
радиоэлектронного радиоэлектронных систем и комплексов <**>
оборудования на
федеральном
государственном унитарном
предприятии
"Государственный научно-
исследовательский
институт авиационных
систем", г. Москва

261. Техническое перевооружение 1040 1040 освоение:
производства в открытом ------- ---- базовой конструкции
акционерном обществе 520 <*> 520 фоточувствительных приборов с матричными
"Научно-производственный приемниками высокого разрешения для
комплекс "Технокомплекс", видимого и ближнего инфракрасного
г. Раменское, диапазона на основе применения
Московская область отечественной электронной компонентной
базы;
технологии создания
фоточувствительных приборов с матричными
приемниками высокого разрешения для
видимого и ближнего инфракрасного
диапазона на основе применения
отечественной электронной компонентной
базы <**>

262. Техническое перевооружение 296 296 ввод в эксплуатацию производственных
участков монтажа ------- --- линий с высокой степенью автоматизации
электронных систем и 148 <*> 148 производства современной авиационной
электронно-оптических радиоэлектронной и оптико-электронной
модулей на федеральном аппаратуры для коммерческой и военной
государственном унитарном авиации <**>
предприятии Санкт-
Петербургское особое
конструкторское бюро
"Электроавтоматика",
г. Санкт-Петербург

2. Реконструкция и техническое перевооружение
для создания базовых центров системного проектирования

263. Реконструкция и 160 60 100 создание межотраслевого базового центра
техническое перевооружение ------ -- --- системного проектирования площадью 800
федерального 80 <*> 30 50 кв. м <**>
государственного
унитарного предприятия
"Научно-исследовательский
институт микроэлектронной
аппаратуры "Прогресс", г.
Москва, для создания
межотраслевого центра
проектирования

264. Реконструкция и 120 120 создание базового центра системного
техническое перевооружение ------ --- проектирования производительностью 40
открытого акционерного 60 <*> 60 аппаратно-программных комплексов в год
общества "Информационные <**>
телекоммуникационные
технологии", г. Санкт-
Петербург, для создания
базового центра полного
цикла проектирования и
производства аппаратно-
программных комплексов

265. Реконструкция и 120 120 создание базового центра системного
техническое перевооружение ------ --- проектирования площадью 500 кв. м <**>
открытого акционерного 60 <*> 60
общества "Московский
научно-исследовательский
институт "Агат", г.
Жуковский, Московская
область, для создания
базового центра
проектирования

266. Реконструкция и 80 30 50 создание базового центра системного
техническое перевооружение ------ -- -- проектирования площадью 400 кв. м <**>
открытого акционерного 40 <*> 15 25
общества "Всероссийский
научно-исследовательский
институт радиотехники", г.
Москва, для создания
базового центра
проектирования

267. Реконструкция и 460 60 140 260 создание базового центра системного
техническое перевооружение ------- -- --- --- проектирования площадью 1000 кв. м <**>
открытого акционерного 230 <*> 30 70 130
общества "НИИ молекулярной
электроники и завод
"Микрон", г. Москва, для
создания базового центра
проектирования

268. Реконструкция и 60 60 создание базового центра системного
техническое перевооружение ------ -- проектирования площадью 250 кв. м <**>
федерального 30 <*> 30
государственного
унитарного предприятия
"Научно-исследовательский
институт автоматики", г.
Москва, для создания
базового центра
проектирования

269. Реконструкция и 140 140 создание базового центра системного
техническое перевооружение ------ --- проектирования площадью 600 кв. м <**>
федерального 70 <*> 70
государственного
унитарного предприятия
"Научно-производственное
предприятие "Восток", г.
Новосибирск, для создания
базового центра
проектирования

270. Реконструкция и 200 80 120 создание базового центра системного
техническое перевооружение ------- -- --- проектирования площадью 700 кв. м <**>
открытого акционерного 100 <*> 40 60
общества "Концерн
"Созвездие", г. Воронеж,
для создания базового
центра проектирования

271. Реконструкция и 200 80 120 создание базового центра системного
техническое перевооружение ------- -- --- проектирования площадью 700 кв. м <**>
открытого акционерного 100 <*> 40 60
общества "Концерн
радиостроения "Вега", г.
Москва, для создания
базового центра
проектирования

272. Реконструкция и 120 120 создание базового центра системного
техническое перевооружение ------ --- проектирования площадью 500 кв. м <**>
федерального 60 <*> 60
государственного
унитарного предприятия
"Ростовский-на-Дону
научно-исследовательский
институт радиосвязи",
г. Ростов-на-Дону, для
создания базового центра
проектирования

273. Реконструкция и 34 34 создание базового центра системного
техническое перевооружение -- -- проектирования площадью 500 кв. м <**>
действующего предприятия 17 17
федеральное
государственное унитарное
предприятие "Омский
научно-исследовательский
институт приборостроения",
г. Омск (развитие базового
центра системного
проектирования СБИС)

274. Реконструкция и 120 120 создание базового центра системного
техническое перевооружение ------ --- проектирования площадью 500 кв. м <**>
открытого акционерного 60 <*> 60
общества "Российский
институт радионавигации и
времени", г. Санкт-
Петербург, для создания
базового центра
проектирования

275. Реконструкция и 232 232 создание базового центра системного
техническое перевооружение ------- --- проектирования площадью 800 кв. м <**>
открытого акционерного 116 <*> 116
общества "Светлана", г.
Санкт-Петербург, для
создания базового центра
проектирования

276. Реконструкция и 360 160 200 создание базового центра системного
техническое перевооружение ------- --- --- проектирования площадью 800 кв. м <**>
открытого акционерного 180 <*> 80 100
общества "Центральный
научно-исследовательский
институт "Циклон",
г. Москва, для создания
базового центра
проектирования

277. Реконструкция и 120 120 создание базового центра системного
техническое перевооружение ------ --- проектирования площадью 500 кв. м <**>
федерального 60 <*> 60
государственного
унитарного предприятия
"Научно-исследовательский
институт "Аргон", г.
Москва, для создания
базового центра
проектирования

278. Реконструкция и 30 30 создание базового центра системного
техническое перевооружение ------ -- проектирования площадью 500 кв. м <**>
федерального 15 <*> 15
государственного
унитарного предприятия
"НПО "Орион", г. Москва,
для создания базового
центра проектирования

279. Реконструкция и 120 120 создание базового центра системного
техническое перевооружение ------ --- проектирования площадью 500 кв. м <**>
федерального 60 <*> 60
государственного
унитарного предприятия
"Новосибирский завод
полупроводниковых приборов
с ОКБ", г. Новосибирск,
для создания базового
центра проектирования

280. Реконструкция и 160 160 создание базового центра системного
техническое перевооружение ------ --- проектирования площадью 600 кв. м <**>
федерального 80 <*> 80
государственного
унитарного предприятия
"Научно-исследовательский
институт телевидения",
г. Санкт-Петербург, для
создания базового центра
проектирования

281. Реконструкция и 140 140 создание базового центра системного
техническое перевооружение ------ --- проектирования площадью 600 кв. м <**>
открытого акционерного 70 <*> 70
общества "Концерн
"Океанприбор", г. Санкт-
Петербург, для создания
базового центра
проектирования

282. Реконструкция и 180 180 создание базового центра системного
техническое перевооружение ------ --- проектирования площадью 650 кв. м <**>
федерального 90 <*> 90
государственного
унитарного предприятия
"Нижегородский научно-
исследовательский
приборостроительный
институт "Кварц", г.
Нижний Новгород, для
создания базового центра
проектирования

283. Реконструкция и 160 160 создание базового центра системного
техническое перевооружение ------ --- проектирования площадью 650 кв. м <**>
открытого акционерного 80 <*> 80
общества "Корпорация
"Тактическое ракетное
вооружение", г. Королев,
Московская область, для
создания базового центра
проектирования

284. Реконструкция и 120 120 создание базового центра системного
техническое перевооружение ------ --- проектирования площадью 500 кв. м <**>
федерального 60 <*> 60
государственного
унитарного предприятия
"Государственный научно-
исследовательский институт
авиационных систем", г.
Москва, для создания
базового центра
проектирования

285. Создание базового центра 500 500 создание базового центра по
проектирования на базе ------- --- проектированию, моделированию,
федерального 250 <*> 250 изготовлению, тестированию и сертификации
государственного перспективных оптических систем и оптико-
унитарного предприятия электронного оборудования <**>
"Научно-производственная
корпорация
"Государственный
оптический институт имени
С.И. Вавилова",
г. Санкт-Петербург

286. Реконструкция и 2200 2200 повышение качества и надежности систем
техническое перевооружение -------- ---- цифровой обработки, систем твердотельных
открытого акционерного 1100 <*> 1100 передающих и приемных систем, приемо-
общества "Концерн ПВО передающих модулей активных фазированных
"Алмаз-Антей", системных решеток С-диапазона для
г. Москва, для создания перспективных средств связи, управления
базового центра воздушным движением и формирования
проектирования систем сигналов на кристалле для
цифровой обработки, радиолокационных станций различного
твердотельных передающих и применения <**>
приемных систем, приемо-
передающих модулей

287. Реконструкция и 500 500 создание базового центра проектирования
техническое перевооружение ------- --- сложных функциональных блоков и
для создания базового 250 <*> 250 сверхбольших интегральных схем типа
центра проектирования в "система на кристалле" для нового
открытом акционерном поколения аппаратуры и мобильных
обществе "Концерн телекоммуникационных систем;
"Созвездие", г. Воронеж создание конкурентоспособных изделий для
нового поколения мобильных
телекоммуникационных систем гражданского
и двойного назначения <**>

288. Создание базового центра 440 440 обеспечение производства комплексных
системного проектирования ------- --- средств автоматизации для управления
(дизайн-центра) 220 <*> 220 автомобильным и железнодорожным
радиоэлектронных модулей и транспортом, объектами топливно-
узлов стационарных и энергетического комплекса <**>
мобильных средств
автоматизации в открытом
акционерном обществе
"Научно-производственное
предприятие "Рубин",
г. Пенза

289. Создание базового центра 200 200 обеспечение возможности изготовления
системного проектирования ------- --- разработанных электронных модулей по
унифицированных 100 <*> 100 современным технологиям;
электронных модулей на повышение надежности и качества и
основе современной ускорение разработки конкурентоспособных
электронной компонентной изделий мирового уровня;
базы в открытом разработка технологий двойного назначения
акционерном обществе <**>
"Челябинский радиозавод
"Полет",
г. Челябинск

290. Создание базового центра 200 200 обеспечение возможности изготовления
системного проектирования ------- --- разработанных электронных модулей по
унифицированных 100 <*> 100 современным технологиям;
электронных модулей на разработка технологий двойного назначения
основе современной <**>
электронной компонентной
базы в открытом
акционерном обществе
"Рыбинский завод
приборостроения",
г. Рыбинск, Ярославская
область

291. Создание базового центра 180 180 обеспечение проектирования, производства,
системного проектирования ------ --- испытаний, контроля, тестирования и
микроэлектронных модулей 90 <*> 90 сертификации перспективных изделий,
нового поколения на основе включая климатические, механические,
технологии "систем в надежностные и другие специализированные
модуле" двойного и испытания, а также сертификации
специального применения в выпускаемых изделий по требованиям
открытом акционерном различных категорий заказчиков и
обществе "Всероссийский производств <**>
научно-исследовательский
институт "Эталон",
г. Москва

292. Создание базового центра 180 180 обеспечение проектирования, производства,
системного проектирования ------ --- испытаний, контроля, тестирования и
микроэлектронных модулей 90 <*> 90 сертификации перспективных изделий,
нового поколения на основе включая климатические, механические,
технологии "систем в надежностные и другие специализированные
модуле" двойного и испытания, а также сертификации
специального применения в выпускаемых изделий по требованиям
открытом акционерном различных категорий заказчиков и
обществе "Московский производств <**>
научно-исследовательский
институт связи",
г. Москва

293. Расширение базового центра 320 320 расширение возможностей и объемов
системного проектирования ------- --- базового центра системного
по проектированию 160 <*> 160 проектирования, перевод ключевых
радиоэлектронной проектов, выполняемых концерном,
аппаратуры на базе на использование технологии современного
сверхбольших интегральных системного проектирования.
схем "система на Ускорение процесса получения готовых
кристалле" в открытом проектов не менее чем в 2 раза <**>
акционерном обществе
"Концерн радиостроения
"Вега", г. Москва

294. Создание базового центра 210 210 обеспечение проектирования, производства
системного проектирования ------- --- высокоплотных электронных узлов на основе
высокоплотных электронных 105 <*> 105 технологии многокристальных модулей как
узлов на основе технологии ключевой технологии достижения высоких
многокристальных модулей в технических характеристик разрабатываемых
открытом акционерном и производимых изделий. Планируемый объем
обществе "Научно- выпуска многокристальных модулей - до 3,5
исследовательский институт тысяч штук в год <**>
"Кулон",
г. Москва

295. Создание базового центра 210 210 обеспечение проектирования, производства
системного проектирования ------- --- высокоплотных электронных узлов на основе
высокоплотных электронных 105 <*> 105 технологии многокристальных модулей как
узлов на основе технологии ключевой технологии достижения высоких
многокристальных модулей в технических характеристик разрабатываемых
открытом акционерном и производимых изделий. Планируемый объем
обществе "Конструкторское выпуска многокристальных модулей - до 3,5
бюро "Луч", г. Рыбинск, тысяч штук <**>
Ярославская область

296. Реконструкция и 500 500 создание базового центра проектирования и
техническое перевооружение ------- --- разработки высокопроизводительных
федерального 250 <*> 250 сверхбольших интегральных схем и
государственного микропроцессорной техники, оснащенного
унитарного предприятия современными средствами проектирования,
"Московский ордена разработки и отладки сверхбольших
Трудового Красного Знамени интегральных схем типа "система на
научно-исследовательский кристалле", а также матричных корпусов
радиотехнический для сверхбольших интегральных схем с
институт", г. Москва, для большим количеством выводов, контроллеров
создания базового центра перспективных периферийных интерфейсов
проектирования для разработки на их базе перспективных
универсальных цифровых сложнофункциональных блоков и
устройств, комплексов и радиоэлектронной аппаратуры для систем и
систем на базе современных средств связи двойного и гражданского
лицензионных систем применения <**>
автоматизированного
проектирования и
технических средств

297. Создание базового центра 370 120 100 150 создание базового центра разработки
проектирования ------- --- --- --- высокопроизводительной микропроцессорной
универсальных 185 <*> 60 50 75 техники двойного назначения, оснащенного
микропроцессоров, систем современной технологией разработки
на кристалле, цифровых многоядерных систем на кристалле,
приборов обработки матричных корпусов для сверхбольших
сигналов и других цифровых интегральных схем с большим количеством
устройств, комплексов и выводов, контроллеров перспективных
систем на базе современных периферийных интерфейсов для разработки
лицензионных систем на их базе высокопроизводительных
автоматизированного вычислительных систем широкого применения
проектирования и <**>
технических средств
открытого акционерного
общества "Институт
электронных управляющих
машин",
г. Москва

298. Техническое перевооружение 840 840 ускорение проектирования и отработки
и реконструкция базового ------- --- технологии производства перспективных
регионального научно- 420 <*> 420 устройств микросистемотехники для
технологического центра по комплектования аппаратуры управления,
микросистемотехнике средств телекоммуникации и связи,
федерального высокоточного оружия, робототехнических
государственного комплексов, мониторинга окружающей среды,
унитарного предприятия зданий и сооружений, систем
"Омский научно- трубопроводов, водо- и газоснабжения,
исследовательский институт цифровых и аналоговых устройств средств
приборостроения", контроля, учета и дистанционного
г. Омск управления подачей энергоресурсов.
Ожидаемый экономический эффект составит
1500 млн. рублей <**>

299. Реконструкция и 490 490 создание конкурентоспособных изделий
техническое перевооружение ------- --- мирового уровня для комплексов аппаратуры
центра системного 245 <*> 245 спутниковой связи. Разработка технологий
проектирования и двойного назначения <**>
производства
радиоэлектронных средств
спутниковой связи
федерального
государственного
унитарного предприятия
"Научно-производственный
центр "Вигстар", г. Москва

300. Реконструкция и 1080 1080 создание дизайн-центра площадью 2000
техническое перевооружение ------- ---- кв. м и увеличение выпуска продукции на
федерального 540 <*> 540 500 млн. рублей в год <**>
государственного
унитарного предприятия
"Научно-производственное
предприятие "Алмаз",
г. Саратов, с целью
создания дизайн-центра и
производства
сверхвысокочастотных и
силовых устройств

301. Техническое перевооружение 90 90 создание конкурентоспособной технологии
для создания центра ------ -- автоматизированного проектирования
проектирования 45 <*> 45 кристаллов сверхбольших интегральных схем
перспективной электронной и систем на кристалле с проектными
компонентной базы на нормами 0,18 - 0,13 мкм и степенью
федеральном интеграции до 100 млн. вентилей на
государственном унитарном кристалле, что позволит обеспечить
предприятии "Научно- ускоренную разработку
исследовательский институт сложнофункциональных блоков, сверхбольших
электронной техники", г. интегральных схем и систем на кристалле,
Воронеж соответствующих по техническим
характеристикам современным мировым
образцам <**>

302. Создание отраслевого 340 340 организация современного центра
центра системного уровня ------- --- системного уровня проектирования на
проектирования 170 <*> 170 основе отечественной электронной
интеллектуальных датчиков компонентной базы:
различного назначения на микромеханических датчиков;
федеральном датчиков акустического давления;
государственном унитарном датчиков угловых перемещений и
предприятии "Центральный других <**>
научно-исследовательский
институт "Электроприбор",
г. Санкт-Петербург

303. Создание отраслевого 360 360 создание отраслевого центра
центра проектирования ------- --- проектирования (дизайн-центра) сложных
сложных функциональных 180 <*> 180 функциональных блоков и
блоков и сверхбольших сверхбольших интегральных схем
интегральных схем типа типа "система на кристалле" для
"система на кристалле" в обеспечения новейшей цифровой техникой
открытом акционерном приборостроительных организаций
обществе "Концерн судостроительной отрасли <**>
"Моринформсистема-Агат",
г. Москва

3. Реконструкция и техническое перевооружение (включая приобретение программно-технических средств) для создания
межотраслевого центра проектирования, каталогизации и изготовления фотошаблонов

304. Реконструкция и 1306 156 830 320 создание межотраслевого центра
техническое перевооружение ------- --- --- --- проектирования, каталогизации и
открытого акционерного 653 <*> 78 415 160 изготовления фотошаблонов с объемом
общества "Российская производства не менее 1200 штук в год
электроника", г. Москва <**>
(включая приобретение
программно-технических
средств) с целью создания
межотраслевого центра
проектирования,
каталогизации и
изготовления фотошаблонов

Итого по Роспрому 75600 2790 3740 4340 5740 58990
----- ---- ---- ---- ---- -----
37800 1395 1870 2170 2870 29495

ФЕДЕРАЛЬНОЕ АГЕНТСТВО ПО АТОМНОЙ ЭНЕРГИИ (РОСАТОМ)

1. Реконструкция и техническое перевооружение действующих радиоэлектронных производств

305. Техническое перевооружение 140 80 60 создание технологического комплекса для
федерального ------ -- -- производства сверхвысокочастотных
государственного 70 <*> 40 30 монолитных интегральных схем на
унитарного предприятия широкозонных полупроводниковых материалах
"Федеральный научно- <**>
производственный центр
Научно-исследовательский
институт измерительных
систем имени
Ю.Е. Седакова",
г. Нижний Новгород

306. Техническое перевооружение 440 440 создание производственно-технологического
и реконструкция с целью ------- --- участка в межведомственном центре по
производства структур 220 <*> 220 разработке и производству радиационно
"кремний на сапфире" для стойкой электронной компонентной базы
субмикронных радиационно <**>
стойких сверхбольших
интегральных схем на
федеральном
государственном унитарном
предприятии "Федеральный
научно-производственный
центр Научно-
исследовательский институт
измерительных систем имени
Ю.Е. Седакова",
г. Нижний Новгород

307. Техническое перевооружение 420 420 создание производственно-технологического
и реконструкция с целью ------- --- участка в межведомственном центре по
производства фотошаблонов 210 <*> 210 разработке и производству радиационно
субмикронных радиационно стойкой электронной компонентной базы
стойких сверхбольших <**>
интегральных схем на
федеральном
государственном унитарном
предприятии "Федеральный
научно-производственный
центр Научно-
исследовательский
институт измерительных
систем имени
Ю.Е. Седакова", г. Нижний
Новгород

308. Техническое перевооружение 380 380 создание производственно-технологического
и реконструкция с целью ------- --- участка в межведомственном центре по
производства структур 190 <*> 190 разработке и производству радиационно
"кремний на сапфире" с стойкой электронной компонентной базы
ультратонким приборным <**>
слоем для субмикронных
радиационно стойких
сверхбольших интегральных
схем на федеральном
государственном унитарном
предприятии "Федеральный
научно-производственный
центр Научно-
исследовательский
институт измерительных
систем имени
Ю.Е. Седакова", г. Нижний
Новгород

309. Техническое перевооружение 400 400 создание производственно-технологического
и реконструкция с целью ------- --- участка изготовления изделий
производства радиационно 200 <*> 200 микроэлектроники для систем автоматики
стойких изделий специзделий <**>
микроэлектроники с
применением методов
нанотехнологий на
федеральном
государственном унитарном
предприятии "Всероссийский
научно-исследовательский
институт автоматики", г.
Москва

310. Техническое перевооружение 1060 1060 создание производственно-технологического
и реконструкция с целью ------- ---- участка в межведомственном центре по
производства 530 <*> 530 разработке и производству радиационно
быстродействующих стойкой электронной компонентной базы
радиационно стойких <**>
монолитных интегральных
схем на федеральном
государственном унитарном
предприятии
"Федеральный научно-
производственный центр
Научно-исследовательский
институт измерительных
систем имени
Ю.Е. Седакова", г. Нижний
Новгород

311. Техническое перевооружение 500 500 создание производственно-технологического
и реконструкция с целью ------- --- участка в межведомственном центре по
производства радиационно 250 <*> 250 разработке и производству радиационно
стойких изделий стойкой электронной компонентной базы
оптоэлектроники на <**>
федеральном
государственном унитарном
предприятии "Федеральный
научно-производственный
центр Научно-
исследовательский институт
измерительных систем имени
Ю.Е. Седакова", г. Нижний
Новгород

312. Техническое перевооружение 780 780 создание производственно-технологического
и реконструкция с целью ------- --- участка в межведомственном центре по
производства радиационно 390 <*> 390 разработке и производству радиационно
стойких изделий стойкой электронной компонентной базы
микросистемотехники на <**>
федеральном
государственном унитарном
предприятии
"Федеральный научно-
производственный центр
Научно-исследовательский
институт измерительных
систем имени
Ю.Е. Седакова", г. Нижний
Новгород

313. Техническое перевооружение 820 820 реконструкция производственно-
и реконструкция с целью ------- --- технологических участков по изготовлению
производства радиационно 410 <*> 410 радиационно стойких изделий
стойких изделий микроэлектроники <**>
микроэлектроники на
федеральном
государственном унитарном
предприятии "Российский
федеральный ядерный центр
- Всероссийский научно-
исследовательский
институт экспериментальной
физики", г. Саров,
Нижегородская область

2. Реконструкция и техническое перевооружение для создания базовых центров системного проектирования

314. Реконструкция дизайн- 200 80 80 40 реконструкция дизайн-центра <**>
центра радиационно стойкой ------- -- -- --
электронной компонентной 100 <*> 40 40 20
базы на федеральном
государственном унитарном
предприятии "Федеральный
научно-производственный
центр Научно-
исследовательский институт
измерительных систем имени
Ю.Е. Седакова", г. Нижний
Новгород

315. Реконструкция дизайн- 80 80 реконструкция дизайн-центра <**>
центра радиационно стойкой ------ --
электронной компонентной 40 <*> 40
базы на федеральном
государственном унитарном
предприятии "Всероссийский
научно-исследовательский
институт автоматики", г.
Москва

316. Реконструкция дизайн- 80 80 реконструкция дизайн-центра <**>
центра радиационно стойкой ------ --
электронной компонентной 40 <*> 40
базы на федеральном
государственном унитарном
предприятии "Российский
федеральный ядерный центр
- Всероссийский научно-
исследовательский институт
экспериментальной физики",
г. Саров, Нижегородская
область

317. Реконструкция дизайн- 100 100 реконструкция дизайн-центра <**>
центра радиационно стойкой ------ ---
электронной компонентной 50 <*> 50
базы на федеральном
государственном унитарном
предприятии "Российский
федеральный ядерный центр
- Всероссийский научно-
исследовательский институт
технической физики имени
академика Е.И.
Забабахина", г. Снежинск,
Челябинская область


Итого по Росатому 5400 80 80 80 100 5060
---- -- -- -- --- ----
2700 40 40 40 50 2530

ФЕДЕРАЛЬНОЕ КОСМИЧЕСКОЕ АГЕНТСТВО (РОСКОСМОС)

1. Реконструкция и техническое перевооружение действующих радиоэлектронных производств

318. Реконструкция и 320 320 переоснащенное производство
техническое перевооружение ------- --- многокристальных систем в корпусе, микро-
федерального 160 <*> 160 и радиоэлектронных модулей, в том числе
государственного на основе устройств микросистемной
унитарного предприятия техники;
"Российский научно- оснащенное отраслевое
исследовательский институт автоматизированное хранилище производимых
космического и приобретаемых электронных компонентов
приборостроения", со встроенной системой мониторинга и
г. Москва, с целью прогнозирования состояния хранимой
создания производства продукции <**>
многокристальных систем в
корпусе, микро- и
радиоэлектронных модулей,
в том числе на основе
устройств микросистемной
техники

319. Реконструкция и 600 600 переоснащение производства по выпуску:
техническое перевооружение ------- --- параметрического ряда модулей
федерального 300 <*> 300 сверхвысокочастотных устройств;
государственного узлов и крупноблочных
унитарного предприятия радиоэлектронных функциональных модулей
"Научно-исследовательский приемо-передающей аппаратуры.
институт точных приборов", Реализация указанных мероприятий
г. Москва, для создания обеспечивает:
производства модулей сокращение сроков изготовления
сверхвысокочастотных изделий радиолокационной техники и
устройств для особо техники связи в 2 - 3 раза;
жестких условий расширение номенклатуры
эксплуатации сверхвысокочастотных изделий в 1,5 раза
<**>

320. Реконструкция и 160 160 переоснащение производственной линии для
техническое перевооружение ------ --- выпуска облегченных сверхвысокочастотных
федерального 80 <*> 80 волноводов;
государственного увеличение производства
унитарного предприятия сверхвысокочастотных волноводов с низким
"Научно-производственное уровнем потерь и улучшенными массовыми
объединение прикладной характеристиками;
механики имени академика оснащение отраслевого
М.Ф. Решетнева", автоматизированного хранилища для модулей
г. Железногорск, радиоэлектронных и навигационных систем
Красноярский край, с целью со встроенной системой мониторинга и
создания производственной прогнозирования состояния хранимой
линии для изготовления продукции <**>
облегченных
сверхвысокочастотных
волноводов миллиметрового
диапазона

321. Реконструкция и 200 200 дооснащение производства
техническое перевооружение ------- --- электромеханических и радиоэлектронных
федерального 100 <*> 100 компонентов для микромодульных средств
государственного автономного управления и контроля;
унитарного предприятия увеличение производства изделий
"Научно-производственное бортовой и промышленной радиоэлектроники
объединение автоматики на 35 процентов и более;
имени академика оснащение отраслевого
Н.А. Семихатова", автоматизированного хранилища для
г. Екатеринбург, для радиоэлектронных модулей со встроенной
создания производства системой мониторинга и прогнозирования
электромеханических и состояния хранимой продукции <**>
радиоэлектронных
компонентов микромодульных
средств автономного
управления и контроля

322. Реконструкция и 200 200 переоснащение производства модульных
техническое перевооружение ------- --- лазерных средств высокоточных измерений,
федерального 100 <*> 100 дальнометрии и передачи информации в
государственного бортовых и промышленных системах
унитарного предприятия различного назначения <**>
"Научно-исследовательский
институт прецизионного
приборостроения",
г. Москва, для создания
производства лазерных
средств высокоточных
измерений

323. Реконструкция и 200 200 создание межотраслевой лаборатории
техническое перевооружение ------- --- контроля стойкости электронной
федерального 100 <*> 100 компонентной базы для специальной
государственного радиоэлектронной аппаратуры в условиях
унитарного предприятия космического пространства, что обеспечит:
"Российский научно- внедрение технологических процессов
исследовательский институт прямого (в том числе неразрушающего)
космического контроля стойкости электронной
приборостроения", г. компонентной базы и экспериментально-
Москва, для создания аналитического прогноза деградации
отраслевой лаборатории характеристик электронной компонентной
контроля стойкости базы и радиоэлектронной аппаратуры;
электронной компонентной определение характеристик стойкости
базы радиоэлектронной к условиям открытого космического
аппаратуры к пространства;
дестабилизирующим факторам увеличение сроков активного
космического пространства функционирования аппаратуры до 20 лет
<**>

324. Реконструкция и 200 200 перевооружение производственных линий для
техническое перевооружение ------- --- изготовления встроенных модульных
федерального 100 <*> 100 пассивных радиоэлементов для систем
государственного бортовой и промышленной радиоэлектроники
унитарного предприятия и вторичных источников питания с
"Научно-производственный совмещенными линиями передачи данных и
центр "Полюс", г. Томск, электропитания;
для технического расширение номенклатуры и увеличение
перевооружения производства встроенных вторичных
действующего производства источников питания с совмещенными линиями
передачи данных и электропитания для
средств бортовой и промышленной
электроники на 70 процентов и более <**>

325. Реконструкция и 200 200 переоснащение производства матричных
техническое перевооружение ------- --- оптико-электронных модулей для работы в
федерального 100 <*> 100 составе оптико-электронных
государственного преобразователей высокого разрешения и
унитарного предприятия матричных сверхвысокочастотных приборов
"Научно-исследовательский для модулей фазированных антенных
институт микроприборов - решеток, что позволит:
К", г. Москва, для расширить номенклатуру выпускаемой
создания матричных оптико- мелкосерийной продукции в 2 раза;
электронных модулей на увеличить объем выпускаемых
основе кремниевых мембран дискретных и модульных элементов в 10 раз
и гетеропереходов на <**>
основе арсенида галлия и
нитрида галлия

2. Реконструкция и техническое перевооружение для создания базовых центров системного проектирования

326. Реконструкция и 610 60 60 490 создание базового центра системного
техническое перевооружение ------- -- -- --- проектирования площадью 500 кв. м <**>
федерального 305 <*> 30 30 245
государственного
унитарного предприятия
"Российский научно-
исследовательский институт
космического
приборостроения", г.
Москва, для создания
базового центра
проектирования

327. Реконструкция и 550 120 120 60 60 190 создание отраслевого центра
техническое перевооружение ------- --- --- -- -- --- автоматизированного проектирования и
для создания отраслевого 275 <*> 60 60 30 30 95 функциональной поддержки процессов
центра автоматизированного изготовления и эксплуатации
проектирования гибридных параметрических рядов
микро- и наноэлектронных сверхвысокочастотных модулей
модулей унифицированных сверхвысокочастотных
сверхвысокочастотных трактов, базовых несущих конструкций
устройств со встроенными активных фазированных антенных
пассивными и активными решеток, радиолокационных и
элементами на федеральном связных модульных приборов площадью 500
государственном унитарном кв. м <**>
предприятии "Научно-
исследовательский институт
точных приборов", г.
Москва

328. Реконструкция и 600 40 560 создание базового координационного центра
техническое перевооружение ------- -- --- площадью 300 кв. м для системного
для создания базового 300 <*> 20 280 проектирования стандартных наборов
координационного центра конструктивных элементов для создания
системного проектирования унифицированных электронных модулей
унифицированных субминиатюрных адаптивных и
электронных модулей на самообучающихся информационно-управляющих
федеральном вычислительных систем и управляющих
государственном унитарном многопроцессорных больших цифровых
предприятии "Центральный вычислительных машин с элементами
научно-исследовательский искусственного интеллекта <**>
институт машиностроения",
г. Королев, Московская
область

329. Реконструкция и 280 280 создание центра проектирования
техническое перевооружение ------- --- унифицированных микроэлектронных датчиков
для создания центра 140 <*> 140 площадью 380 кв. м для проектирования
проектирования унифицированных полупроводниковых
унифицированных микродатчиков и преобразователей
микроэлектронных датчиков физических величин в системах управления,
для работы в особо жестких контроля и диагностики динамических
условиях эксплуатации на объектов <**>
федеральном
государственном унитарном
предприятии "Научно-
исследовательский
институт физических
измерений", г. Пенза

330. Реконструкция и 200 200 создание базового центра площадью
техническое перевооружение ------- --- 350 кв. м для системного проектирования с
для создания базового 100 <*> 100 полным циклом проектирования и
центра системного производства параметрического ряда
проектирования интегральных микроэлектронных датчиков и
интегральных нанодатчиков для контрольной аппаратуры
микроэлектронных датчиков на основе специализированных электронных
и датчикопреобразующей узлов по технологии "кремний на
аппаратуры для особо изоляторе" для особо жестких условий
жестких условий эксплуатации <**>
эксплуатации на
федеральном
государственном унитарном
предприятии "Научно-
производственное
объединение измерительной
техники", г. Королев,
Московская область

331. Реконструкция и 420 420 создание базового центра сквозного
техническое перевооружение ------- --- системного проектирования и
для создания базового 210 <*> 210 функциональной поддержки
центра сквозного радиоэлектронных средств с улучшенной
системного проектирования электромагнитной совместимостью площадью
на федеральном 450 кв. м (в том числе для
государственном унитарном создания встроенных
предприятии "Научно- бесконтактных систем управления
производственное электродвигателями и приводами,
предприятие Всероссийский оптоэлектронных
научно-исследовательский и радиотехнических приборов) <**>
институт электромеханики с
заводом имени
А.Г. Иосифьяна",
г. Москва

332. Реконструкция и 260 260 создание центра проектирования
техническое перевооружение ------- --- интегральных сверхвысокочастотных модулей
для создания центра 130 <*> 130 специального и промышленного применения
проектирования на для унифицированных приемо-передающих
федеральном радиоэлектронных трактов площадью
государственном унитарном 340 кв. м
предприятии "Центральный (в том числе для создания испытательного
научно-исследовательский центра радиоэлектронной аппаратуры
радиотехнический институт космического и промышленного назначения)
имени академика <**>
А.И. Берга", г. Москва

333. Реконструкция и 200 200 создание центра площадью 220 кв. м для
техническое перевооружение ------- --- системного проектирования матричных
для создания центра 100 <*> 100 преобразователей и микроэлектронных
проектирования матричных сигнальных процессоров высокоточных
преобразователей и навигационных приборов бортового и
микроэлектронных промышленного назначения <**>
сигнальных процессоров на
федеральном
государственном унитарном
предприятии "Научно-
производственный центр
автоматики и
приборостроения имени
академика Н.А. Пилюгина",
г. Москва

334. Реконструкция и 200 200 создание дизайн-центра площадью
техническое перевооружение ------- --- 370 кв. м для системного проектирования
для создания центра 100 <*> 100 радиационно стойкой, помехоустойчивой
проектирования особо электронной компонентной базы, в том
стойкого модульного ядра числе изделий "система на кристалле" для
отказоустойчивой построения особо стойкого модульного ядра
радиоэлектронной радиоэлектронной аппаратуры с особо
аппаратуры с особо жесткими условиями эксплуатации, в том
жесткими условиями числе для космического, авиационного и
эксплуатации на промышленного применения <**>
федеральном
государственном унитарном
предприятии "Центральный
научно-исследовательский
институт "Комета",
г. Москва

335. Реконструкция и 200 200 создание базового центра сквозного
техническое перевооружение ------- --- системного проектирования и
для создания базового 100 <*> 100 функциональной поддержки в процессе
центра системного эксплуатации аппаратуры модульных
проектирования и средств связи и навигации для бортовых
технического и промышленных систем площадью 300 кв. м
перевооружения <**>
действующего производства
на федеральном
государственном унитарном
предприятии "Научно-
производственное
объединение прикладной
механики имени академика
М.Ф. Решетнева",
г. Железногорск,
Красноярский край

336. Реконструкция и 200 200 создание базового центра сквозного
техническое перевооружение ------- --- системного проектирования и
для создания базового 100 <*> 100 функциональной поддержки в процессе
центра сквозного эксплуатации площадью 350 кв. м (в том
системного проектирования числе для радиоэлектронных
на федеральном функциональных модулей роботизированных
государственном унитарном транспортных средств повышенной
предприятии "Научно- живучести) <**>
производственное
объединение имени
С.А. Лавочкина",
г. Москва

Итого по Роскосмосу 5800 120 120 120 160 5280
---- --- --- --- --- ----
2900 60 60 60 80 2640

ФЕДЕРАЛЬНОЕ АГЕНТСТВО ПО ОБРАЗОВАНИЮ (РОСОБРАЗОВАНИЕ)

Реконструкция и техническое перевооружение для создания базовых центров системного проектирования

337. Реконструкция и 120 60 60 создание базового центра системного
техническое перевооружение ------ -- -- проектирования площадью 500 кв. м <**>
государственного 60 <*> 30 30
образовательного
учреждения "Московский
государственный институт
электронной техники"
(технический университет),
г. Москва, для создания
базового центра
проектирования

338. Реконструкция и 50 50 создание базового центра системного
техническое перевооружение -- -- проектирования площадью 500 кв. м
государственного 25 25
образовательного
учреждения высшего
профессионального
образования "Московский
государственный институт
радиотехники, электроники
и автоматики" (технический
университет), г. Москва,
для создания базового
центра проектирования

339. Реконструкция и 200 200 создание базового центра системного
техническое перевооружение ------- --- проектирования площадью 400 кв. м <**>
государственного 100 <*> 100
образовательного
учреждения высшего
профессионального
образования "Томский
государственный
университет", г. Томск,
для создания базового
центра проектирования

340. Реконструкция и 200 200 создание базового центра системного
техническое перевооружение ------- --- проектирования площадью 400 кв. м <**>
государственного 100 <*> 100
образовательного
учреждения высшего
профессионального
образования "Московский
государственный
технический университет
имени Н.Э. Баумана",
г. Москва, для создания
базового центра
проектирования

341. Реконструкция и 200 200 создание базового центра системного
техническое перевооружение ------- --- проектирования площадью 400 кв. м <**>
федерального 100 <*> 100
государственного
учреждения высшего
профессионального
образования "Южный
федеральный университет",
г. Ростов-на-Дону, для
создания базового центра
проектирования

342. Реконструкция и 200 200 создание базового центра системного
техническое перевооружение ------- --- проектирования площадью 400 кв. м <**>
государственного 100 <*> 100
образовательного
учреждения высшего
профессионального
образования "Новосибирский
государственный
университет",
г. Новосибирск, для
создания базового центра
проектирования

343. Реконструкция и 230 230 создание базового центра системного
техническое перевооружение ------- --- проектирования площадью 600 кв. м <**>
федерального 115 <*> 115
государственного
образовательного
учреждения высшего
профессионального
образования "Санкт-
Петербургский
государственный
университет", г. Санкт-
Петербург, для создания
базового центра
проектирования

Итого по Рособразованию 1200 50 60 60 1030
---- -- -- -- ----
600 25 30 30 515

Всего по Программе 88000 3040 4000 4600 6000 70360
----- ---- ---- ---- ---- -----
44000 1520 2000 2300 3000 35180
--------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------

В числителе указывается общая стоимость работ, в знаменателе - размер финансирования за счет средств федерального бюджета.
--------------------------------
<*> Размеры финансирования будут уточнены после утверждения в установленном порядке проектно-сметной документации.
<**> Конкретный состав оборудования и работ будет определен на этапе технико-экономического обоснования.

Примечание. Срок получения предусмотренных настоящим перечнем результатов работ соответствует году окончания их финансирования.





Приложение N 3
к федеральной целевой программе
"Развитие электронной компонентной
базы и радиоэлектроники"
на 2008 - 2015 годы

РАСПРЕДЕЛЕНИЕ ОБЪЕМОВ
ФИНАНСИРОВАНИЯ ЗА СЧЕТ СРЕДСТВ ФЕДЕРАЛЬНОГО БЮДЖЕТА
ПО ГОСУДАРСТВЕННЫМ ЗАКАЗЧИКАМ ФЕДЕРАЛЬНОЙ ЦЕЛЕВОЙ
ПРОГРАММЫ "РАЗВИТИЕ ЭЛЕКТРОННОЙ КОМПОНЕНТНОЙ БАЗЫ
И РАДИОЭЛЕКТРОНИКИ" НА 2008 - 2015 ГОДЫ

(млн. рублей, в ценах соответствующих лет)
--------------------------------------------------T-----------T--------------------------------------------
¦2008 - 2015¦ В том числе
¦ годы +-------T-------T-------T------T-------------
¦ ¦ 2008 ¦ 2009 ¦ 2010 ¦ 2011 ¦ 2012 - 2015
¦ ¦ год ¦ год ¦ год ¦ год ¦ годы
--------------------------------------------------+-----------+-------+-------+-------+------+-------------
Всего по Программе 110000 5500 6800 7400 13000 77300

из них:

Министерство промышленности и энергетики 3895 258 279 265 585 2508
Российской Федерации

Федеральное агентство по промышленности 90605 4627 5761 6265 11425 62527

Федеральное космическое агентство 7200 290 320 360 430 5800

Федеральное агентство по атомной энергии 6600 240 290 340 400 5330

Федеральное агентство по науке и 1100 60 120 140 160 620
инновациям

Федеральное агентство по образованию 600 25 30 30 - 515

Капитальные вложения - всего 44000 1520 2000 2300 3000 35180

из них:

Министерство промышленности и энергетики - - - - - -
Российской Федерации

Федеральное агентство по промышленности 37800 1395 1870 2170 2870 29495

Федеральное космическое агентство 2900 60 60 60 80 2640

Федеральное агентство по атомной энергии 2700 40 40 40 50 2530

Федеральное агентство по науке и - - - - - -
инновациям

Федеральное агентство по образованию 600 25 30 30 - 515

Научно-исследовательские и опытно- 66000 3980 4800 5100 10000 42120
конструкторские работы - всего

из них:

Министерство промышленности и энергетики 3895 258 279 265 585 2508
Российской Федерации

Федеральное агентство по промышленности 52805 3232 3891 4095 8555 33032

Федеральное космическое агентство 4300 230 260 300 350 3160

Федеральное агентство по атомной энергии 3900 200 250 300 350 2800

Федеральное агентство по науке и 1100 60 120 140 160 620
инновациям

Федеральное агентство по образованию - - - - - -
-----------------------------------------------------------------------------------------------------------





Приложение N 4
к федеральной целевой программе
"Развитие электронной компонентной
базы и радиоэлектроники"
на 2008 - 2015 годы

ОБЪЕМЫ ФИНАНСИРОВАНИЯ
ФЕДЕРАЛЬНОЙ ЦЕЛЕВОЙ ПРОГРАММЫ "РАЗВИТИЕ ЭЛЕКТРОННОЙ
КОМПОНЕНТНОЙ БАЗЫ И РАДИОЭЛЕКТРОНИКИ" НА 2008 - 2015 ГОДЫ
ЗА СЧЕТ СРЕДСТВ ФЕДЕРАЛЬНОГО БЮДЖЕТА
И ВНЕБЮДЖЕТНЫХ ИСТОЧНИКОВ

(млн. рублей, в ценах соответствующих лет)
-----------------------------------T------------T-------------------------------------------
¦2008 - 2015 ¦ В том числе
¦годы - всего+-------T------T------T-------T-------------
¦ ¦ 2008 ¦ 2009 ¦ 2010 ¦ 2011 ¦ 2012 - 2015
¦ ¦ год ¦ год ¦ год ¦ год ¦ годы
-----------------------------------+------------+-------+------+------+-------+-------------
Всего по Программе 187000 9010 11200 12250 21000 133540

в том числе:

федеральный бюджет 110000 5500 6800 7400 13000 77300

внебюджетные средства 77000 3510 4400 4850 8000 56240

Капитальные вложения - всего 88000 3040 4000 4600 6000 70360

в том числе:

федеральный бюджет 44000 1520 2000 2300 3000 35180

внебюджетные средства 44000 1520 2000 2300 3000 35180

Научно-исследовательские и опытно- 99000 5970 7200 7650 15000 63180
конструкторские работы - всего

в том числе:

федеральный бюджет 66000 3980 4800 5100 10000 42120

внебюджетные средства 33000 1990 2400 2550 5000 21060
--------------------------------------------------------------------------------------------





Приложение N 5
к федеральной целевой программе
"Развитие электронной компонентной
базы и радиоэлектроники"
на 2008 - 2015 годы

РАСЧЕТ
ПОКАЗАТЕЛЕЙ СОЦИАЛЬНО-ЭКОНОМИЧЕСКОЙ ЭФФЕКТИВНОСТИ
РЕАЛИЗАЦИИ ФЕДЕРАЛЬНОЙ ЦЕЛЕВОЙ ПРОГРАММЫ "РАЗВИТИЕ
ЭЛЕКТРОННОЙ КОМПОНЕНТНОЙ БАЗЫ И РАДИОЭЛЕКТРОНИКИ"
НА 2008 - 2015 ГОДЫ

Расчеты коммерческой и бюджетной эффективности реализации федеральной целевой программы "Развитие электронной компонентной базы и радиоэлектроники" на 2008 - 2015 годы (далее - Программа) базировались на ориентировочных данных о бюджетных и внебюджетных ассигнованиях на научно-исследовательские и опытно-конструкторские работы и капитальные вложения и ожидаемых объемах производства высокотехнологичной наукоемкой продукции по годам расчетного периода (2008 - 2015 годы).
Эффективность реализации Программы оценивается в течение расчетного периода, продолжительность которого определяется началом реализации Программы вплоть до максимального уровня освоения введенных новых мощностей.
За начальный год расчетного периода принимается первый год осуществления инвестиций или первый год разработки приоритетных образцов продукции (в данном случае это 2008 год).
Конечный год расчетного периода определяется полным освоением в серийном производстве разработанной в период реализации Программы (2008 - 2015 годы) продукции на созданных в этот период мощностях.
Учитывая, что обновление производственных мощностей осуществляется в течение всего периода действия Программы и завершается в 2015 году, а нормативный срок освоения введенных мощностей составит 1,5 - 2 года, конечным годом расчетного периода принят 2017 год.
Исходная информация по годовым объемам производства продукции была определена на основе прогнозных оценок. При этом объемы производства на первой стадии финансирования научно-исследовательских и опытно-конструкторских работ достигнуты за счет реализации программных мероприятий прошлых лет и составляют в 2008 году 60 процентов объема выпускаемой продукции отрасли, в 2009 году - 65 процентов, в 2010 году - 70 процентов, в 2011 году - 90 процентов.
Капитальные вложения на реализацию Программы предусматривают прежде всего техническое перевооружение производства и строительство уникальных объектов.
Коммерческая и бюджетная эффективность Программы определялась с учетом следующих условий:
данные об ассигнованиях на научно-исследовательские и опытно-конструкторские работы и капитальные вложения, а также об объемах производства приведены в ценах соответствующих лет;
расчеты произведены с учетом фактора времени, т.е. приведения (дисконтирования) будущих затрат и результатов к расчетному году с помощью коэффициента дисконтирования (E = 0,1);
размер всех налогов и отчислений, поступающих в бюджет и внебюджетные фонды, определен в соответствии с Налоговым кодексом Российской Федерации;
расчеты всех экономических показателей произведены в ценах соответствующих лет с учетом индексов-дефляторов, установленных Министерством экономического развития и торговли Российской Федерации до 2009 года с последующей экстраполяцией их до 2017 года (на период 2008 - 2015 годов индекс-дефлятор для продукции радиоэлектронной промышленности составляет 1,05).
Исходные данные, принятые для расчета коммерческой и бюджетной эффективности реализации Программы, приведены в таблице 1. Результаты расчетов приведены в таблице 2.
Экономическая эффективность реализации Программы в отрасли характеризуется следующими показателями.
При общей сумме инвестиций 187000 млн. рублей, включая 110000 млн. рублей бюджетных ассигнований на научно-исследовательские и опытно-конструкторские работы и капитальные вложения и 77000 млн. рублей внебюджетных ассигнований, реализация Программы позволит получить в сфере производства за расчетный период (2008 - 2015 годы) чистый дисконтированный доход в размере 64374,4 млн. рублей, а чистый дисконтированный доход государства (бюджетный эффект) составит 125045,9 млн. рублей.
Всего налоговых поступлений от реализации Программы ожидается в размере 198577,2 млн. рублей.
Срок окупаемости всех инвестиций (бюджетных и внебюджетных ассигнований) за счет чистой прибыли и амортизации составит 8,1 года, а бюджетных ассигнований за счет налоговых поступлений - 1 год.
Соответственно, индексы доходности (рентабельности) составят для всех инвестиций - 1,52, для бюджетных ассигнований - 2,7.
Уровень безубыточности равен 0,68 при норме 0,7, что свидетельствует о высокой эффективности и степени устойчивости Программы к возможным отклонениям от условий ее реализации.
Итоговые показатели эффективности реализации Программы приведены в таблице 3.

Таблица 1

Исходные данные, принятые для расчета
коммерческой и бюджетной эффективности реализации
федеральной целевой программы "Развитие электронной
компонентной базы и радиоэлектроники"
на 2008 - 2015 годы

(в ценах соответствующих лет, млн. рублей)
-------------------------------T-------T-------T-------T-------T-------T-------T-------T-------T-------T-------T-----------
Показатели ¦ 2008 ¦ 2009 ¦ 2010 ¦ 2011 ¦ 2012 ¦ 2013 ¦ 2014 ¦ 2015 ¦ 2016 ¦ 2017 ¦ За
¦ год ¦ год ¦ год ¦ год ¦ год ¦ год ¦ год ¦ год ¦ год ¦ год ¦ расчетный
¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ период
-------------------------------+-------+-------+-------+-------+-------+-------+-------+-------+-------+-------+-----------
Условно-переменная часть
текущих издержек производства
(себестоимости), процентов 62 62 62 62 62 62 62 62 62 62

Годовой объем реализуемой
продукции отрасли (объем
продаж) 58000 70000 95000 130000 170000 210000 250000 300000 370000 450000

Инвестиции из всех источников
финансирования по Программе 9010 11200 12250 21000 29640 35200 34750 33950 187000

в том числе:
средства федерального
бюджета на научно-
исследовательские и
опытно-конструкторские
работы, капитальные
вложения и прочие нужды 5500 6800 7400 13000 18000 20800 19500 19000 110000

из них:
капитальные вложения 1520 2000 2300 3000 5280 8000 11000 10900 44000

внебюджетные средства на
научно-исследовательские
и опытно-конструкторские
работы и капитальные
вложения (собственные,
заемные и пр.) 3510 4400 4850 8000 11640 14400 15250 14950 77000

налогооблагаемая база
налога на имущество
(среднегодовая стоимость
основных промышленно-
производственных фондов
отрасли по остаточной
стоимости) 33000 35000 37000 40000 44000 50000 58000 65000 67000 68000

Рентабельность реализованной
продукции, процентов 10 10 12 14 16 18 20 20 20 20

Амортизационные отчисления,
процентов себестоимости 3,5 3,8 4 4,5 5 5,5 6 6,5 7 7,5

Материалы, процентов
себестоимости 50 50 50 50 50 50 50 50 50 50

Фонд оплаты труда, процентов
себестоимости 25 25 25 25 25 25 25 25 25 25

Налог на имущество, процентов 2 2 2 2 2 2 2 2 2 2

Налог на прибыль, процентов 24 24 24 24 24 24 24 24 24 24

Подоходный налог, процентов 13 13 13 13 13 13 13 13 13 13

Единый социальный налог,
процентов 26 26 26 26 26 26 26 26 26 26

Налог на добавленную
стоимость, процентов 18 18 18 18 18 18 18 18 18 18

Налог с продаж, процентов - - - - - - - - - -

Норма дисконта (средняя за
расчетный период), процентов 0,1
---------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------

Таблица 2

Расчет
коммерческой и бюджетной эффективности реализации
федеральной целевой программы "Развитие электронной
компонентной базы и радиоэлектроники"
на 2008 - 2015 годы

(в ценах соответствующих лет, млн. рублей)
--------------------------T------------------------------------------------------------------------------------------T----------
Наименование показателей ¦ Расчетный период ¦ За
+--------T--------T--------T--------T--------T---------T--------T--------T-------T---------+расчетный
¦ 2008 ¦ 2009 ¦ 2010 ¦ 2011 ¦ 2012 ¦ 2013 ¦ 2014 ¦ 2015 ¦ 2016 ¦ 2017 ¦ период
+--------+--------+--------+--------+--------+---------+--------+--------+-------+---------+
¦ номер шага (m) ¦ ¦
+--------T--------T--------T--------T--------T---------T--------T--------T-------+---------+
¦ 0 ¦ 1 ¦ 2 ¦ 3 ¦ 4 ¦ 5 ¦ 6 ¦ 7 ¦ 8 ¦ 9 ¦
--------------------------+--------+--------+--------+--------+--------+---------+--------+--------+-------+---------+----------
Операционная и инвестиционная деятельность
(коммерческая эффективность)

Годовой объем
реализованной продукции
отрасли без налога на
добавленную стоимость 58000 70000 95000 130000 170000 210000 250000 300000 370000 450000

Себестоимость годового
объема реализованной
продукции отрасли 52727 63636 84821 114035 146552 177966 208333 25000 308333 375000

Прибыль от реализации
продукции 5273 6364 10179 15965 23448 32034 41667 50000 61667 75000

Налогооблагаемая база
налога на имущество
(среднегодовая стоимость
основных промышленно-
производственных фондов
отрасли по остаточной
стоимости) 33000 35000 37000 40000 44000 50000 58000 65000 67000 68000

Налог на имущество 660 700 740 800 880 1000 1160 1300 1340 1360

Налогооблагаемая прибыль 4587,3 5727,3 9466,1 15166,7 22744,8 31072,9 40416,7 48500 59816,7 72750

Налог на прибыль 1100,9 1374,5 2271,9 3640 5458,8 7457,5 9700 11640 14356 17460

Чистая прибыль 3486,3 4352,7 7194,2 11526,7 17286,1 23615,4 30716,7 36860 45460,7 55290

Амортизационные
отчисления в структуре
себестоимости 1845,5 2418,2 3392,9 5131,6 7327,6 9788,1 12500 16250 21583,3 28125

Материальные затраты в
структуре
себестоимости 26363,6 31818,2 42410,7 57017,5 73275,9 88983,1 104166,7 125000 154166,7 187500

Фонд оплаты труда в
структуре себестоимости 13181,8 15909,1 21205,4 28508,8 36637,9 44491,5 52083,3 62500 77083,3 93750

Налог на добавленную
стоимость 4745,5 5727,3 7633,9 10263,2 13189,7 16016,9 18750 22500 27750 33750

Налог с продаж - - - - - - - - - -

Подоходный налог 1713,6 2068,2 2756,7 3706,1 4762,9 5783,9 6770,8 8125 10020,8 12187,5

Единый социальный налог 3427,3 4136,4 5513,4 7412,3 9525,9 11567,8 13541,7 16250 20041,7 24375

Налоги, поступающие в
бюджет и внебюджетные
фонды (приток в бюджет) 10546,4 12631,8 16644 22181,6 28358,4 34368,6 40222,5 48175 59152,5 71672,5 343953,4

Сальдо от операционной
деятельности. Чистый
доход организаций (чистая
прибыль и амортизационные
отчисления) 5331,8 6770,9 10587,1 16658,2 24613,7 33403,5 43216,7 53110 67044 83415

Коэффициент
дисконтирования (норма
дисконта E = 0,10) 1 0,909 0,826 0,751 0,683 0,621 0,564 0,513 0,467 0,424

Сальдо от операционной
деятельности с учетом
дисконтирования. Чистый
доход организаций с
учетом дисконтирования 5331,8 6155,4 8749,6 12515,6 16811,5 20741 24394,7 27253,8 31276,5 35376,1 188605,9

Величина инвестиций из
всех источников
финансирования (оттоки) 9010 11200 12250 21000 29640 35200 34750 33950 187000,0

Сальдо суммарного потока
от инвестиционной и
операционной деятельности
без дисконтирования -3678,2 -4429,1 -1662,9 -4341,8 -5026,3 -1796,5 8466,7 19160 67044 83415

Величина инвестиций из
всех источников
финансирования (оттоки) с
учетом дисконтирования 9010 10181,8 10124 15777,6 20244,5 21856,4 19615,5 17421,7 124231,5

Сальдо суммарного потока
от инвестиционной и
операционной деятельности
с учетом дисконтирования -3678,2 -4026,4 -1374,3 -3262 -3433,1 -1115,5 4779,2 9832,1 31276,5 35376,1 64374,4

Сальдо накопленного
суммарного потока от
инвестиционной и
операционной деятельности
с учетом дисконтирования
(нарастающим итогом)

Чистый дисконтированный
доход -3678,2 -7704,7 -9079 -12341 -15774,1 -16889,5 -12110,3 -2278,2 28998,3 64374,4

Срок окупаемости
инвестиций
(период возврата), лет 8,1

Индекс доходности
(рентабельность
инвестиций) 1,52

Финансовая и операционная деятельность (бюджетная эффективность)

Средства федерального
бюджета на научно-
исследовательские и
опытно-конструкторские
работы, капитальные
вложения и прочие нужды
(отток из бюджета) 5500 6800 7400 13000 18000 208000 19500 19000 110000

Налоги, поступающие в
бюджет и внебюджетные
фонды 10546,4 12631,8 16644 22181,6 28358,4 34368,6 40222,5 48175 59152,5 71672,5

Налоги, поступающие в
бюджет и внебюджетные
фонды с учетом
дисконтирования 10546,4 11483,5 13755,4 16665,3 19369,2 21340,2 22704,6 24721,4 27595,1 30396,1 198577,2

Отток бюджетных средств 5500 6800 7400 13000 18000 20800 19500 19000

Отток бюджетных средств с
учетом дисконтирования 5500 6181,8 6115,7 9767,1 12294,2 12915,2 11007,2 9750 73531,3

Сальдо суммарного потока
от финансирования и
операционной деятельности
с учетом дисконтирования 5046,4 5301,7 7639,7 6898,3 7075 8425,1 11697,3 14971,4 27595,1 30396,1 125045,9

Чистый дисконтированный
доход государства или
бюджетный эффект 5046,4 10348 17987,7 24886 31960,9 40386 52083,3 67054,7 94649,8 125045,9

Индекс доходности
бюджетных средств 1,9 1,9 2,2 1,7 1,6 1,7 2,1 2,5 2,7

Налоги, поступающие в
бюджет и внебюджетные
фонды с учетом
дисконтирования 10546,4 11483,5 13755,4 16665,3 19369,2 21340,2 22704,6 24721,4 27595,1 30396,1 198577,2

Удельный вес средств
федерального бюджета в
общем объеме
финансирования (степень
участия государства) 0,61 0,61 0,6 0,62 0,61 0,59 0,56 0,56 0,59

Период возврата бюджетных
средств, лет 1 год

Уровень безубыточности 0,79 0,79 0,76 0,73 0,7 0,68 0,66 0,66 0,66 0,66 0,68
--------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------

Таблица 3

Итоговые показатели
эффективности реализации федеральной целевой программы
"Развитие электронной компонентной базы
и радиоэлектроники" на 2008 - 2015 годы

(млн. рублей)
-------------------------------------------------T----------------
Наименование показателей ¦ 2008 - 2017
¦ годы
-------------------------------------------------+----------------
Всего инвестиций
(в ценах соответствующих лет) 187000

в том числе:

средства федерального бюджета 110000

внебюджетные средства 77000

Показатели коммерческой эффективности

Чистый дисконтированный доход в 2017 году 64374,4

Срок окупаемости инвестиций по чистой прибыли
организации, лет 8,1

Индекс доходности (рентабельность) инвестиций
по чистой прибыли 1,52

Уровень безубыточности 0,68

Показатели бюджетной эффективности

Налоги, поступающие в бюджет и внебюджетные
фонды с учетом дисконтирования 198577,2

Бюджетный эффект 125045,9

Индекс доходности (рентабельность) бюджетных
ассигнований по налоговым поступлениям 2,7

Удельный вес средств федерального бюджета в
общем объеме финансирования (степень участия
государства) 0,6

Срок окупаемости бюджетных ассигнований по
налоговым поступлениям, лет 1 год
------------------------------------------------------------------





Приложение N 6
к федеральной целевой программе
"Развитие электронной компонентной
базы и радиоэлектроники"
на 2008 - 2015 годы

МЕТОДИКА
ОЦЕНКИ СОЦИАЛЬНО-ЭКОНОМИЧЕСКОЙ ЭФФЕКТИВНОСТИ РЕАЛИЗАЦИИ
ФЕДЕРАЛЬНОЙ ЦЕЛЕВОЙ ПРОГРАММЫ "РАЗВИТИЕ ЭЛЕКТРОННОЙ
КОМПОНЕНТНОЙ БАЗЫ И РАДИОЭЛЕКТРОНИКИ"
НА 2008 - 2015 ГОДЫ

Для создания настоящей методики в качестве основы была взята методика оценки социально-экономической эффективности реализации федеральной целевой программы "Национальная технологическая база" на 2007 - 2011 годы.
Указанная методика была использована при проведении технико-экономического обоснования и оценки эффективности федеральных целевых программ "Оптика России" (проект), "Национальная технологическая база" на 2002 - 2006 годы, "Развитие оборонно-промышленного комплекса Российской Федерации на 2007 - 2010 годы и на период до 2015 года", "Техническое перевооружение системы учета и контроля производства оружия, боеприпасов, взрывчатых материалов" ("Антитеррор", 2004 - 2008 годы) (проект), а также ряда крупных инвестиционных проектов организаций оборонного комплекса, что позволяет в полной мере применить ее для оценки социально-экономической эффективности реализации федеральной целевой программы "Развитие электронной компонентной базы и радиоэлектроники" на 2008 - 2015 годы (далее - Программа).
Оценка эффективности реализации Программы включает в себя:
оценку эффективности реализации Программы в целом на основе определения показателей коммерческой эффективности путем сопоставления чистой прибыли и амортизационных отчислений, остающихся в распоряжении организаций, с суммарными затратами на реализацию Программы из всех источников финансирования (бюджетными и внебюджетными ассигнованиями);
оценку эффективности участия в Программе государства на основе определения показателей бюджетной эффективности путем сопоставления расхода средств федерального бюджета с доходами, поступающими в бюджеты всех уровней в виде налогов.
Расчеты выполнены в ценах каждого года (с учетом инфляции) с последующим дисконтированием затрат и результатов к началу расчетного (программного) периода (2008 - 2015 годы), т.е. к 2007 году.
В расчетах применялись налоги и ставки налогообложения, действующие на момент проведения расчета.

Показатели коммерческой эффективности

Чистый дисконтированный доход является одним из основных показателей эффективности и характеризует интегральный эффект от реализации Программы. Определяется как сальдо суммарного денежного потока от операционной и инвестиционной деятельности организаций с учетом дисконтирования за расчетный период по следующей формуле:

м
ЧДД = SUM фи x альфа ,
m=1 m m

где:
фи - сальдо суммарного денежного потока от инвестиционной и
m
операционной деятельности на m-м шаге расчетного периода;
m - порядковый номер шага расчета (от 1 до М);
альфа - коэффициент дисконтирования на m-ом шаге расчетного
m
периода.
Чистый дисконтированный доход характеризуется превышением суммарных денежных притоков от инвестиционной и операционной деятельности организаций над суммарными денежными оттоками за расчетный период с учетом дисконтирования.
Эффективность реализации Программы оценивается в течение расчетного периода, продолжительность которого определяется началом реализации Программы вплоть до ее завершения.
За начальный год расчетного периода (t ) принимается первый
н
год осуществления затрат (2008 год), конечный год расчетного
периода (t ) определяется годом завершения реализации Программы
к
(2015 год).
В качестве расчетного года (t ) принимается фиксированный
р
момент времени - начальный год расчетного периода или год
проведения расчета. Для данного расчета принят год приведения
расчета (2007 год).
Расчетный период (2008 - 2015 годы) измеряется количеством шагов расчета.
В качестве шага расчета принимается минимальный интервал времени, принятый разработчиком для расчета (год, полугодие, квартал, месяц). Номер шага обозначается числами - 1, 2, 3 и так далее. За начальный шаг принимается первый шаг. Для данного технико-экономического обоснования в качестве шага принят один год.
Соизмерение разновременных затрат и результатов (учет фактора времени) производится путем их приведения (дисконтирования) к расчетному шагу.
Приведение будущих денежных ресурсов (инвестиций,
производственных издержек, прибыли и так далее) к расчетному году
расчетного периода производится путем умножения затрат и
результатов на коэффициент дисконтирования, величина которого
(альфа ) определяется по классической формуле сложных процентов:
m

1
альфа = --------,
m m
(1 + E)

где:
E - годовая норма дисконтирования, принятая в размере 0,15;
m - порядковый номер шага расчетного периода от 1 до m-го шага, а именно:
1 - базовый (начальный) шаг (год);
2 - первый шаг, следующий за базовым шагом;
3 - второй шаг, следующий за первым шагом, и так далее.
Под нормой дисконтирования (E) понимается минимально допустимая для инвестора величина дохода в расчете на единицу капитала, вложенного в реализацию Программы, с учетом уровня инфляции.
При отсутствии утвержденных норм дисконта и обоснованных требований инвесторов в качестве нормы дисконтирования рекомендуется принимать процентную ставку за банковский кредит, т.е. ставку рефинансирования Центрального банка Российской Федерации, действующую на момент проведения расчета (13 процентов), с учетом фактора риска в размере 2 процентов, т.е. E = 15 процентов.
Для настоящего расчета норма дисконта принята в размере 15 процентов.
В свою очередь, сальдо суммарного денежного потока от инвестиционной и операционной деятельности на m-ом шаге расчетного периода равно:

и о
фи = (фи + фи ),
m m m

где:
и
фи - сальдо суммарного денежного потока от инвестиционной
m
деятельности на m-м шаге расчетного периода;
о
фи - сальдо суммарного денежного потока от операционной
m
деятельности на m-м шаге расчетного периода.
Сальдо суммарного денежного потока от инвестиционной
и
деятельности на m-ом шаге расчетного периода (фи ) определяется
m
как разность между затратами на реализацию Программы из всех
источников финансирования (отток) и реализацией активов (приток),
которые в данном случае равны 0.
Сальдо суммарного денежного потока от операционной
о
деятельности на m-м шаге расчетного периода (фи ) определяется
m
как разность между объемом продаж (приток) и суммой издержек
производства реализуемой продукции (без амортизационных
отчислений), налога на имущество и налога на прибыль (отток). В
итоге образуется сумма чистой прибыли и амортизационных
отчислений, остающаяся у организаций (чистый доход организаций).
Внутренняя норма доходности представляет собой норму дисконтирования, при которой величина чистого дисконтированного дохода равна 0.
Внутренняя норма доходности характеризует предельную (граничную) норму дисконтирования, разделяющую эффективные варианты реализации Программы от неэффективных, а также степень устойчивости Программы. Внутренняя норма доходности сравнивается с нормой дисконтирования, принятой для расчета, и чем больше внутренняя норма доходности, тем выше эффективность реализации Программы. Показатель внутренней нормы доходности определяется исходя из условия, что значение ЧДД = 0, и решения уравнения относительно внутренней нормы доходности:

м 1
ЧДД = SUM фи x ---------- = 0,
m=1 m m
(1 + ВНД)

где:
фи - сальдо суммарного денежного потока от инвестиционной и
m
операционной деятельности на m-м шаге расчетного периода;
m - порядковый номер шага расчета (от 1 до М).
Для определения показателя внутренней нормы доходности (ВНД) используется финансовая функция "ВНДОХ", встроенная в программу "Excel".
Срок окупаемости инвестиций или период возврата (СО ) - это
и
период времени от начального момента времени, в течение которого
чистый дисконтированный доход становится неотрицательным.
Другое определение срока окупаемости - продолжительность периода, в конце которого суммарная величина дисконтированных инвестиций полностью возмещается суммарными дисконтированными доходами (суммой чистой прибыли и амортизационных отчислений) вследствие реализации Программы.
В зависимости от начального момента времени, принятого для определения срока окупаемости (периода возврата инвестиций), существует несколько его модификаций.
Как правило, за начальный момент времени принимается начало инвестиционной деятельности в календарном исчислении, т.е. календарное начало первого шага расчетного периода m1 (в данном случае 2008 год, принятый для расчета).
Срок окупаемости определяется по данным расчета "Сальдо накопленного суммарного потока от операционной и инвестиционной деятельности с учетом дисконтирования".
Целая часть величины срока окупаемости определяется количеством шагов, имеющих отрицательное значение сальдо. Дробная часть периода возврата, добавляемая к целой части, определяется методом интерполяции.
Программа может быть принята к рассмотрению при условии, если срок окупаемости меньше расчетного периода, принятого для технико-экономического обоснования Программы, равного 8 годам (2008 - 2015 годы).
Индекс доходности инвестиций определяется как отношение дисконтированной величины сальдо от операционной деятельности, т.е. чистого дохода организаций (чистой прибыли плюс амортизационные отчисления) за расчетный период, к дисконтированной величине затрат из всех источников финансирования за тот же период.
Если индекс доходности инвестиций больше 1, Программа является эффективной, если меньше 1 - неэффективной. При значении чистого дисконтированного дохода, равном 0, индекс доходности равен 1.

Показатели бюджетной эффективности

Бюджетный эффект представляет собой превышение доходной части бюджета над его расходной частью в результате реализации Программы.
Бюджетный эффект за расчетный период определяется по следующей формуле:

м
БЭ = SUM Дельта x альфа ,
m=1 m m

где:
дельта - превышение доходной части бюджета над его расходной
m
частью на m-м шаге расчетного периода;
альфа - коэффициент дисконтирования на m-м шаге расчетного
m
периода;
m - порядковый номер шага расчета (от 1 до M).
В состав расходов бюджета включаются средства, выделяемые для прямого бюджетного финансирования Программы.
В состав доходов бюджета и приравненных к ним поступлений во внебюджетные фонды включаются:
налог на имущество в размере 2 процентов среднегодовой стоимости основных промышленно-производственных фондов по остаточной стоимости;
налог на прибыль в размере 24 процентов налогооблагаемой прибыли (прибыли от реализации за вычетом налога на имущество);
налог на добавленную стоимость в размере 18 процентов объема реализованной продукции;
подоходный налог в размере 13 процентов фонда оплаты труда;
единый социальный налог в размере 26 процентов фонда оплаты труда.
Доходная часть бюджета корректируется в зависимости от коэффициента участия государства в Программе.
Доля бюджетных ассигнований (коэффициент участия государства) является важным показателем бюджетной эффективности и определяется как отношение дисконтированной величины средств федерального бюджета, выделяемых на реализацию Программы, за расчетный период к дисконтированной величине суммарных затрат из всех источников финансирования за тот же период.
Этот показатель характеризует степень финансового участия государства в реализации Программы и учитывается при оценке бюджетного эффекта. Предпочтение следует отдавать вариантам программ, имеющим наименьшую величину показателя, т.е. требующим относительно меньше бюджетных ассигнований.
Срок окупаемости или период возврата средств федерального бюджета - это период времени от начального шага, в течение которого бюджетный эффект становится неотрицательным.
Другое определение срока окупаемости средств федерального бюджета - продолжительность периода, в конце которого суммарная величина дисконтированных средств федерального бюджета полностью возмещается суммарными дисконтированными доходами бюджета (налоговыми поступлениями) вследствие реализации Программы.
Определение срока окупаемости (периода возврата) средств федерального бюджета производится аналогично определению срока окупаемости затрат из всех источников финансирования.
Индекс доходности средств федерального бюджета определяется как отношение дисконтированной величины доходов бюджета от реализации Программы за расчетный период к дисконтированной величине расходов бюджета за тот же период.





Утверждены
Постановлением Правительства
Российской Федерации
от 26 ноября 2007 г. N 809

ИЗМЕНЕНИЯ,
КОТОРЫЕ ВНОСЯТСЯ В ФЕДЕРАЛЬНУЮ ЦЕЛЕВУЮ ПРОГРАММУ
"НАЦИОНАЛЬНАЯ ТЕХНОЛОГИЧЕСКАЯ БАЗА" НА 2007 - 2011 ГОДЫ,
УТВЕРЖДЕННУЮ ПОСТАНОВЛЕНИЕМ ПРАВИТЕЛЬСТВА РОССИЙСКОЙ
ФЕДЕРАЦИИ ОТ 29 ЯНВАРЯ 2007 Г. N 54

1. Паспорт указанной Программы изложить в следующей редакции:

"ПАСПОРТ
федеральной целевой программы "Национальная
технологическая база" на 2007 - 2011 годы

Наименование Программы - федеральная целевая программа
"Национальная технологическая база" на
2007 - 2011 годы

Дата принятия решения - распоряжение Правительства Российской
о разработке Программы Федерации от 18 декабря 2006 г.
N 1761-р

Государственные - Федеральное агентство по
заказчики Программы промышленности,
Федеральное агентство по атомной
энергии,
Федеральное агентство по науке и
инновациям,
Федеральное агентство по образованию,
Федеральное космическое агентство,
Российская академия наук,
Сибирское отделение Российской
академии наук

Государственный - Министерство промышленности и
заказчик - координатор энергетики Российской Федерации
Программы

Основные разработчики - Министерство промышленности и
Программы энергетики Российской Федерации,
Федеральное агентство по промышленности,
Федеральное агентство по атомной
энергии,
Федеральное агентство по науке и
инновациям,
Федеральное космическое агентство,
Российская академия наук

Цель и задачи - цель Программы - обеспечение
Программы технологического развития отечественной
промышленности на основе создания и
внедрения прорывных, ресурсосберегающих,
экологически безопасных промышленных
технологий для производства
конкурентоспособной
наукоемкой продукции.

Задачи Программы:
создание новых передовых технологий и
оборудования, необходимого для их
реализации, на уровне экспериментальных
линий, демонстрационных установок
и (или) опытных образцов, подтверждающих
готовность технологических решений к
промышленной реализации;
разработка программ (планов) внедрения
разработанных технологий в производство
с оценкой необходимых затрат и
источников их финансирования;
активизация процессов коммерциализации
новых технологий;
создание перспективного научно-
технологического задела для разработки
наукоемкой продукции;
решение проблем улучшения экологической
ситуации в стране

Важнейшие целевые - количество переданных в производство
индикаторы и технологий, обеспечивающих
показатели конкурентоспособность конечного
продукта, - 215 - 246 (здесь и далее -
за весь период действия Программы);
количество патентов и других
документов, удостоверяющих новизну
технологических решений и закрепляющих
права на объекты интеллектуальной
собственности, полученные в ходе
выполнения Программы, в том числе
права Российской Федерации, - 206 -
241;
количество разработанных технологий,
соответствующих мировому уровню или
превышающих его, - 195 - 233

Сроки и этапы - Программа выполняется в 2007 - 2011
реализации годах в 2 этапа:
Программы I этап (2007 - 2009 годы) - выполнение
быстрореализуемых проектов, базирующихся
на уже имеющемся научно-техническом
заделе;
II этап (2008 - 2011 годы) - выполнение
сложных комплексных проектов по созданию
перспективных прорывных технологий,
реализуемых в новых поколениях
наукоемкой продукции и ориентированных
на недопущение технологического
отставания от передовых стран

Подпрограмма - подпрограмма "Развитие электронной
компонентной базы" на 2007 - 2011 годы

Объемы и источники - всего по Программе - 67298 млн. рублей
финансирования (в ценах соответствующих лет), в том
числе:
а) за счет средств федерального
бюджета - 30149 млн. рублей, из них:
на научно-исследовательские и
опытно-конструкторские работы -
22649 млн. рублей;
на капитальные вложения - 7500
млн. рублей;
б) за счет средств внебюджетных
источников - 37149 млн. рублей.
Всего на 2007 год - 11200 млн. рублей,
в том числе:
а) за счет средств федерального
бюджета - 6300 млн. рублей, из них:
на научно-исследовательские и
опытно-конструкторские работы -
5100 млн. рублей;
на государственные капитальные
вложения - 1200 млн. рублей;
б) за счет средств внебюджетных
источников - 4900 млн. рублей

Ожидаемые конечные - выполнение Программы в полном объеме
результаты реализации позволит:
Программы и показатели создать промышленно-технологические
ее социально- основы для производства нового
экономической поколения конкурентоспособной
эффективности наукоемкой продукции мирового уровня в
области важнейших технических систем
(авиационной и морской техники,
машиностроительного и энергетического
оборудования, информационно-
управляющих систем), специальных
материалов и другой высокотехнологичной
продукции, что в целом обеспечит
технологические аспекты безопасности
страны и развитие ее экономики;
сформировать технологические
предпосылки для повышения темпов
экономического роста за счет
увеличения в структуре экономики доли
продукции с высоким уровнем
добавленной стоимости;
обеспечить сохранение и создание новых
рабочих мест в организациях
высокотехнологичных отраслей
промышленности;
сократить общее технологическое
отставание России от передовых стран с
сохранением и развитием приоритетного
положения отечественных разработок по
ряду важных технологических
направлений;
расширить возможности для
равноправного международного
сотрудничества в сфере высоких
технологий;
создать эффективные средства защиты
населения от опасных
быстрораспространяющихся инфекций и
биотерроризма, а также сформировать
технологические основы развития и
совершенствования систем защиты
предприятий, населения и территорий
России от поражения токсическими
веществами в результате возможных
террористических актов, техногенных и
природных аварий и катастроф;
обеспечить технологические возможности
для улучшения экологической обстановки
за счет применения высокоэффективных
методов и средств контроля и
нейтрализации вредных
выбросов в окружающую среду;
обеспечить в 2007 - 2011 годах
поступление в федеральный бюджет
налогов в размере 47081,2 млн. рублей,
что превысит размер бюджетных расходов
за тот же период и создаст бюджетный
эффект в размере 24091,7 млн. рублей;
обеспечить индекс доходности
(рентабельность) бюджетных
ассигнований 2,05, а окупаемость
бюджетных ассигнований (период
возврата) в течение 1,3 года".

2. В разделе I:
а) абзац десятый исключить;
б) абзац двадцать девятый исключить;
в) абзац сороковой изложить в следующей редакции:
"В состав Программы входит подпрограмма "Развитие электронной компонентной базы" на 2007 - 2011 годы (далее - подпрограмма), реализация которой завершается в 2007 году.";
г) абзацы сорок первый и сорок второй исключить;
д) в абзаце сорок третьем слова "и подпрограммы" в соответствующем падеже исключить.
3. В абзаце семнадцатом раздела II слова "(без подпрограммы)" исключить.
4. В разделе IV:
а) абзац первый - третий исключить;
б) абзацы четвертый - шестой изложить в следующей редакции:
"Расходы на реализацию Программы без учета подпрограммы составляют 67298 млн. рублей, в том числе:
за счет средств федерального бюджета - 30149 млн. рублей, из них на научно-исследовательские и опытно-конструкторские работы - 22649 млн. рублей и на капитальные вложения - 7500 млн. рублей;
за счет средств внебюджетных источников - 37149 млн. рублей.".
5. Абзацы третий - четырнадцатый раздела VI изложить в следующей редакции:
"Показатели коммерческой эффективности:
чистая прибыль предприятий - 33225,2 млн. рублей;
чистый дисконтированный доход - 20779,5 млн. рублей;
индекс доходности (рентабельность) инвестиций по чистому доходу предприятий - 1,75;
срок окупаемости (период возврата) инвестиций за счет всех источников финансирования по чистому доходу предприятий - 2,2 года;
внутренняя норма доходности инвестиций (при норме дисконтирования, принятой для расчета 0,15) - 1,76.
Показатели бюджетной эффективности:
налоги, поступающие в бюджет, - 47081,2 млн. рублей;
бюджетный эффект - 24091,7 млн. рублей;
срок окупаемости (период возврата) бюджетных средств по налоговым поступлениям - 1,3 года;
индекс доходности (рентабельность) бюджетных средств по налоговым поступлениям - 2,05;
удельный вес средств федерального бюджета (степень участия государства) в общем объеме финансирования - 0,83.".
6. В приложении N 2:
а) в позиции 39:
слова "Институт физических проблем" заменить словами "Институт физики полупроводников";
слова "(государственный заказчик - Российская академия наук)" заменить словами "(государственный заказчик - Сибирское отделение Российской академии наук)";
б) в позициях 64 - 65 слова "(государственный заказчик - Российская академия наук)" заменить словами "(государственный заказчик - Сибирское отделение Российской академии наук)".
7. Приложения N 3 - 6 изложить в следующей редакции:

"Приложение N 3
к федеральной целевой программе
"Национальная технологическая
база" на 2007 - 2011 годы

ОБЪЕМЫ
ФИНАНСИРОВАНИЯ МЕРОПРИЯТИЙ ФЕДЕРАЛЬНОЙ ЦЕЛЕВОЙ ПРОГРАММЫ
"НАЦИОНАЛЬНАЯ ТЕХНОЛОГИЧЕСКАЯ БАЗА" НА 2007 - 2011 ГОДЫ

(млн. рублей, в ценах соответствующих лет)
------------------------------T----------------------------------T----------T---------T----------T---------T----------T----------
Наименование базовых ¦ Источники финансирования ¦ 2007 - ¦2007 год ¦ 2008 год ¦2009 год ¦ 2010 год ¦ 2011 год
технологических направлений ¦ ¦2011 годы ¦ ¦ ¦ ¦ ¦
------------------------------+----------------------------------+----------+---------+----------+---------+----------+----------
Объемы финансирования научно-исследовательских и опытно-конструкторских работ

Технологии новых материалов всего 9898 952 1140 1402 2767 3637
в том числе
федеральный бюджет 3849 476 570 701 908 1194

Общемашиностроительные всего 9440 832 1056 1336 2685 3531
технологии в том числе
федеральный бюджет 3620 416 528 668 867 1141

Базовые технологии всего 7342 970 1106 1310 1710 2246
энергетики в том числе
федеральный бюджет 3371 485 553 655 724 954

Технологии перспективных всего 4456 466 764 882 1012,6 1331,4
двигательных установок в том числе
федеральный бюджет 2028 233 382 441 419,9 552,1

Химические технологии и всего 3326 440 462 513 826 1085
катализ в том числе
федеральный бюджет 1463 220 231 256,5 325,6 429,9

Технологии морской техники, всего 9000 502 778 1261 2789 3670
функционирующей в в том числе
экстремальных природных федеральный бюджет 3300 251 389 630,5 875,7 1153,8
условиях

Технологии обеспечения всего 4436 638 764 848 945 1241
безопасности в том числе
жизнедеятельности, федеральный бюджет 1918 319 382 424 343 450
диагностики и защиты
человека от опасных
заболеваний

Системно-аналитические всего 500 100 100 100 87 113
исследования проблем в том числе
развития базовых технологий федеральный бюджет 500 100 100 100 87 113

Подпрограмма "Развитие всего 3900 3900 - - - -
электронной компонентной в том числе
базы" на 2007 - 2011 годы федеральный бюджет 2600 2600 - - - -

Итого по Программе всего 52298 8800 6170 7652 12821,6 16854,4
в том числе
федеральный бюджет 22649 5100 3135 3876 4550,2 5987,8

Объемы капитальных вложений

Технологии новых материалов всего 4452 - 672 780 1236 1764
в том числе
федеральный бюджет 2226 - 336 390 618 882

Общемашиностроительные всего 1360 - 204 264 332 560
технологии в том числе
федеральный бюджет 680 - 102 132 166 280

Базовые технологии всего 2018 - 353 447 518 700
энергетики в том числе
федеральный бюджет 1009 - 176,5 223,5 259 350

Технологии перспективных всего 1586 - 237 425 328 596
двигательных установок в том числе
федеральный бюджет 793 - 118,5 212,5 164 298

Химические технологии и всего 480 - 72 128 180 100
катализ в том числе
федеральный бюджет 240 - 36 64 90 50

Технологии морской техники, всего 2086 - 312 356 504 914
функционирующей в в том числе
экстремальных природных федеральный бюджет 1043 - 156 178 252 457
условиях

Технологии обеспечения всего 618 - 90 170 358 -
безопасности в том числе
жизнедеятельности, федеральный бюджет 309 - 45 85 179 -
диагностики и защиты
человека от опасных
заболеваний

Системно-аналитические всего - - - - - -
исследования проблем в том числе
развития базовых технологий федеральный бюджет - - - - - -

Подпрограмма "Развитие всего 2400 2400 - - - -
электронной компонентной в том числе
базы" на 2007 - 2011 годы федеральный бюджет 1200 1200 - - - -

Итого по Программе всего 15000 2400 1940 2570 3456 4634
в том числе
федеральный бюджет 7500 1200 970 1285 1728 2317
---------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------





Приложение N 4
к федеральной целевой программе
"Национальная технологическая
база" на 2007 - 2011 годы

ОБЪЕМЫ
ФИНАНСИРОВАНИЯ ФЕДЕРАЛЬНОЙ ЦЕЛЕВОЙ ПРОГРАММЫ "НАЦИОНАЛЬНАЯ
ТЕХНОЛОГИЧЕСКАЯ БАЗА" НА 2007 - 2011 ГОДЫ ЗА СЧЕТ СРЕДСТВ
ФЕДЕРАЛЬНОГО БЮДЖЕТА И ВНЕБЮДЖЕТНЫХ ИСТОЧНИКОВ

(млн. рублей, в ценах соответствующих лет)
-----------------------------------------------T------------T--------T---------T------T--------T-----------
¦2007 - 2011 ¦ 2007 ¦2008 год ¦ 2009 ¦ 2010 ¦ 2011 год
¦ годы ¦ год ¦ ¦ год ¦ год ¦
-----------------------------------------------+------------+--------+---------+------+--------+-----------
Всего, включая подпрограмму "Развитие 67298 11200 8110 10222 16277,6 21488,4
электронной компонентной базы" на 2007 - 2011
годы
в том числе:
федеральный бюджет 30149 6300 4105 5161 6278,2 8304,8

внебюджетные средства 37149 4900 4005 5061 9999,4 13183,6

Капитальные вложения - всего 15000 2400 1940 2570 3456 4634

в том числе:
федеральный бюджет 7500 1200 970 1285 1728 2317

внебюджетные средства 7500 1200 970 1285 1728 2317

Научно-исследовательские и опытно- 52298 8800 6170 7652 12821,6 16854,4
конструкторские работы - всего

в том числе:
федеральный бюджет 22649 5100 3135 3876 4550,2 5987,8

внебюджетные средства 29649 3700 3035 3776 8271,4 10866,6

По подпрограмме "Развитие электронной 6300 6300 - - - -
компонентной базы" на 2007 - 2011 годы -
всего

в том числе:
федеральный бюджет 3800 3800 - - - -

внебюджетные средства 2500 2500 - - - -

Капитальные вложения - всего 2400 2400 - - - -

в том числе:
федеральный бюджет 1200 1200 - - - -

внебюджетные средства 1200 1200 - - - -

Научно-исследовательские и опытно- 3900 3900 - - - -
конструкторские работы - всего

в том числе:
федеральный бюджет 2600 2600 - - - -

внебюджетные средства 1300 1300 - - - -
-----------------------------------------------------------------------------------------------------------





Приложение N 5
к федеральной целевой программе
"Национальная технологическая
база" на 2007 - 2011 годы

РАСПРЕДЕЛЕНИЕ ОБЪЕМОВ
ФИНАНСИРОВАНИЯ ЗА СЧЕТ СРЕДСТВ ФЕДЕРАЛЬНОГО БЮДЖЕТА
ПО ГОСУДАРСТВЕННЫМ ЗАКАЗЧИКАМ ФЕДЕРАЛЬНОЙ ЦЕЛЕВОЙ
ПРОГРАММЫ "НАЦИОНАЛЬНАЯ ТЕХНОЛОГИЧЕСКАЯ БАЗА"
НА 2007 - 2011 ГОДЫ

(млн. рублей, в ценах соответствующих лет)
-----------------------------------------------T------------T------T------T-------T--------T------------
¦2007 - 2011 ¦ 2007 ¦ 2008 ¦ 2009 ¦ 2010 ¦ 2011 год
¦ годы ¦ год ¦ год ¦ год ¦ год ¦
-----------------------------------------------+------------+------+------+-------+--------+------------
Всего 30149 6300 4105 5161 6278,2 8304,8

в том числе по подпрограмме "Развитие 3800 3800 - - - -
электронной компонентной базы" на 2007 -
2011 годы

Министерство промышленности и энергетики Российской Федерации

Научно-исследовательские и опытно- 4104 630 630 776 1094,2 973,8
конструкторские работы - всего

в том числе по подпрограмме "Развитие 200 200 - - - -
электронной компонентной базы" на 2007 -
2011 годы

Федеральное агентство по промышленности

Капитальные вложения - всего 5660 1175 659,5 871,5 754 1900

в том числе по подпрограмме "Развитие 1175 1175 - - - -
электронной компонентной базы" на 2007 -
2011 годы

Научно-исследовательские и опытно- 16776 4050 2225 2750 3145 4606
конструкторские работы - всего

в том числе по подпрограмме "Развитие 2230 2230 - - - -
электронной компонентной базы" на 2007 -
2011 годы

Всего 22436 5225 2884,5 3621,5 4199 6506

в том числе по подпрограмме "Развитие 3405 3405 - - - -
электронной компонентной базы" на 2007 -
2011 годы

Федеральное агентство по атомной энергии

Капитальные вложения - всего 333 - 75,5 93,5 61 103

в том числе по подпрограмме "Развитие - - - - - -
электронной компонентной базы" на 2007 -
2011 годы

Научно-исследовательские и опытно- 1659 310 280 350 311 408
конструкторские работы - всего

в том числе по подпрограмме "Развитие 60 60 - - - -
электронной компонентной базы" на 2007 -
2011 годы

Всего 1992 310 355,5 443,5 372 511

в том числе по подпрограмме "Развитие 60 60 - - - -
электронной компонентной базы" на 2007 -
2011 годы

Федеральное космическое агентство

Капитальные вложения - всего 199 - 16 39 72 72

в том числе по подпрограмме "Развитие - - - - - -
электронной компонентной базы" на 2007 -
2011 годы

Научно-исследовательские и опытно- 60 60 - - - -
конструкторские работы - всего

в том числе по подпрограмме "Развитие 60 60 - - - -
электронной компонентной базы" на 2007 -
2011 годы

Всего 259 60 16 39 72 72

в том числе по подпрограмме "Развитие 60 60 - - - -
электронной компонентной базы" на 2007 -
2011 годы

Федеральное агентство по науке и инновациям

Капитальные вложения - всего 812 - 118 152 300 242

Научно-исследовательские и опытно- 50 50 - - - -
конструкторские работы

в том числе по подпрограмме "Развитие 50 50 - - - -
электронной компонентной базы" на 2007 -
2011 годы

Всего 862 50 118 152 300 242

в том числе по подпрограмме "Развитие 50 50 - - - -
электронной компонентной базы" на 2007 -
2011 годы

Федеральное агентство по образованию

Капитальные вложения - всего 25 25 - - - -

в том числе по подпрограмме "Развитие 25 25 - - - -
электронной компонентной базы" на 2007 -
2011 годы

Российская академия наук

Капитальные вложения - всего 471 - 101 129 241 -


в том числе Сибирское отделение 150 - 44 44 62 -
Российской академии наук
--------------------------------------------------------------------------------------------------------





Приложение N 6
к федеральной целевой программе
"Национальная технологическая
база" на 2007 - 2011 годы

ОСНОВНЫЕ ПОКАЗАТЕЛИ
СОЦИАЛЬНО-ЭКОНОМИЧЕСКОЙ ЭФФЕКТИВНОСТИ РЕАЛИЗАЦИИ
ФЕДЕРАЛЬНОЙ ЦЕЛЕВОЙ ПРОГРАММЫ "НАЦИОНАЛЬНАЯ
ТЕХНОЛОГИЧЕСКАЯ БАЗА" НА 2007 - 2011 ГОДЫ

(млн. рублей)
----------------------------------T-------------------------------------------------------T----------
¦ Расчетный период ¦ За
+--------T-----------T-----------T----------T-----------+расчетный
¦2007 год¦ 2008 год ¦ 2009 год ¦ 2010 год ¦ 2011 год ¦ период
+--------+-----------+-----------+----------+-----------+
¦ номер шага ¦
+--------T-----------T-----------T----------T-----------+
¦ 1 ¦ 2 ¦ 3 ¦ 4 ¦ 5 ¦
----------------------------------+--------+-----------+-----------+----------+-----------+----------
Коммерческая эффективность

Годовой объем реализованной 41730 42424,3 65329,1 114152,9 217392,7 -
продукции в действующих ценах без
налога на добавленную стоимость

Себестоимость годового объема 36305,1 36060,6 55836,6 95926,8 181160,6 -
реализованной продукции

Валовая прибыль 5424,9 6363,6 9492,3 18226,1 36232,1 -

Инвестиции из всех источников 2156 1602 1758 2802 2802 11120
финансирования на капитальные
вложения (в ценах 2006 года)

Инвестиции из всех источников 2400 1919 2255,3 3839,1 4088,7 -
финансирования на капитальные
вложения (в ценах
соответствующих лет)

Инвестиции из всех источников 2400 4297 6552,4 10391,5 14480,2 -
финансирования на капитальные
вложения нарастающим итогом (в
ценах соответствующих лет)

Налог на имущество 52,8 94,5 144,2 228,6 318,6 -

Налогооблагаемая прибыль 5372,1 6269,1 9348,1 17997,5 35913,6 -

Налог на прибыль 1289,3 1504,6 2243,5 4319,4 8619,3 -

Чистая прибыль 4082,8 4764,5 7104,6 13678,1 27294,3 -

Чистая прибыль с учетом 3550,3 3602,7 4671,4 7820,5 13580,4 33225,2
дисконтирования

Амортизационные отчисления в 1815,3 2163,6 3629,4 6235,2 12681,2 -
структуре себестоимости

Материальные затраты в структуре 19967,8 19833,3 30710,3 52759,7 99638,3 -
себестоимости

Фонд оплаты труда в структуре 4356,6 6490,9 11167,4 20144,6 38043,7 -
себестоимости

Налог на добавленную стоимость 3917,2 4066,4 6231,4 11050,8 21195,8 -

Подоходный налог 566,4 843,8 1451,8 2618,8 4945,7 -

Единый социальный налог 1132,7 1887,8 2903,5 5237,6 9891,4 -

Налоги, поступающие в бюджет и 6958,4 8196,9 12974,4 23455,2 44970,7 -
внебюджетные фонды

Сальдо от операционной 5898,1 6928,2 10734 19913,3 39975,5 -
деятельности. Чистый доход
предприятий (чистая прибыль и
амортизационные отчисления)

Коэффициент дисконтирования 0,87 0,756 0,658 0,572 0,497 -
(норма дисконта Е = 0,15)

Сальдо от операционной 5128,7 5238,7 7057,8 11385,5 19573,2 48383,8
деятельности с учетом
дисконтирования к 2006 году.
Чистый доход предприятий с учетом
дисконтирования

Величина инвестиций из всех 8800 5184,3 6374,8 11722,3 12405,4 -
источников финансирования в
действующих ценах

Величина инвестиций из всех 6521,8 3920,1 4191,5 6702,2 5268,7 27604,3
источников финансирования с
учетом дисконтирования к 2006
году (в ценах соответствующих
лет)

Сальдо суммарного потока от -1393 1318,6 2866,2 4683,3 13304,4 20779,5
инвестиционной и операционной
деятельности с учетом
дисконтирования (в ценах
соответствующих лет)

Сальдо накопленного суммарного -1393 -477,3 2389 7072,3 20779,5 -
потока от инвестиционной и
операционной деятельности с
учетом дисконтирования
(нарастающим итогом). Чистый
дисконтированный доход

Срок окупаемости инвестиций - - - - - 2,2
(период возврата), лет

Индекс доходности - - - - - 1,75
(рентабельность) инвестиций

Внутренняя норма доходности - - - - - 1,76

Уровень безубыточности 0,67 0,66 0,67 0,63 0,62 0,66

Бюджетная эффективность

Средства федерального бюджета на 6300 4105 5161 6278,2 8304,8 30149
научно-исследовательские и
опытно-конструкторские работы и
капитальные вложения (в ценах
соответствующих лет)

Средства федерального бюджета на 5478,5 3104 3393,4 3717,7 4166,3 19859,9
научно-исследовательские и
опытно-конструкторские работы и
капитальные вложения в
действующих ценах с учетом
дисконтирования к 2006 году

Налоги, поступающие в бюджет и 5082,8 5051 7021,8 11214,5 18711,1 47081,2
внебюджетные фонды с учетом
дисконтирования к 2006 году и
степени участия государства (в
ценах соответствующих лет)

Сальдо суммарного потока в -395,7 1856,4 3571,7 5609,8 13449,5 24091,7
бюджетной сфере с учетом
дисконтирования (в ценах
соответствующих лет)

Бюджетный эффект -395,7 1387,6 4959,3 10569,2 24091,7 -

Индекс доходности бюджетных - - - - - 2,05
средств

Удельный вес средств федерального 0,84 0,81 0,82 0,84 0,84 0,83
бюджета в общем объеме
финансирования (степень участия
государства)

Срок окупаемости (период - - - - - 1,3".
возврата) бюджетных средств, лет
-----------------------------------------------------------------------------------------------------